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    超電導線材およびその製造方法
    1.
    发明专利
    超電導線材およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020061235A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：JP2018190581

    申请日：2018-10-09

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 岩中 拓夢 ,  楠 敏明

    IPC: C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24 ,  H01B13/00 ,  H01B12/06

    Abstract: 【課題】 本発明は、20K磁場を基材に並行に印加した場合であっても、良好な臨界電流密度特性を示し、かつ剥離強度や耐食性に優れた超電導線材を提供することを目的とする。 【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明に係る超電導線材は、金属基材と、前記金属基材に形成されたMgB 2 薄膜と、前記MgB 2 薄膜の前記金属基材とは反対側の表面に設けられた保護層と、を備え、前記保護層は、Nb、Ti、Ta、W、及びMoの少なくともいずれかを含むことを特徴とする。 【選択図】 図4

    超電導薄膜線材及び超電導薄膜線材の製造方法
    3.
    发明专利
    超電導薄膜線材及び超電導薄膜線材の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021119554A

    公开(公告)日：2021-08-12

    申请号：JP2018048770

    申请日：2018-03-16

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 岩中 拓夢 ,  楠 敏明

    IPC: H01B13/00 ,  H01F6/06 ,  C01G1/00 ,  C01B35/12 ,  H01B12/06

    Abstract: 【課題】 製造装置を複雑化せず、製造プロセスの増加をせずに、20K磁場中における良好な臨界電流密度と優れた機械特性を示す超電導薄膜線材を提供する。 【解決手段】 金属基材と、その金属基材上に形成された第1のMgB 2 膜と、第1のMgB 2 膜上に形成された第2のMgB 2 膜と、を有し、第1のMgB 2 膜の平均結晶粒径は、第2のMgB 2 膜の平均結晶粒径より小さい構成とする。 【選択図】 図2

    超電導薄膜線材の製造方法、及び製造装置
    4.
    发明专利
    超電導薄膜線材の製造方法、及び製造装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019183226A

    公开(公告)日：2019-10-24

    申请号：JP2018075828

    申请日：2018-04-11

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 岩中 拓夢 ,  楠 敏明

    IPC: H01B13/00 ,  H01L39/24 ,  C23C14/34

    Abstract: 【課題】蒸気圧の大きく異なる元素からなる化合物薄膜においても結晶性を向上させ、且つ特性も向上できる超電導薄膜線材の製造方法を提供する。 【解決手段】第1物質と、第1物質より融点又は蒸気圧が高い第2物質と、から薄膜を製造する超電導薄膜線材の製造方法であって、金属基材上に反応防止膜を形成する第1工程と、第1物質を加熱蒸着又は金属基材面に平行な方向にスパッタリングする第2工程と、第2物質、又は、第1物質及び第2物質、をスパッタリングする第3工程と、を備える構成とする。 【選択図】図1

    二硼化マグネシウム超電導薄膜線材およびその製造方法
    6.
    发明专利
    二硼化マグネシウム超電導薄膜線材およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017107649A

    公开(公告)日：2017-06-15

    申请号：JP2015238429

    申请日：2015-12-07

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 楠 敏明 ,  児玉 一宗 ,  小瀧 博司

    IPC: H01B13/00 ,  C01B35/04 ,  C01G1/00 ,  H01L39/12 ,  H01B12/06

    Abstract: 【課題】20 K磁場中においても良好なJ c 特性を示すMgB 2 超電導薄膜線材およびその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るMgB 2 超電導薄膜線材は、長尺金属基材上にMgB 2 薄膜が形成されたMgB 2 超電導薄膜線材であって、前記MgB 2 薄膜は、前記長尺金属基材の表面に対してMgB 2 柱状結晶粒が密接・林立する微細組織を有し、かつ30 K以上の臨界温度を示し、前記MgB 2 柱状結晶粒の粒界領域には、所定の低融点金属の元素が分散・偏析しており、前記所定の低融点金属は、MgB 2 の融点(単位:K)の1/4以上1/3以下の融点(単位:K)を有する金属であることを特徴とする。 【選択図】図9

    半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020061407A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：JP2018190118

    申请日：2018-10-05

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 楠 敏明

    IPC: H01L23/08 ,  H01L21/52

    Abstract: 【課題】300〜400℃のような高温環境下でも動作可能であり、かつ半導体チップと配線部材との接合信頼性に優れる半導体装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、セラミックパッケージの中に半導体チップが封入された半導体装置であって、前記セラミックパッケージは、セラミックスケースと配線部材とを有し、前記半導体チップは、SiC半導体チップまたはGaN半導体チップであり、表面電極と裏面電極とを有し、該裏面電極に対面する前記配線部材のダイボンド部と前記裏面電極とが接合層を介して電気的接合されており、前記裏面電極の表面および前記ダイボンド部の表面の少なくとも一方が、Au、AlまたはNiからなり、前記接合層が、Cuナノ粒子とNiナノ粒子とを含む混合金属ナノ粒子の焼結組織を有していることを特徴とする。 【選択図】図1

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