公开(公告)号：JP6812333B2

公开(公告)日：2021-01-13

申请号：JP2017235743

申请日：2017-12-08

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 大内 澄人 ,  鈴木 悠宜 ,  生川 満久 ,  川村 啓介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205

公开(公告)号：JP6781293B2

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：JP2019068432

申请日：2019-03-29

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 下崎 聡史 ,  川村 啓介 ,  浅村 英俊 ,  生川 満久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6781095B2

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：JP2017071662

申请日：2017-03-31

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 生川 満久 ,  大内 澄人 ,  鈴木 悠宜 ,  川村 啓介

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP2020113693A

公开(公告)日：2020-07-27

申请号：JP2019005056

申请日：2019-01-16

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 鈴木 悠宜 ,  大内 澄人 ,  生川 満久 ,  川村 啓介

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20

Abstract: 【課題】縦方向の電流−電圧特性の面内均一性を向上することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CS1は、平面的に見た場合に、中心PT1と、中心PT1から71.2mm離れた位置であるエッジPT2とを備える。化合物半導体基板CS1のGaN層における中心PT1の膜厚を膜厚W1とし、GaN層におけるエッジPT2の膜厚を膜厚W2とした場合に、ΔW(%)=|W1−W2|×100/W1で表される膜厚誤差ΔWは、0より大きく8%以下である。GaN層の中心PT1における深さ方向の平均炭素濃度は、3×10 18 個/cm 3 以上5×10 20 個/cm 3 以下である。GaN層の中心PT1における深さ方向の中心位置における炭素濃度を濃度C1とし、GaN層のエッジPT2における深さ方向の中心位置における炭素濃度を濃度C2とした場合に、ΔC(%)=|C1−C2|×100/C1で表される濃度誤差ΔCは、0以上50%以下である。 【選択図】図4