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公开(公告)号：JP5666164B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2010105599
申请日：2010-04-30
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/32 , H01S5/00
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公开(公告)号：JP5666122B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2009273704
申请日：2009-12-01
IPC: G06F3/048 , G06F3/0481 , H04N5/76 , H04N7/173 , H04N21/41 , H04N21/422 , H04N21/431
CPC classification number: G06F3/0484 , G06F3/04812 , G06F3/04817 , G06F3/0488 , G06F17/30595
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公开(公告)号：JP2015029028A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2013158500
申请日：2013-07-31
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： ITO SEITARO , AIHARA YUICHI
IPC: H01G11/06 , H01G11/36 , H01M4/40 , H01M4/587 , H01M4/60 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011
Abstract: 【課題】エネルギー密度が高い電気化学デバイスを提供する。【解決手段】正極活物質がグラフェンであり、グラフェンを含有する正極活物質層と、負極活物質を含有する負極活物質層と、非水系電解液とを備える電気化学デバイスである。上記正極活物質層は、グラフェンを少なくとも50質量%含有する。負極活物質は、金属イオンがプレドープされた炭素材料、黒鉛あるいは金属が好ましい。より好ましい負極活物質は、リチウムイオンをプレドープさせた炭素材料やリチウム金属である。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高能量密度的电化学装置。解决方案：电化学装置包括：含有石墨烯的正极活性物质层，用作正极活性物质; 含有负极活性物质的负极活性物质层; 和非水电解质。 正极活性物质层包含至少50质量％的石墨烯。 负极活性物质优选为金属离子预浸碳材料，石墨或金属，更优选为锂离子预浸碳材料或锂金属。
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公开(公告)号：JP2015027147A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013154131
申请日：2013-07-25
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： TAKEDA YUICHI
IPC: H02M7/537 , H02M1/08 , H02M7/5387
Abstract: 【課題】上下アーム短絡防止のためのデッドタイムの最小化を図る。【解決手段】上アーム11及び下アーム12と、上アーム11を駆動する上アーム駆動回路13と、下アーム12を駆動する下アーム駆動回路14と、上アーム駆動回路13にOFF制御信号を入力すると同時に下アーム駆動回路14にON制御信号を入力する制御回路2と、上アーム11のゲート電圧Vgs1を監視して上アーム11のOFF状態検知信号を下アーム駆動回路14に入力する上アーム電圧検知回路21とを備え、下アーム駆動回路14が制御回路2からのON制御信号及び上アーム電圧検知回路21からのOFF状態検知信号の両方を受け付けたときに下アーム12のゲート端子120AをON駆動する。【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：为了最小化防止上下臂短路的死区时间。解决方案：逆变器装置包括：上臂11和下臂12; 驱动上臂11的上臂驱动电路13; 驱动下臂12的下臂驱动电路14; 控制电路2向上臂驱动电路13输入OFF控制信号，并将下位控制信号输入到下臂驱动电路14; 以及监视上臂11的栅极电压Vgs1并将上臂11的关闭状态检测信号输入到下臂驱动电路14的上臂电压检测电路21.下臂驱动电路14 ON- 当接收到来自控制电路2的ON控制信号和来自上臂电压检测电路21的OFF状态检测信号时，驱动下臂12的门极端子120A。
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公开(公告)号：JP2015026076A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2014152108
申请日：2014-07-25
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： BAE JONG KON , KANG WON SIK , KIM YANG HYO , WOO JAE HYUCK
CPC classification number: G09G5/04 , G09G3/3406 , G09G5/363 , G09G2320/062 , G09G2330/023 , G09G2360/06 , G09G2360/08 , G09G2370/08
Abstract: 【課題】ディスプレイドライバIC、該ディスプレイドライバICを含む装置、及びその動作方法を提供する。【解決手段】ディスプレイドライバIC(DDI)の動作方法は、以前ラインデータと現在ラインデータとを比較する段階と、比較の結果によって、現在ラインデータを処理するための中間処理回路の一部の活性化如何を制御する段階と、を含む。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供显示驱动器IC，包括显示驱动器IC的装置及其操作方法。解决方案：操作显示驱动器IC（DDI）的方法包括将前一行数据与当前行数据进行比较 并且根据比较结果控制是否激活中间处理电路的一部分来处理当前行数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015025987A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013156354
申请日：2013-07-29
Applicant: 信越化学工業株式会社 , Shin Etsu Chem Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： HATAKEYAMA JUN , KIM HYUN WOO
IPC: G03F7/11 , C08F212/14 , C08F232/08 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F12/20 , C08F12/24 , C08F212/08 , C08F214/182 , C08F214/186 , C08F232/08 , C09D125/18 , G03F7/0392 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/2037 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/322 , C08F212/14
