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公开(公告)号:JP6784871B1
公开(公告)日:2020-11-11
申请号:JP2020538744
申请日:2019-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下である。
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公开(公告)号:JPWO2017057322A1
公开(公告)日:2018-07-26
申请号:JP2016078382
申请日:2016-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02
CPC classification number: C01F7/021 , C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/24 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/445 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/787 , C30B1/026 , C30B1/10 , C30B29/20 , C30B33/00
Abstract: 本発明の板状アルミナ粉末の製法は、遷移アルミナとフッ化物とを、互いに接触しないように容器に入れ、熱処理することにより板状のα−アルミナ粉末を得るものである。遷移アルミナは、ギブサイト、ベーマイト及びγ−アルミナからなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましい。フッ化物の使用量は、遷移アルミナに対するフッ化物中のFの割合が0.17質量%以上となるように設定するのが好ましい。容器は、フッ化物中のFの質量を容器の容積で除した値が6.5×10 -5 g/cm 3 以上になるものが好ましい。熱処理は、750〜1650℃で行うことが好ましい。熱処理は、容器の内外が通じるように容器を閉じたあと又は容器を密閉したあとに行うことが好ましい。
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