公开(公告)号：EP0467944A1

公开(公告)日：1992-01-29

申请号：EP90906309.0

申请日：1990-04-11

申请人： The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and

发明人： CANHAM, Leigh, Trevor ,  BARRACLOUGH, Keith, Gordon ,  DYBALL, Mark, Roy

IPC分类号： H01L21 ,  H01L33

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/155 ,  Y10S438/918

摘要： PCT No. PCT/GB90/00553 Sec. 371 Date Nov. 6, 1991 Sec. 102(e) Date Nov. 6, 1991 PCT Filed Apr. 11, 1990 PCT Pub. No. WO90/13138 PCT Pub. Date Nov. 1, 1990.The invention provides a method of producing silicon with about 100% substitutionality of very high concentrations of carbon up to about 1021 cm-3, which has good quality recrystallized layers containing low levels of residual damage, and which avoids precipitation of mobile carbon. This method, compatible with current state-of-the-art VLSI silicon technology, comprises the sequential steps of: implanting a silicon wafer with carbon ions, and two step annealing of the implanted silicon wafer.

公开(公告)号：EP0368854A1

公开(公告)日：1990-05-23

申请号：EP88903330.0

申请日：1988-04-25

申请人： THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOVERNMENT OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAIN AND

发明人： BARRACLOUGH, Keith, Gordon ,  ROBBINS, David, John ,  CANHAM, Leigh, Trevor

IPC分类号： H01L21 ,  H01L27 ,  H01L33

CPC分类号： H01L33/343 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/34 ,  H01L33/648 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  Y10S428/917 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00

摘要： Dispositif électroluminescent en silicium comprenant une diode (10) émettant de la lumière. La diode (10) comprend un contact (42) semi-conducteur p+, et une couche n- (32), réalisant une jonction pn (43) entre ceux-ci. La couche n- (32) est dopée au carbone et irradiée au moyen d'un faisceau d'électrons dont les électrons ont une énergie située entre 150 et 400 keV, afin de former des centres G. La diode (10) est électroluminescente lorsqu'elle est polarisée vers l'avant, la recombinaison rayonnante ayant lieu au niveau des centres G. L'invention permet de concilier les conditions contradictoires de la création de centres imparfaits luminescents par radiation, sans endommager les propriétés électroniques. Le dispositif peut être une diode (200) intégrée émettant de la lumière, incorporée dans un microcircuit CMOS (MOS complémentaire). Une sortie de photons provenant de la diode (200) peut être relayée à d'autres parties d'un microcircuit CMOS par un guide d'ondes intégré (224).

摘要翻译： PCT No.PCT / GB88 / 00319 Sec。 371日期：1989年11月6日 102（e）日期1989年11月6日PCT提交1988年4月25日PCT公布。 出版物WO88 / 09060 日期：1988年11月17日。电致发光硅器件包括发光二极管（10）。 二极管（10）包括在其间形成p-n结（43）的p +半导体接触（42）和n-层（32）。 n层（32）是碳掺杂的，并且用能量在150和400keV之间的电子的电子束照射以形成G中心。 当前向偏置时，二极管（10）是电致发光，在G中心发生辐射复合。 本发明通过照射来协调产生发光缺陷中心的矛盾要求，同时避免损害电子特性。 该器件可以是并入CMOS微电路中的集成发光二极管（200）。 来自二极管（200）的光子输出可以通过集成波导（224）中继到CMOS微电路的其它部分。