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公开(公告)号：JP6539921B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2018126539
申请日：2018-07-03
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B25/02 , C23C14/08 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L29/24 , C30B29/16
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公开(公告)号：JP2019070179A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017196464
申请日：2017-10-07
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/318 , H01L21/31 , C23C18/12
Abstract: 【課題】簡単且つ容易に、工業的有利に、非酸化物(例えば、リン化物、窒化物など)の皮膜を成膜できる方法を提供する。 【解決手段】第1の元素と、第1の元素とは異なる第2の元素とを少なくとも含有する原料を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで搬送し、ついで該ミストまたは液滴を熱反応させて、少なくとも第1の元素と第2の元素とを含む皮膜を成膜する方法において、第1の元素として、周期律表第14族又は第15族の元素を用い、第2の元素として、Dブロック元素又は周期律表第14族元素を用いて、前記熱反応を、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気下で行うことにより、皮膜を形成する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019057717A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018204425
申请日：2018-10-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B25/14 , C30B29/16 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L33/16 , H01L33/26 , H01L33/36 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに結晶性半導体膜または板状体を含む半導体構造を備える。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019057716A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018204424
申请日：2018-10-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C30B25/14 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L33/16 , H01L33/26 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに結晶性半導体膜または板状体を含む半導体構造を備える。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019057715A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018204423
申请日：2018-10-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C30B25/14 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L33/16 , H01L33/26 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに結晶性半導体膜または板状体を含む半導体構造を備える。 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019046984A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017169149
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立大学法人京都大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/448 , C23C16/40 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/368 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/365
Abstract: 【課題】高温高周波特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】電子走行層と電子供給層とを積層する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法は、電子供給層および電子走行層の積層を、それぞれ、ミストCVD法を用いて、準安定の結晶構造を有する半導体結晶を主成分として含む第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは組成が異なり、六方晶の結晶構造を有する半導体結晶を主成分として含む第2の半導体膜とをそれぞれ形成することにより行う。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6478103B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015023488
申请日：2015-02-09
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/448 , C30B25/14 , H01L21/365
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公开(公告)号：JP6478020B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2014239391
申请日：2014-11-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/205 , C30B29/16
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公开(公告)号：JP2018140352A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017036358
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/306 , B05D3/00
Abstract: 【課題】安定的且つ良好に、工業的有利に被処理物を処理することのできる処理方法を提供する。 【解決手段】被処理物上で原料液を含むミスト又は液滴を反応させることにより、前記被処理物を処理する方法において、前記原料液を霧化または液滴し、ついで、得られた前記ミスト又は前記液滴をキャリアガスを用いて前記被処理物まで搬送し、平均粒径が100nm以下である前記ミストまたは前記液滴を反応させることにより、前記被処理物を処理する。 【選択図】なし
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