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    Photolithographische Strukturerzeugung
    4.
    发明公开
    Photolithographische Strukturerzeugung 失效
    Photolithographische Strukturerzeugung。

    公开(公告)号：EP0492256A1

    公开(公告)日：1992-07-01

    申请号：EP91121088.8

    申请日：1991-12-09

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Sezi, Recai, Dr. ,  Borndörfer, Horst, Dipl.-Chem. ,  Leuschner, Rainer, Dr. ,  Sebald, Michael, Dr. ,  Birkle, Siegfried, Dr. ,  Ahne, Hellmut, Dr.

    IPC分类号： G03F7/38

    CPC分类号： G03F7/265 ,  Y10S430/147 ,  Y10S430/167

    摘要： Ein Verfahren zur photolithographischen Strukturerzeugung im Submikron-Bereich ist durch folgende Schritte gekennzeichnet:

    Auf ein Substrat wird eine Photoresistschicht aus einem Carbonsäureanhydrid- und Carbonsäure-tert.-butylestergruppen enthaltenden Polymer, einem bei Belichtung eine Säure freisetzenden Photoinitiator und einem geeigneten Lösungsmittel aufgebracht;
    die Photoresistschicht wird getrocknet;
    die Photoresistschicht wird bildmäßig belichtet;
    die belichtete Photoresistschicht wird einer Temperaturbehandlung ausgesetzt;
    die derart behandelte Photoresistschicht wird einer Flüssigsilylierung unterworfen;
    die silylierte Photoresistschicht wird in einem anisotropen Sauerstoffplasma trocken entwickelt;
    die Temperaturbehandlung wird dabei so geführt, daß der Photoresist in den belichteten Bereichen hydrophil wird.

    摘要翻译： 在亚微米范围内的光刻图案化方法的特征在于以下步骤：由含有羧酸酐和羧酸叔丁酯基团的聚合物组成的光致抗蚀剂层，在暴露于光下释放酸的光引发剂和合适的溶剂是 沉积在基底上; 干燥光致抗蚀剂层; 光致抗蚀剂层通过图像曝光; 对曝光的光致抗蚀剂层进行热处理; 以这种方式处理的光致抗蚀剂层进行液体甲硅烷基化; 在各向异性氧等离子体中将甲硅烷基化的光致抗蚀剂层干式显影; 在该方法中，热处理使得光致抗蚀剂在曝光区域中变得亲水。

    Photostrukturierungsverfahren
    6.
    发明公开
    Photostrukturierungsverfahren 失效
    Photostrukturierungsverfahren。

    公开(公告)号：EP0492253A1

    公开(公告)日：1992-07-01

    申请号：EP91121084.7

    申请日：1991-12-09

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Sebald, Michael, Dr. ,  Beck, Jürgen, Dipl.-Chem. ,  Leuschner, Rainer, Dr. ,  Sezi, Recai, Dr. ,  Birkle, Siegfried, Dr. ,  Ahne, Hellmut, Dr. ,  Kühn, Eberhard

    IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/039 ,  G03F7/405

    摘要： Ein Verfahren zur Strukturerzeugung im Submikron-Bereich ist durch folgende Schritte gekennzeichnet:

    Auf ein Substrat wird eine Photoresistschicht aus einer Polymerkomponente mit funktionellen Gruppen, die zu einer Reaktion mit primären oder sekundären Aminen befähigt sind, und N-blockierten Imidgruppen, einem bei Belichtung eine Säure freisetzenden Photoinitiator und einem geeigneten Lösungsmittel aufgebracht;
    die Photoresistschicht wird getrocknet;
    die Photoresistschicht wird bildmäßig belichtet;
    die belichtete Photoresistschicht wird einer Temperaturbehandlung unterworfen;
    die derart behandelte Photoresistschicht wird mit einem wäßrig-alkalischen oder organischen Entwickler zu einer Photoresiststruktur entwickelt;
    die Photoresiststruktur wird mit einem ein primäres oder sekundäres Amin enthaltenden chemischen Agens behandelt;
    bei der Entwicklung wird dabei ein definierter Dunkelabtrag im Bereich zwischen 20 und 100 nm eingestellt.

    摘要翻译： 一种用于在其特征在于通过以下步骤亚微米范围内的生产结构的过程：在基片上，具有能够与伯或仲胺反应的官能团，和N-封端酰亚胺基团在曝光时产生酸的聚合物成分的光致抗蚀剂层 释放光引发剂和施加合适的溶剂; 光致抗蚀剂层进行干燥; 光致抗蚀剂层被成像曝光; 曝光的光刻胶层进行温度处理; 这样处理过的光刻胶膜用含水碱性或有机显影剂的光阻图案显影; 光致抗蚀剂结构与伯或仲含胺的化学试剂处理; 由此限定的暗视场中在显影20和100nm之间的范围内。

    Verfahren zur Erzeugung eines Bottom-Resists
    9.
    发明公开
    Verfahren zur Erzeugung eines Bottom-Resists 失效
    Verfahren zur Erzeugung eines Bottom-Resists。

    公开(公告)号：EP0534273A1

    公开(公告)日：1993-03-31

    申请号：EP92115715.2

    申请日：1992-09-14

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Leuschner, Rainer, Dr. ,  Sezi, Recai, Dr. ,  Sebald, Michael, Dr.

    IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/095 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/038 ,  G03F7/094

    摘要： Ein Bottom-Resist für ein Zweilagen-O₂/RIE-System erfüllt dann alle an einen derartigen Resist gestellten Anforderungen, wenn er in der Weise erzeugt wird, daß auf ein Substrat eine Lackschicht aus einem aromatenhaltigen Basispolymer, einem Vernetzer und einem Säurebildner aufgebracht wird, daß die Lackschicht - zur Freisetzung einer starken Säure aus dem Säurebildner im Oberflächenbereich der Schicht - flutbelichtet wird, und daß thermisch gehärtet wird.

    摘要翻译： 用于二层O 2 / RIE系统的底部抗蚀剂满足了由这种类型的抗蚀剂制成的所有要求，如果它是通过在基材上施加包含含有芳族化合物的基础聚合物的清漆层，交联剂和酸成形剂 通过均匀地暴露清漆层，以便从层的表面区域中的酸成分释放强酸，并通过热固化。