公开(公告)号：EP2939261B1

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：EP13868669.6

申请日：2013-12-30

申请人： FEI Company

发明人： LEE, Sang Hoon ,  BLACKWOOD, Jeffrey ,  STONE, Stacey

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/2605 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

公开(公告)号：EP2544240A4

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：EP11750724

申请日：2011-03-02

申请人： ADVANCED POWER DEVICE RES ASS ,  UNIV TOHOKU

发明人： KAMBAYASHI HIROSHI ,  UENO KATSUNORI ,  NOMURA TAKEHIKO ,  SATO YOSHIHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  OHMI TADAHIRO

IPC分类号： H01L29/51 ,  C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： The semiconductor transistor according the present invention includes an active layer composed of a GaN-based semiconductor and a gate insulating film formed on the active layer. The gate insulating film has a first insulating film including one or more compounds selected from the group consisting of Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , La 2 O 3 , and Y 2 O 3 formed on the active layer, and a second insulating film composed of SiO 2 formed on the first insulating film.

摘要翻译： 根据本发明的半导体晶体管包括由有源层形成的GaN基半导体和栅极绝缘膜构成的有源层。 所述栅极绝缘膜具有包含一种或多种选自Al 2 O 3，HfO 2，ZrO 2，La 2 O 3和Y 2 O 3的化合物的第一绝缘膜，所述Al 2 O 3，HfO 2，ZrO 2， 在第一绝缘膜上形成的由SiO 2构成的绝缘膜。

公开(公告)号：EP2544240A1

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：EP11750724.4

申请日：2011-03-02

申请人： Advanced Power Device Research Association ,  Tohoku University

发明人： KAMBAYASHI Hiroshi ,  UENO Katsunori ,  NOMURA Takehiko ,  SATO Yoshihiro ,  TERAMOTO Akinobu ,  OHMI Tadahiro

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： The semiconductor transistor according the present invention includes an active layer composed of a GaN-based semiconductor and a gate insulating film formed on the active layer. The gate insulating film has a first insulating film including one or more compounds selected from the group consisting of Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , La 2 O 3 , and Y 2 O 3 formed on the active layer, and a second insulating film composed of SiO 2 formed on the first insulating film.

摘要翻译： 根据本发明的半导体晶体管包括由GaN基半导体构成的有源层和形成在有源层上的栅极绝缘膜。 所述栅极绝缘膜具有第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜包括在所述有源层上形成的选自由Al 2 O 3，HfO 2，ZrO 2，La 2 O 3和Y 2 O 3组成的组中的一种或多种化合物，所述第二绝缘膜形成在所述第一绝缘膜上 。

公开(公告)号：EP1383163B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：EP03253968.6

申请日：2003-06-24

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Lee, Joo-won ,  Chu, Kang-soo ,  Park, Jae-eun ,  Yang, Jong-ho

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3141

公开(公告)号：EP0136421A2

公开(公告)日：1985-04-10

申请号：EP84108095.5

申请日：1984-07-11

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Hiraoka, Hiroyuki

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/36

CPC分类号： H01L21/02126 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/167 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121

摘要： A monomer vapour is pattern-wise exposed to a beam of ions (eg protons) to cause a pattern-exposed polymer film to be deposited on a substrate. If the exposed polymer film is resistant to oxygen plasma, surface portions of the substrate not protected by the deposited pattern-exposed polymer film can be dry etched with oxygen plasma. The substrate can be a silicon wafer. The pattern-exposed polymer film can be deposited on a resist film.

摘要翻译： 单体蒸汽以图案方式暴露于离子束（例如质子），以使图案暴露的聚合物膜沉积在基底上。 如果暴露的聚合物膜对氧等离子体具有耐受性，则可以用氧等离子体干燥蚀刻不被沉积的图案暴露的聚合物膜保护的衬底的表面部分。 衬底可以是硅晶片。 图案曝光的聚合物膜可以沉积在抗蚀剂膜上。

公开(公告)号：EP2544240B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：EP11750724.4

申请日：2011-03-02

申请人： Fuji Electric Co., Ltd. ,  Tohoku University

发明人： KAMBAYASHI Hiroshi ,  UENO Katsunori ,  NOMURA Takehiko ,  SATO Yoshihiro ,  TERAMOTO Akinobu ,  OHMI Tadahiro

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： The semiconductor transistor according the present invention includes an active layer composed of a GaN-based semiconductor and a gate insulating film formed on the active layer. The gate insulating film has a first insulating film including one or more compounds selected from the group consisting of Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , La 2 O 3 , and Y 2 O 3 formed on the active layer, and a second insulating film composed of SiO 2 formed on the first insulating film.