Abstract: 【解決手段】ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物をベース樹脂とするレジスト保護膜材料。(Rは水素原子又はヒドロキシ基、R1は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は−OC(=O)R2(R2はアルキル基又はフッ素化アルキル基)、mは1又は2。p、qは0
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种抗蚀剂保护膜材料，其能够防止由空气中的胺污染引起的抗蚀剂图案的悬垂，并且对抗蚀剂膜具有敏化作用，从而可以提高抗蚀剂膜的敏感性。解决方案： 抗蚀剂保护膜材料用于通过光刻的图案形成方法，其中在形成在晶片上的光致抗蚀剂层上形成抗蚀保护膜材料的保护膜，并将抗蚀剂暴露然后显影; 并且抗蚀保护膜材料包含具有由通式（1）表示的重复单元作为基础树脂的聚合物。 在该式中，R表示氢原子或羟基; R表示氢原子，羟基，烷基，烷氧基，酰氧基，烷氧基羰基，羧基或-OC（= O）R，其中R是烷基或氟代烷基; m表示1或2; p和q表示满足0
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公开(公告)号：JP5663294B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2010283833
申请日：2010-12-20
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公开(公告)号：JP2015023555A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013152972
申请日：2013-07-23
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 国立大学法人 新潟大学 , Niigata Univ , 国立大学法人 新潟大学
Inventor： MITSUI TSUTOMU , TAKEMURA NOBUYASU , NISHIMORI KENTARO
Abstract: 【課題】急激なチャネルの変動を推定することが可能な通信装置、通信システム、及び通信方法を提供する。【解決手段】プリアンブル部とデータ部とを含むフレームを構成する各シンボルが複数のサブキャリアにより送信された通信信号を処理する通信装置であって、前記データ部を送信するための複数のサブキャリアは、既知の信号を送信するための少なくとも1以上のパイロットサブキャリアを含み、互いに異なるタイミングで送信された複数の前記既知の信号それぞれに基づきチャネルを推定するチャネル推定部と、前記異なるタイミングで送信された複数の前記既知の信号それぞれに基づいて推定された前記チャネル間における相関関係に基づき、チャネル変動を推定するチャネル変動推定部と、を備えることを特徴とする通信装置。【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够估计突发频道改变的通信设备，通信系统和通信方法。解决方案：通信设备处理其中构成包括前同步码部分和数据的帧的每个符号的通信信号 部分通过多个副载波传输。 用于发送数据部分的多个子载波包括至少一个或多个导频子载波以发送已知信号。 通信装置包括：信道估计单元，用于基于在相互不同的定时发送的多个已知信号中的每一个来估计信道; 以及信道变化估计单元，用于基于基于在相互不同的定时发送的多个已知信号中的每一个估计的信道之间的相关性来估计信道变化。
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公开(公告)号：JP2015023554A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013152945
申请日：2013-07-23
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 国立大学法人 新潟大学 , Niigata Univ , 国立大学法人 新潟大学
Inventor： MITSUI TSUTOMU , TAKEMURA NOBUYASU , NISHIMORI KENTARO
Abstract: 【課題】MIMOにおけるチャネル推定の精度を向上させることが可能な、通信装置、および通信システムを提供する。【解決手段】ユニークワードを含む送信信号が含まれうる受信信号を処理する通信装置であり、受信信号から送信信号を検出する信号検出部と、検出された送信信号に含まれるユニークワードの位相回転量によって検出された送信信号を判別する信号判別部と、判別された送信信号に含まれるユニークワードの位相回転量と判別された送信信号に対応する基準位相回転量との位相回転差分に基づいて、判別された送信信号の位相を補正する第1位相補正部と、位相回転差分に基づいて位相が補正された送信信号と位相の初期値との誤差を補正する第2位相補正部と、位相の誤差が補正された判別された送信信号と既知の信号とに基づいて、チャネルを推定するチャネル推定部とを備え、ユニークワードの前後には反転されたデータが付加される、通信装置が提供される。【選択図】図13
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高MIMO中的信道估计精度的通信装置和通信系统。解决方案：通信装置被配置为处理可包括包含唯一字的发送信号的接收信号。 通信装置包括：信号检测部，用于从接收信号检测发送信号; 信号鉴别部分，用于鉴别检测到的发送信号中包含的唯一字的相位旋转量检测到的发送信号; 第一相位校正部分，用于基于鉴别发送信号中包括的唯一字的相位旋转量与对应于所识别的发送信号的参考相位旋转量之间的相位旋转量相位校正鉴别发送信号的相位; 第二相位校正部分，用于校正基于相位旋转差分校正相位的发送信号与相位的初始值之间的误差; 以及信道估计部分，用于基于校正相位误差的鉴别发送信号和已知信号来估计信道。 在唯一字之前和之后添加倒数数据。
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公开(公告)号：JP2015005316A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013129548
申请日：2013-06-20
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： HIRANO MAKOTO
Abstract: 【課題】通常メモリセルまたはビット線に不良が有るページバッファを不良のないページバッファに置換する救済置換回路の規模増大を防ぎ、かつ、ECC回路へのデータ転送の高速化を図った半導体記憶装置を提供する。【解決手段】データ転送部は、通常メモリセルに接続される通常ビット線のデータをラッチするページバッファ102aと、パリティメモリセルに接続されるパリティビット線のデータをラッチするページバッファ102cと、ページバッファ102aに不良が有る場合に、置換先となるか、または、ページバッファ102cに不良が有る場合に、置換先となるページバッファ102bと、を含んで構成され、ECC Bus_1は、ページバッファ102a、及びページバッファ102bと接続され、Data Bus_1は、ページバッファ102a、ページバッファ102c、及びページバッファ102bと接続される。【選択図】図10
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体存储装置，其被配置为防止补救和替换电路的大小增加，其用无缺陷的页面缓冲器替代正常存储器单元或位线中的缺陷页面缓冲器，并且被配置为 将数据以更高的速度传输到ECC电路。解决方案：数据传送单元包括：页缓冲器102a，用于锁存连接到正常存储单元的通常位线的数据;页缓冲器102c，用于锁存连接的奇偶校验位线的数据 以及当页面缓冲器102a有缺陷时被替换的页面缓冲器102b，或者当页面缓冲器102c有缺陷时被替换的页面缓冲器102b。 ECC Bus_1连接到页面缓冲器102a和页面缓冲器102b，并且Data Bus_1连接到页面缓冲器102a，页面缓冲器102c和页面缓冲器102b。
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