摘要:
A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a Tg of greater than 300° C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.
摘要:
Procédé de préparation de 3- ou 4-aminobenzocyclobutène, consistant à aminer un réactif de 3- ou 4-halo- ou sulfonyloxybenzocyclobutène avec un agent d'amination en le chauffant à une température comprise entre 80 °C et une température à laquelle la dimérisation ou l'oligomérisation d'un réactif ou produit de benzocyclobutène est une réaction seondaire significative, en présence d'un catalyseur contenant une quantité catalytique de cuivre élémentaire ou d'un composé de cuivre, pendant une durée de temps suffisante pour aminer le réactif de halo- ou sulfonyloxybenzocyclobutène. Un autre aspect de l'invention se rapporte à un procédé de production de 3- ou 4-phtalimido- ou maléimidobenzocyclobutène, consistant à faire réagir un réactif de 3- ou 4-halobenzocyclobutène avec un composé de phtalimide ou maléimide en présence d'un catalyseur contenant une quantité catalytique de cuivre élémentaire ou d'un composé de cuivre. Le phtalimido- ou maléimidobenzocyclobutène résultant peut être hydrolysé de manière à obtenir du 3- ou 4- aminobenzocyclobutène.