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    化合物半導体基板
    1.
    发明专利
    化合物半導体基板 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020100539A

    公开(公告)日：2020-07-02

    申请号：JP2018241389

    申请日：2018-12-25

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 大内 澄人 ,  鈴木 悠宜 ,  生川 満久 ,  川村 啓介

    IPC: C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

    Abstract: 【課題】Al(アルミニウム)を含む窒化物半導体層内の貫通転位を低減することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CS1は、Si(ケイ素)基板1と、Si基板1上に形成され、厚さ方向に沿ってSi基板1から離れるに従ってAl濃度が減少する傾斜層であるAl窒化物半導体層41aと、Al窒化物半導体層41a上に形成され、Al窒化物半導体層41aの平均Al濃度よりも低い平均Al濃度を有するGaN(窒化ガリウム)層42aと、GaN層42a上に形成され、GaN層42aの平均Al濃度よりも高い平均Al濃度を有するAl窒化物半導体層41bとを備える。Al窒化物半導体層41b内の厚さ方向の任意の位置における貫通転位密度は、Al窒化物半導体層41a内の厚さ方向の任意の位置における貫通転位密度よりも低い。 【選択図】図1

    化合物半導体基板
    5.
    发明专利
    化合物半導体基板 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018174234A

    公开(公告)日：2018-11-08

    申请号：JP2017071662

    申请日：2017-03-31

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 生川 満久 ,  大内 澄人 ,  鈴木 悠宜 ,  川村 啓介

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L21/338

    CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

    Abstract: 【課題】所望の品質を有する化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CSは、SiC(炭化ケイ素)層2と、SiC層2上に形成されたAlN(窒化アルミニウム)バッファー層3と、AlNバッファー層3上に形成された、Al(アルミニウム)窒化物半導体層4と、Al窒化物半導体層4上に形成された複合層5と、複合層5上に形成された電子走行層としてのGaN(窒化ガリウム)層7と、GaN層7上に形成された障壁層としてのAl窒化物半導体層10とを備えている。複合層5は、上下方向に積層された複数のC−GaN層51および51bと、C−GaN層51aとC−GaN層51bとの間に形成されたAlN層52aとを含んでいる。 【選択図】図1

    化合物半導体基板
    6.
    发明专利
    化合物半導体基板 有权
    化合物半导体基板

    公开(公告)号：JP2016167517A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2015046375

    申请日：2015-03-09

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 深澤 暁 ,  生川 満久 ,  川村 啓介

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/338

    CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

    Abstract: 【課題】耐圧および結晶の品質を向上することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板は、Si(ケイ素)基板1と、Si基板1の表面に形成されたSiC(炭化ケイ素)層2と、SiC層2の表面に形成されたAlN(窒化アルミニウム)層3と、AlN層3の表面に形成された複合層6a、6b、および6cと、複合層6cの表面に形成されたGaN(窒化ガリウム)層7とを備えている。複合層6a、6b、および6cの各々は、AlN(窒化アルミニウム)層4a、4b、または4cと、AlN層4a、4b、または4cの表面に形成されたGaN層5a、5b、または5cとを含んでいる。少なくとも1つの複合層6a、6b、および6cにおいて、GaN層5a、5b、または5cの層中のCおよびFeの平均濃度は、AlN層4a、4b、または4cの層中のCおよびFeの平均濃度よりも高い。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高耐电压和晶体质量的化合物半导体衬底。解决方案：化合物半导体衬底包括：Si（硅）衬底1; 形成在Si衬底1的表面上的SiC（碳化硅）层2; 形成在SiC层2的表面上的AlN（氮化铝）层3; 形成在AlN层3的表面上的复合层6a，6b和6c; 和在复合层6c的表面上的GaN（氮化镓）层7。 复合层6a，6b和6c分别包括在AlN层4a，4b和4c的表面上形成的AlN（氮化铝）层4a，4b和4c以及GaN层5a，5b和5c。 至少在复合层6a，6b和6c中的一个中，GaN层5a，5b或5c中的C和Fe的平均密度分别高于AlN层4a，4b或4c中的C和Fe的平均密度。 选择图：图1

    半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019134176A

    公开(公告)日：2019-08-08

    申请号：JP2019068432

    申请日：2019-03-29

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 下崎 聡史 ,  川村 啓介 ,  浅村 英俊 ,  生川 満久

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338

    Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1

    半導体装置
    10.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2016031997A

    公开(公告)日：2016-03-07

    申请号：JP2014153236

    申请日：2014-07-28

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 下崎 聡史 ,  川村 啓介 ,  浅村 英俊 ,  生川 満久

    IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/80

    Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高耐压的半导体器件。解决方案：半导体器件是HEMT（高电子迁移率晶体管），并且包括：Si衬底或SOI（绝缘体上硅）衬底1，其中 具有主表面1a和1b; 以及在Si衬底或SOI衬底1的主表面1a上形成的Si化合物半导体层4，其由作为宽间隙半导体的Si化合物构成。 Si化合物半导体层4包括p型半导体层3和配置pn结的n型半导体层5.选择的图：图1

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