SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND ELECTRONIC DEVICE
    1.
    发明公开
    SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    OBERFLÄCHENSCHALLWELLENRESONATORUNDOBERFLÄCHENSCHALLWELLENOSZILLATORSOWIE ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG

    公开(公告)号:EP2403141A1

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:EP10746022.2

    申请日:2010-02-26

    IPC分类号: H03H9/145 H03B5/30 H03H9/25

    摘要: [Problem] To provide a surface acoustic wave resonator which can realize good frequency-temperature characteristics.
    [Means for Resolution] An SAW resonator for solving the heretofore described problem is a SAW resonator 10 which, using a quartz substrate 30 with Euler angles (-1.5° ≤ φ ≤ 1.5°, 117° ≤ θ ≤ 142°, and 42.79° ≤ |ψ| ≤ 49.57°), includes an IDT 12 which excites a stop band upper end mode SAW, and grooves 32 hollowed out of the substrate positioned between electrode fingers 18 configuring the IDT 12, wherein, when the wavelength of the SAW is λ and the depth of the inter-electrode finger grooves 32 is G, λ and G satisfy the relationship of 0.01 ⁢ λ ≦ G and wherein, when the line occupation rate of the IDT 12 is η, the groove 32 depth G and line occupation rate η satisfy the relationships of - 2.0000 × G / λ + 0.7200 ≦ η ≦ - 2.5000 × G / λ + 0.7775 provided that 0.0100 ⁢ λ ≦ G ≦ 0.0500 ⁢ λ - 3.5898 × G / λ + 0.7995 ≦ η ≦ - 2.5000 × G / λ + 0.7775 provided that 0.0500 ⁢ λ G ≦ 0.0695 ⁢ λ .

    摘要翻译: 提供能够实现良好的频率 - 温度特性的声表面波谐振器。 解决方案用于解决上述问题的SAW谐振器是SAW谐振器10,其使用具有欧拉角(-1.5°‰¤‰¤1.5°,117°‰¤‰¤142°)的石英基板30 ,42.79°‰|È|‰¤49.57°)包括一个激励阻带上端模式SAW的IDT 12和位于构成IDT 12的电极指18之间的基板中空的凹槽32,其中,当 SAW的波长为»,电极指槽32的深度为G,»和G满足0.01 ¢»‰| G的关系,其中,当IDT12的线占有率为·时, 凹槽32深度G和线占有率·满足-20000×G /»+ 0.7200‰|·‰| - 2.5000×G /»+ 0.7775的关系,条件是0.0100 ¢‰| G‰| 0.0500 ¢» - 3.5898×G /»+ 0.7995‰|·‰| - 2.5000×G /»+ 0.7775,条件是0.0500 ¢»

    ACOUSTIC WAVE DEVICE
    2.
    发明公开
    ACOUSTIC WAVE DEVICE 失效
    利用声波的设备。

    公开(公告)号:EP0029065A1

    公开(公告)日:1981-05-27

    申请号:EP80901162.0

    申请日:1980-05-21

    IPC分类号: H03H9 H03H3

    摘要: Un dispositif d'ondes acoustiques en surface (SAW) comprend un substrat de cristal (10) ayant deux surfaces sensiblement planes (12, 14) et au moins un coupleur (18) fonctionnant suivant le mode (SAW-a-plaque) positionne sur l'une des surfaces. Le coupleurs AW-a-plaque (18) comprend une pluralite de perturbations superficielles lineaires, paralleles. Les perturbations de surface sont adaptees pour convertir une partie d'une onde acoustique en surface (SAW) incidente en une onde acoustique de masse (BAW). De plus, le coupleur est adapte pour convertir une partie d'une onde acoustique de masse (BAW) incidente (provenant de la region de la masse de cristal) en une onde acoustique en surface (SAW) a ces perturbations de surface. De plus, les surfaces planes du substrat de cristal sont adaptees pour reflechir des parties d'ondes acoustiques de masse (BAW) incidentes. Le coupleur (18) est positionne en fonction des caracteristiques du cristal de sorte que les SAW et les BAW agissent entre elles de maniere resonnante au niveau du coupleur. Dans des configurations alternatives, un second coupleur du mode SAW-a-plaque (30) est positionne sur la seconde surface du substrat de cristal. Ce second coupleur de surface est aussi adapte pour convertir une partie d'une SAW incidente en une onde acoustique de masse (BAW) a une pluralite de perturbations de surface paralleles, et de convertir une partie d'une BAW incidente en une SAW a ces perturbations. Les coupleurs sont positionnes en fonction des caracteristiques du cristal de sorte que les BAW et les SAW reagissent entre elles de maniere resonnante aux coupleurs.

