公开(公告)号：EP3076438A4

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：EP14864199

申请日：2014-11-19

申请人： TDK CORP

发明人： SASAKI TOMOYUKI ,  OIKAWA TOHRU

IPC分类号： G11C11/16 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L29/66984 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

公开(公告)号：EP3073532A4

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：EP14864839

申请日：2014-11-14

申请人： TDK CORP

发明人： SASAKI TOMOYUKI ,  OIKAWA TOHRU ,  KOIKE HAYATO

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02

摘要： Spin-transport elements using semiconductors have had the problem of higher element resistance than conventional GMR elements and TMR elements, making it difficult to obtain high magnetoresistance ratios. A magnetoresistive element including a semiconductor channel layer (3); a first ferromagnetic layer (12A) disposed on the semiconductor channel layer (3); a second ferromagnetic layer (12B) disposed away from the first ferromagnetic layer (12A); and a non-magnetic first reference electrode (20) disposed away from the first ferromagnetic layer (12A) and the second ferromagnetic layer (12B), wherein current is input from the second ferromagnetic layer (12B) to the first ferromagnetic layer (12A) through the semiconductor channel layer (3), a voltage between the second ferromagnetic layer (12B) and the first reference electrode (20) is output.

摘要翻译： 使用半导体的自旋传输元件存在比传统GMR元件和TMR元件更高的元件电阻的问题，使得难以获得高磁阻比。 一种包括半导体沟道层（3）的磁阻元件; 设置在所述半导体沟道层（3）上的第一铁磁层（12A）; 第二铁磁层（12B），其远离第一铁磁层（12A）设置; 以及远离第一铁磁层（12A）和第二铁磁层（12B）设置的非磁性第一参考电极（20），其中电流从第二铁磁层（12B）输入到第一铁磁层（12A） 通过半导体沟道层（3）输出第二铁磁层（12B）和第一参考电极（20）之间的电压。