公开(公告)号：EP2939261A1

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：EP13868669.6

申请日：2013-12-30

申请人： FEI Company

发明人： LEE, Sang Hoon ,  BLACKWOOD, Jeffrey ,  STONE, Stacey

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/2605 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： A method is provided, along with a corresponding apparatus, for filling a high aspect ratio hole without voids or for producing high aspect ratio structures without voids. A beam having a diameter smaller than the diameter of the hole is directed into the hole to induced deposition beginning in the center region of the hole bottom. After an elongated structure is formed in the hole by the beam-induced deposition, a beam can then be scanned in a pattern at least as large as the hole diameter to fill the remainder of the hole. The high aspect ratio hole can then be cross-sectioned using an ion beam for observation without creating artefacts. When electron-beam-induced deposition is used, the electrons preferably have a high energy to reach the bottom of the hole, and the beam has a low current, to reduce spurious deposition by beam tails.

公开(公告)号：EP2036120A4

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：EP07784191

申请日：2007-05-29

申请人： APPLIED MATERIALS INC

发明人： CHEN XIAOLIN ,  NEMANI SRINIVAS D ,  VENKATARAMAN SHANKAR

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/66 ,  H01L21/762

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1962337A3

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP08101901.0

申请日：2008-02-22

申请人： Commissariat à l'Energie Atomique

发明人： ZENASNI, Aziz

IPC分类号： H01L21/316 ,  C08J9/26

CPC分类号： H01L21/31695 ,  B05D1/60 ,  B05D3/065 ,  B05D3/14 ,  C23C16/401 ,  C23C16/482 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/3122

摘要： L'invention a trait à un procédé de fabrication d'un matériau diélectrique à porosité orientée sur un substrat comprenant :
a)le dépôt en phase vapeur sur un substrat d'une couche composite, comprenant un matériau formant une matrice et un composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique ;
b)le traitement de la couche composite pour obtenir la réticulation du matériau formant une matrice ;

ledit procédé comprenant, en outre, une étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche composite à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique, ladite étape c) étant réalisée simultanément à l'étape a), lorsque l'on soumet ladite couche à un rayonnement photonique ou étant réalisée avant et/ou simultanément à l'étape b), lorsque l'on soumet ladite couche à un champ électromagnétique, sachant que le champ électromagnétique est appliqué au contact du substrat, cette étape c) étant réalisée de sorte à aligner selon une direction prédéterminée les groupes chimiques mentionnées à l'étape a).
Application au domaine de la microélectronique, aux membranes séparatrices, aux membranes de diffusion, aux détecteurs moléculaires, aux matériaux optiques, aux masques polymères.

公开(公告)号：EP0231262A1

公开(公告)日：1987-08-12

申请号：EP86904610.0

申请日：1986-06-27

申请人： Hughes Aircraft Company

发明人： HALL, James, T. ,  PETERS, John, W.

IPC分类号： C23C16 ,  H01L21

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/48 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/31612

摘要： Procédé amélioré destiné à déposer une couche d'oxyde sur un substrat en exposant ledit substrat à un agent réactif en phase vapeur sélectionné et à un précurseur contenant de l'oxygène comprenant de l'oxyde azoté mélangé avec de l'oxygène moléculaire selon une proportion prédéterminée, en présence d'un rayonnement d'une longueur d'onde choisie. Le rayonnement provoque la dissociation directe du précurseur comprenant de l'oxygène afin de former des atomes d'oxygène neutres qui réagissent avec l'agent réactif en phase vapeur et forment l'oxyde qui se dépose en couches sur le substrat. La vitesse de réaction pour former et déposer la couche d'oxyde est améliorée en mélangeant l'oxygène moléculaire avec de l'oxyde azoté dans le précurseur.