-
公开(公告)号：EP1003021A2
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：EP99120333.2
申请日：1999-10-12
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L19/142 , G01L19/146 , G01L19/147
摘要： Ein Halbleiterbauelement (1) weist einen Drucksensor und einen Halbleiterchip (2) mit einer Halbleiter-Struktur (3) für wenigstens eine zusätzliche Funktion des Halbleiterbauelements (1) auf. Der Halbleiterchip (2) ist mittels einer elastischen Trägeranordnung (4) mit einem Gehäuse (5) verbunden und gegen die Rückstellkraft des Werkstoffs der Trägeranordnung (4) insgesamt relativ zu dem Gehäuse (5) auslenkbar. Zur indirekten Messung eines auf den Halbleiterchip (2) einwirkenden, eine Auslenkung des Halbleiterchips (2) bewirkenden Drucks ist wenigstens ein mit dem Halbleiterchip (2) zusammenwirkender Lagesensor gebildet.
摘要翻译： 一种半导体装置（1）包括压力传感器和半导体芯片（2）与一个半导体结构（3）的半导体元件（1）的至少一个附加功能。 半导体芯片（2）由弹性载体装置的装置连接到壳体（4）（5）和防止相对于总的载体装置（4）的材料与所述壳体（5）挠曲的恢复力。 半导体芯片（2）的偏转施加到半导体芯片（2）的间接测量，实现压力的至少一个以（2）相配合的位置传感器的形成在半导体芯片。
-
公开(公告)号：EP0992886A2
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：EP99113742.3
申请日：1999-07-14
发明人： Vierthaler, Matthias
CPC分类号： G01R19/02 , G01R19/2509
摘要： Die Erfindung beschreibt zwei alternative Verfahren und zugehörige Vorrichtungen zum Erzeugen eines Energiesignals y n , dessen Amplitudenwerte die Energie eines elektrischen Signals s n repräsentieren. Ein erstes Verfahren und die zugehörige Vorrichtung berechnen das Energiesignal y n nach der Gleichung y n = tau·s n 2 2·y n-1 +(1- tau 2 )·y n-1 , während ein zweites Verfahren und die zugehörige Vorrichtung auf der Gleichung y n = y n-1 + tau 2y n-1 (s n 2 -y n-1 2 ) basieren, wobei tau einen vorgegebenen Parameter, und n den Taktschritt repräsentiert.
摘要翻译： 本发明描述了YN两个替代的方法和用于产生具有振幅的值代表的电气信号SN的能量的能量信号相关联的装置。 第一种方法和相关的装置，根据等式y N =计算能量信号YN（（TAU·s的<2> N）/（2·Y N-1））+（1 - （（TAU）/（2）））· 炔-1-，而在方程炔= YN-1 +（（TAU）/（2YN-1））（S <2> ny的<2> N-1）的基础，其中的tau一个的第二方法和相关联的设备 预定的参数，n表示起搏速率。
-
3.发明公开Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit einem an einem Ende strukturierten Hohlraum 失效在腔的端部的制造具有结构化的装置的方法
公开(公告)号：EP0874251A3
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：EP98106632.7
申请日：1998-04-09
CPC分类号： G02B6/3692 , B81C1/00047 , G02B6/3644 , G02B6/3652 , G02B6/3803 , G02B6/3806
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit einem an einem Ende strukturierten Hohlraum 7. In einem Körper wird eine Vertiefung 4 ausgebildet, eine Maskierschicht 5 wird auf die Oberfläche des Körpers und die Vertiefung 4 aufgebracht, wobei die Maskierschicht 5 eine niedrigere Ätzrate als der Körper aufweist und in der Maskierschicht 5 in der Nähe der Vertiefung 4 eine Öffnung 6 ausgebildet wird. Ausgehend von der Öffnung 6 wird der Körper einem isotropen Ätzverfahren unterzogen, bei dem unterhalb der Maskierschicht 5 der Hohlraum 7 erzeugt wird, wobei die Maskierschicht 5 im wesentlichen erhalten bleibt und im Bereich der Vertiefung 4 eine in den Hohlraum 7 hineinragende Struktur 10 bildet.
