半導体膜
    11.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6784871B1

    公开(公告)日:2020-11-11

    申请号:JP2020538744

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下である。

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