    Surface acoustic wave filter device
    3.
    发明公开
    Surface acoustic wave filter device 失效
    一种表面声波滤波器装置。

    公开(公告)号:EP0023109A1

    公开(公告)日:1981-01-28

    申请号:EP80302324.1

    申请日:1980-07-09

    申请人: FUJITSU LIMITED

    IPC分类号: H03H9/64

    摘要: A surface acoustic wave filter device which comprises a filter chip provided with an input transducer (2) and an output transducer (3) each composed of a pair of interdigital electrodes formed on a piezo-electric substrate (1) is accommodated in a casing (19) which has a plurality of externally-extending signal input and output terminals (18). A high-frequency voltage can be applied to the input transducer through the input terminals (18a, 18b) and electric outputs of the output transducer can be fed to a balanced differential amplifier through the output terminals (18c, 18d).
    An electrostatic coupling means (30,31,32) is provided to forcibly couple at least one of a pair of the input terminals to at least one of a pair of the output terminals to equalize the levels of signals which are induced on the output terminals and which are not produced by acoustic surface waves.

    Dispositif de démodulation de signaux modulés par déplacement de fréquence
    4.
    发明公开
    Dispositif de démodulation de signaux modulés par déplacement de fréquence 失效
    装置,用于频移键控信号的解调。

    公开(公告)号:EP0007276A1

    公开(公告)日:1980-01-23

    申请号:EP79400481.2

    申请日:1979-07-10

    申请人: THOMSON-CSF

    发明人: Laurent, Pierre

    IPC分类号: H04L27/14 H03H9/64

    摘要: La présente invention concerne les dispositifs de démodulation de signaux modulés par déplacement de fréquence.
    Un dispositif de démodulation comporte un filtre à ondes de surface ayant deux transducteurs d'entrée alimentés en parallèle par les signaux modulés et séparés par une distance donnée, et un transducteur de sortie composé d'électrodes e, à en+1 et é t à e'n+ 1 . Les signaux délivrés par les électrodes é 1 à e'n+1 sont appliqués aux entrées d'un sommateur algébrique 7, à travers des commutateurs 1, à In+commandés par des signaux logiques T 1 à Tn+1. La sortie du sommateur est reliée à la sortie du dispositif de démodulation à travers un dispositif à seuil 8; la programmation des signaux T, à Tn+1 permet de réaliser un filtre adapté aux signaux à démoduler. Application aux systèmes de transmission d'informations numériques. Figure 3

    SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND ELECTRONIC DEVICE

    公开(公告)号:EP2403141B1

    公开(公告)日:2018-10-24

    申请号:EP10746022.2

    申请日:2010-02-26

    摘要: [Problem] To provide a surface acoustic wave resonator which can realize good frequency-temperature characteristics. [Means for Resolution] An SAW resonator for solving the heretofore described problem is a SAW resonator 10 which, using a quartz substrate 30 with Euler angles (-1.5° ‰¤ Æ ‰¤ 1.5°, 117° ‰¤ ¸ ‰¤ 142°, and 42.79° ‰¤ |È| ‰¤ 49.57°), includes an IDT 12 which excites a stop band upper end mode SAW, and grooves 32 hollowed out of the substrate positioned between electrode fingers 18 configuring the IDT 12, wherein, when the wavelength of the SAW is » and the depth of the inter-electrode finger grooves 32 is G, » and G satisfy the relationship of 0.01 �¢ » ‰¦ G and wherein, when the line occupation rate of the IDT 12 is ·, the groove 32 depth G and line occupation rate · satisfy the relationships of - 2.0000 × G / » + 0.7200 ‰¦ · ‰¦ - 2.5000 × G / » + 0.7775 provided that 0.0100 �¢ » ‰¦ G ‰¦ 0.0500 �¢ » - 3.5898 × G / » + 0.7995 ‰¦ · ‰¦ - 2.5000 × G / » + 0.7775 provided that 0.0500 �¢ »

    SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND ELECTRONIC DEVICE
    6.
    发明公开
    SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    表面声波和表面声波振荡器和电子设备

    公开(公告)号:EP2403141A4

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:EP10746022

    申请日:2010-02-26

    申请人: SEIKO EPSON CORP

    发明人: YAMANAKA KUNIHITO

    摘要: [Problem] To provide a surface acoustic wave resonator which can realize good frequency-temperature characteristics. [Means for Resolution] An SAW resonator for solving the heretofore described problem is a SAW resonator 10 which, using a quartz substrate 30 with Euler angles (-1.5° ‰¤ Æ ‰¤ 1.5°, 117° ‰¤ ¸ ‰¤ 142°, and 42.79° ‰¤ |È| ‰¤ 49.57°), includes an IDT 12 which excites a stop band upper end mode SAW, and grooves 32 hollowed out of the substrate positioned between electrode fingers 18 configuring the IDT 12, wherein, when the wavelength of the SAW is » and the depth of the inter-electrode finger grooves 32 is G, » and G satisfy the relationship of 0.01 �¢ » ‰¦ G and wherein, when the line occupation rate of the IDT 12 is ·, the groove 32 depth G and line occupation rate · satisfy the relationships of - 2.0000 × G / » + 0.7200 ‰¦ · ‰¦ - 2.5000 × G / » + 0.7775 provided that 0.0100 �¢ » ‰¦ G ‰¦ 0.0500 �¢ » - 3.5898 × G / » + 0.7995 ‰¦ · ‰¦ - 2.5000 × G / » + 0.7775 provided that 0.0500 �¢ »