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    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN CIRCUIT MÉMOIRE
    2.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN CIRCUIT MÉMOIRE 审中-实审

    公开(公告)号：EP4429436A1

    公开(公告)日：2024-09-11

    申请号：EP24160152.5

    申请日：2024-02-28

    申请人： STMicroelectronics International N.V.

    发明人： BERTHELON, Remy ,  WEBER, Olivier

    IPC分类号： H10B63/00

    CPC分类号： H10B63/32 ,  H01L21/8249 ,  H10B63/10 ,  H10N70/231 ,  H10N70/826 ,  H10N70/8828 ,  H10N70/8413 ,  H01L27/0623 ,  H10B63/80

    摘要： La présente description concerne un procédé comprenant la formation simultanée d'un premier transistor dans et sur une première région d'un substrat, d'un deuxième transistor dans et sur une deuxième région du substrat, d'un troisième transistor dans et sur une troisième région du substrat et d'une cellule mémoire dans et sur une quatrième région du substrat,
    le procédé comprenant, les étapes successives suivantes :
    b) formation d'un premier empilement sur la première région, d'un deuxième empilement sur la deuxième région, d'un troisième empilement sur la troisième région et d'un quatrième empilement en vis-à-vis de la quatrième région ;
    c) graver simultanément une partie du troisième empilement et le quatrième empilement, les premier et deuxième empilements étant protégés par un premier masque ; et
    f) graver simultanément le premier et le deuxième empilement, le troisième empilement et la quatrième région du substrat étant protégés par un deuxième masque.

    PHASE CHANGE MEMORY UNIT AND PHASE CHANGE MEMORY
    3.
    发明公开
    PHASE CHANGE MEMORY UNIT AND PHASE CHANGE MEMORY 审中-实审

    公开(公告)号：EP4391016A1

    公开(公告)日：2024-06-26

    申请号：EP22866768.9

    申请日：2022-09-09

    申请人： Huawei Technologies Co., Ltd.

    发明人： LI, Xiang ,  GUO, Yanrong ,  CHEN, Xin ,  MA, Ping ,  TONG, Hao

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： Y02D10/00 ,  H10N70/8828 ,  H10N70/231 ,  H10N70/826 ,  H10N70/8413 ,  H10B63/24 ,  H10B63/10

    摘要： This application provides a phase change storage unit and a phase change memory. The phase change storage unit includes a first electrode, a second electrode, and a phase change material layer. The phase change material layer is located between the first electrode and the second electrode, the phase change material layer includes a parent phase change material doped with a hafnium (Hf) metal and/or a hafnium compound, and the parent phase change material is a material including at least one of elements of germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te), and bismuth (Bi). The hafnium metal and/or the hafnium compound may be used as a crystal nucleus in a crystallization process, to accelerate a crystallization process of the phase change material layer, thereby improving a SET operation speed. In addition, the doped hafnium metal and/or hafnium compound may fill a vacancy when the parent phase change material is in a crystalline state, to reduce a volume change of the phase change material layer before and after a phase change, thereby reducing generation of a void and improving cycling performance.

    COMMUTATEUR A BASE DE MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE
    8.
    发明公开
    COMMUTATEUR A BASE DE MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE 审中-实审

    公开(公告)号：EP4426093A1

    公开(公告)日：2024-09-04

    申请号：EP24160728.2

    申请日：2024-02-29

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： MERCIER, Denis ,  REIG, Bruno

    IPC分类号： H10N70/00

    CPC分类号： H10N70/8828 ,  H10N70/8413 ,  H10N70/231 ,  H10N70/823

    摘要： La présente description concerne un commutateur (100) comprenant :
    - des première, deuxième et troisième électrodes (107a, 107b, 107d) ;
    - une région (103) en un matériau à changement de phase reliant les première, deuxième et troisième électrodes ; et
    - des premier, deuxième et troisième éléments chauffants connectés entre une première face de la région en matériau à changement de phase et les première, deuxième et troisième électrodes, respectivement,
    les deuxième et troisième éléments chauffants étant destinés à modifier l'état du matériau à changement de phase dans des première et deuxième zones (113b, 113d) à l'intérieur de ladite région.