-
公开(公告)号：EP0820593B1
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：EP96911977.5
申请日：1996-03-30
发明人： WOLF, Bernhard , EHRET, Ralf , SIEBEN, Ulrich , BAUMANN, Werner
IPC分类号： G01N33/543 , G01N27/414 , G01N27/327
CPC分类号： G01N33/54373 , G01N27/3276 , G01N27/4145
摘要： The invention concerns a measurement device (1) for measuring or investigating physiological parameters using biological cells or chemical and biologically active substances contained in an analyte (2). The measurement device comprises a sensor (4) with an electronic measurement structure (6) located on a substrate (5). Function-specific receptor- and/or target cells (7) form part of the sensor (4) and are in direct contact with the measurement structure (6). The medium under investigation can be brought into contact with the target or receptor cells (7). The measurement device (1) is especially compact in its design and facilitates largely feedback-free investigation of biological or chemical components contained in the analyte.
-
5.发明公开Verfahren und Vorrichtung zur Funktionsüberwachung eines Sensorbausteins 有权传奇宝贝，Verfahren und Vorrichtung zurFunktionsüberwachung
公开(公告)号：EP0962748A1
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：EP99106806.5
申请日：1999-04-06
CPC分类号： G01R31/2829 , G01D3/08 , G01P21/02
摘要： Ein Sensorbaustein (1) ist als monolithisch integrierte Schaltung (IC) ausgebildet und weist einen Sensor (2) sowie zumindest einen Meßverstärker (3) auf, wobei der Sensorbaustein Außenanschlüsse zumindest zur Stromversorgung und für das Ausgangsmeßsignal hat. In dem Sensorbaustein eine Auswerteschaltung (6) vorgesehen, die an wenigstens eine interne Meßstelle der Schaltung angeschlossen ist. Die Auswerteschaltung (6) ist mit einem Modulator (10) zur Modulation des Versorgungsstroms und/oder der Versorgungsspannung und/oder des Ausgangsmeßsignals verbunden zur Ausgabe eines aus einem internen Schaltungsmeßwert gebildeten Diagnosesignales über die vorhandenen Außenanschlüsse des Sensorbausteins.
摘要翻译： 监视方法涉及单片传感器IC（1），其中可提供内部电路测量值作为叠加在作为诊断值（17a）输出的电源电压或电流或输出测量值（16）上的调制信号。 内部电路测量值作为模拟或数字调制输出，输出测量值作为数字值输出，内部电路测量值作为数字调制输出，输出测量值作为模拟值输出 。 单片IC传感器包含独立声明。
-
6.发明授权Verfahren zur globalen Planarisierung von Oberflächen integrierter Halbleiterchaltungen 失效一种集成Halbleiterchaltungen表面的全球平坦化工艺
公开(公告)号：EP0599074B1
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：EP93117463.5
申请日：1993-10-28
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31055 , H01L21/31053 , H01L21/76819
-
公开(公告)号：EP0899789A1
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：EP98114959.4
申请日：1998-08-08
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Überspannungsschutzelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Überspannungsschutzelements. Auf einem Substrat 1 sind eine erste Elektrodenschicht 2 und eine zweite Elektrodenschicht 3 übereinander aufgebracht und weisen zueinander ein Abstand d auf, der durch die Dicke einer Abstandsschicht 4 bestimmt ist. Die Abstandsschicht 4 weist eine Durchbrechung 5 auf, die zwischen den Elektrodenschichten 2, 3 einen Hohlraum 6 bildet.
