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公开(公告)号：JP6925117B2
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2016225198
申请日：2016-11-18
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20
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公开(公告)号：JP2020100539A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018241389
申请日：2018-12-25
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
Abstract: 【課題】Al(アルミニウム)を含む窒化物半導体層内の貫通転位を低減することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CS1は、Si(ケイ素)基板1と、Si基板1上に形成され、厚さ方向に沿ってSi基板1から離れるに従ってAl濃度が減少する傾斜層であるAl窒化物半導体層41aと、Al窒化物半導体層41a上に形成され、Al窒化物半導体層41aの平均Al濃度よりも低い平均Al濃度を有するGaN(窒化ガリウム)層42aと、GaN層42a上に形成され、GaN層42aの平均Al濃度よりも高い平均Al濃度を有するAl窒化物半導体層41bとを備える。Al窒化物半導体層41b内の厚さ方向の任意の位置における貫通転位密度は、Al窒化物半導体層41a内の厚さ方向の任意の位置における貫通転位密度よりも低い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2017069087A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2016080702
申请日：2016-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC classification number: H01L21/02447 , C23C16/34 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L33/32
Abstract: 所望の品質を有する化合物半導体基板を提供する。 化合物半導体基板は、SiC(炭化ケイ素)層と、SiC層上に形成されたAlN(窒化アルミニウム)バッファー層と、AlNバッファー層上に形成された、Al(アルミニウム)窒化物半導体層と、Al窒化物半導体層上に形成された第1のGaN(窒化ガリウム)層と、第1のGaN層に接触して第1のGaN層上に形成された第1のAlN中間層と、第1のAlN中間層に接触して第1のAlN中間層上に形成された第2のGaN層とを備えている。
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公开(公告)号：JP2018082121A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016225198
申请日：2016-11-18
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02381 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 【課題】所望の品質を有する化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CSの製造方法は、Si(ケイ素)基板1上にSiC(炭化ケイ素)層2を形成する工程と、SiC層2上に、12nm以上100nm以下の厚さを有するLT(Low Temperature)−AlN(窒化アルミニウム)層3を700℃以上1000℃以下で形成する工程と、LT−AlN層3を形成する際の温度よりも高い温度で、LT−AlN層3上にHT(High Temperature)−AlN層4を形成する工程と、HT−AlN層4上にAl(アルミニウム)窒化物半導体層5を形成する工程と、Al窒化物半導体層5上にGaN(窒化ガリウム)層6を形成する工程と、GaN層6上にAl窒化物半導体層7を形成する工程とを備える。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6592524B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2017546541
申请日：2016-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C23C16/34
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公开(公告)号：JP2018174234A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2017071662
申请日：2017-03-31
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L29/20 , H01L21/338
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 【課題】所望の品質を有する化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CSは、SiC(炭化ケイ素)層2と、SiC層2上に形成されたAlN(窒化アルミニウム)バッファー層3と、AlNバッファー層3上に形成された、Al(アルミニウム)窒化物半導体層4と、Al窒化物半導体層4上に形成された複合層5と、複合層5上に形成された電子走行層としてのGaN(窒化ガリウム)層7と、GaN層7上に形成された障壁層としてのAl窒化物半導体層10とを備えている。複合層5は、上下方向に積層された複数のC−GaN層51および51bと、C−GaN層51aとC−GaN層51bとの間に形成されたAlN層52aとを含んでいる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6812333B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2017235743
申请日：2017-12-08
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205
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公开(公告)号：JP6781095B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2017071662
申请日：2017-03-31
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L29/20 , H01L21/338
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公开(公告)号：JP2020113693A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019005056
申请日：2019-01-16
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/20
Abstract: 【課題】縦方向の電流−電圧特性の面内均一性を向上することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CS1は、平面的に見た場合に、中心PT1と、中心PT1から71.2mm離れた位置であるエッジPT2とを備える。化合物半導体基板CS1のGaN層における中心PT1の膜厚を膜厚W1とし、GaN層におけるエッジPT2の膜厚を膜厚W2とした場合に、ΔW(%)=|W1−W2|×100/W1で表される膜厚誤差ΔWは、0より大きく8%以下である。GaN層の中心PT1における深さ方向の平均炭素濃度は、3×10 18 個/cm 3 以上5×10 20 個/cm 3 以下である。GaN層の中心PT1における深さ方向の中心位置における炭素濃度を濃度C1とし、GaN層のエッジPT2における深さ方向の中心位置における炭素濃度を濃度C2とした場合に、ΔC(%)=|C1−C2|×100/C1で表される濃度誤差ΔCは、0以上50%以下である。 【選択図】図4
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