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    Procédé de synthèse d'un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procédé et leurs utilisations
    5.
    发明公开
    Procédé de synthèse d'un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procédé et leurs utilisations 有权
    用于在硅化铂的图片的合成过程中，通过该方法和它们的用途而获得的结构

    公开(公告)号：EP2589679A1

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：EP12190710.9

    申请日：2012-10-31

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Zenasni, Aziz

    IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/60 ,  C23C8/62 ,  C23C8/64 ,  C23C28/00 ,  C01B31/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

    CPC分类号： H01L21/02274 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C23C10/52 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/046 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343 ,  C23C28/345 ,  H01L29/06

    摘要： L'invention concerne un procédé permettant de synthétiser un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, ce siliciure de platine se présentant sous la forme d'une couche ou d'une pluralité de plots.
    Ce procédé comprend :
    a) la réalisation d'un empilement par (i) dépôt d'une couche C1 d'un matériau barrière de diffusion sur un substrat ; (ii) dépôt d'une couche C2 d'un matériau carboné sur la couche C1, ledit matériau carboné pouvant comprendre du silicium ; (iii) dépôt d'une couche C3 de platine sur la couche C2 ; (iv) dépôt d'une couche C4 d'un matériau de formule Si a C b H c sur la couche C3 lorsque le matériau carboné de la couche C2 est exempt de silicium ; et
    b) le traitement thermique de l'empilement obtenu à l'étape a).
    Elle se rapporte également aux structures obtenues par ce procédé ainsi qu'aux utilisations de ces structures.
    Applications : fabrication de dispositifs micro- et nanoélectroniques, de dispositifs micro-et nanoélectromécaniques, etc.

    摘要翻译： 合成上的硅化铂的石墨烯片材（15），包括通过在衬底上沉积扩散阻挡层的材料层（C1）（12）（11）的层上沉积的碳质材料构成的层（C2）形成堆叠 （C1）的层（C2）上沉积铂层（C3）（14）和任选的层（C3）上沉积材料的层（C4）和热处理该叠层，其中：所述碳质材料 包括硅; 和存在的铂原子的数目的在层（C3）存在的硅原子的在层（C2）或（C4）比率和数量是> = 2上式的硅化铂合成石墨烯片（15）（铂X的Si ）包括通过在衬底上沉积扩散阻挡层的材料层（C1）（12）形成层叠（11）的层（C1）沉积层上沉积的碳质材料构成的层（C2）（C3） （14）铂层上（C2）和任选沉积该层（C3）上具有式（硅的aC BH c）中的结构的材料的层（C4），和热处理该叠层，其中：所述碳质 包括硅树脂材料; 和存在的铂原子的数目的在层中（C3）在层（C2）的比率和存在的硅原子的数目或层（C4）是> = 2×> = 2; 一个：正数; 和b：零或正数。 一个独立的claimsoft包含用于一种结构，包括扩散阻挡材料，所述硅化铂，硅化物，其中存在于彼此间隔开的层或垫的形式的衬底，层（C1），和石墨烯片。

    Sliding part
    6.
    发明公开
    Sliding part 有权
    滑动部分

    公开(公告)号：EP1980642A1

    公开(公告)日：2008-10-15

    申请号：EP08007068.3

    申请日：2008-04-09

    申请人： HONDA MOTOR CO., LTD.

    发明人： Fujiwara, Akira c/o Honda R&D Co., Ltd. ,  Kawamura, Morinobu c/o Honda R&D Co., Ltd.

    IPC分类号： C23C8/22 ,  C23C8/28 ,  C23C8/64 ,  C23C8/72 ,  C23C10/12 ,  C23C10/30 ,  C23C10/38 ,  C23C10/52 ,  B21L9/02 ,  F16G13/07

    CPC分类号： C23C8/22 ,  C23C8/28 ,  C23C8/64 ,  C23C8/72 ,  C23C10/12 ,  C23C10/30 ,  C23C10/38 ,  C23C10/52 ,  F16G13/04 ,  Y10S384/913

    摘要： A sliding part comprises a first sliding member made of a steel, a second sliding member made of a steel, a first carbide film comprising a carbide and formed on the surface of the first sliding member, and a second carbide film comprising a carbide and formed on the surface of the second sliding member. The first sliding member and the second sliding member slide relative to each other while applying loads on each other. The carbide of the first carbide film and the carbide of the second carbide film differ from each other, and the hardness ratio of the first carbide film and the second carbide film is not more than 1.4.

    摘要翻译： 滑动部件包括由钢制成的第一滑动构件，由钢制成的第二滑动构件，形成在第一滑动构件的表面上的包含碳化物的第一碳化物膜和包含碳化物并且形成为碳化物的第二碳化物膜 在第二滑动构件的表面上。 第一滑动构件和第二滑动构件在彼此施加载荷的同时相对于彼此滑动。 第一碳化物膜的碳化物和第二碳化物膜的碳化物彼此不同，第一碳化物膜和第二碳化物膜的硬度比不大于1.4。