摘要翻译： 保护元件具有基板（1），在其上方具有第一电极层（2）和第二电极层（3），并且距离其距离（d）由隔离层（4）的厚度限定， 通孔（5）在电极层之间形成充气中空室（6）。 电极包含具有非常低的逃逸能量的电子发射材料。
-
公开(公告)号：EP0890831A2
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：EP98112268.2
申请日：1998-07-02
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/0075
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kondensatoranordnung mit zwei Substratscheiben 1, auf deren Oberfläche je eine Kondesatorelektrode 3 aufgebracht ist, wobei die Substratscheiben 1 durch sich beidseitig der Kondensatorelektroden 3 befindenden Bump-Strukturen miteinander derart verbunden sind, daß die Kondensatorelektroden 3 einander gegenüberliegen und einen Kondensator bilden, wobei der Abstand der Kondensatorelektroden 3 durch die Bump-Strukturen definiert ist und auf einer Substratscheibe 1 Meßanschlüsse 5 zur Kapazitätsmessung angeordnet sind.
摘要翻译： 电容器具有两个基板盘（1）。 在每个盘的表面上施加电容器电极（3）。 衬底盘通过位于电容器电极两侧的凸起结构彼此连接，使得电极彼此相对并形成电容器。 电容器电极的间隔（d）仅由凸起结构的高度确定。 测量连接（5）布置在基板盘上，以测量电容。 凸起结构由两个焊接在一起的凸起元件（4）组成，其布置在基板盘的相对侧上。 衬底盘可以由玻璃或半导体材料，特别是硅制成。
-
9.发明公开Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit einem an einem Ende strukturierten Hohlraum 失效在端部腔的制造具有结构化的装置的用于接收的光波导的方法
公开(公告)号：EP0874251A2
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：EP98106632.7
申请日：1998-04-09
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/3692 , B81C1/00047 , G02B6/3644 , G02B6/3652 , G02B6/3803 , G02B6/3806
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit einem an einem Ende strukturierten Hohlraum 7. In einem Körper wird eine Vertiefung 4 ausgebildet, eine Maskierschicht 5 wird auf die Oberfläche des Körpers und die Vertiefung 4 aufgebracht, wobei die Maskierschicht 5 eine niedrigere Ätzrate als der Körper aufweist und in der Maskierschicht 5 in der Nähe der Vertiefung 4 eine Öffnung 6 ausgebildet wird. Ausgehend von der Öffnung 6 wird der Körper einem isotropen Ätzverfahren unterzogen, bei dem unterhalb der Maskierschicht 5 der Hohlraum 7 erzeugt wird, wobei die Maskierschicht 5 im wesentlichen erhalten bleibt und im Bereich der Vertiefung 4 eine in den Hohlraum 7 hineinragende Struktur 10 bildet.
摘要翻译： 该方法包括形成一个凹部（4）的主体的掩蔽层的应用程序之前，所述表面（5）所有被提供有在开口（6）相邻的凹部，或在凹部的任一侧上的一对开口。 中空空间形成通过开口掩模层之下，使用中空的，以各向同性蚀刻工艺，以在该空间的端部在该凹部的区域形成的结构。
-
10.发明公开Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung 失效Verfahren zum Herstellen eines Senses mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung
公开(公告)号：EP0841561A2
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：EP97117232.5
申请日：1997-10-06
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/414
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung. Während des MOS-Prozesses wird ein Sensorbereich 7 für den Sensor mit einer Struktur für die Metallelektrode 13 erzeugt, wobei die Struktur aus einem Material mit vorbestimmten Hafteigenschaften für Metalle besteht, der Sensorbereich 7 durch Ätzen der Passivierungsschicht 12 freigelegt wird, und eine Metallisierung der Oberfäche der MOS-Anordnung vorgenommen wird, bei der die Metallschicht nur auf der Struktur für die Metallelektrode 13 haften bleibt.
摘要翻译： 在MOS结构中制造具有金属电极的传感器的方法包括：（a）通过常规MOS工艺直到钝化层形成步骤来产生MOS结构，该方法包括制造具有结构的传感器区域（7） 的具有预定粘附力的材料用于电极（13）的金属; （b）通过蚀刻钝化层（12）和传感器区域（7）和钝化层（12）之间的任何层来暴露传感器区域（7）; 和（c）金属化MOS结构表面，仅在为金属电极（13）提供的结构上附着的金属层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
69 条记录 (耗时 0.014 秒)
