公开(公告)号：JP2021042120A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：JP2020176244

申请日：2020-10-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/363 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜を提供する。 【解決手段】α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下であり、好ましくは、半導体膜の少なくとも一方の表面における(006)面のX線ロッキングカーブ半値幅が50arcsec以下であり、さらに好ましくは、半導体膜の一方の表面(おもて面)における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅(FWHM−T)に対する、前記半導体膜の前記表面に対向する表面(裏面)における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅(FWHM−B)の比であるFWHM−B/FWHM−Tが、1.0を超える。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6615116B2

公开(公告)日：2019-12-04

申请号：JP2016561547

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史 ,  佐藤 圭 ,  七瀧 努

IPC: C01F7/02

公开(公告)号：JPWO2020195497A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2020007842

申请日：2020-02-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C30B29/16

Abstract: クラックが低減され、かつ、クラックが生じにくいα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有する。半導体膜はボイドを含有しており、ボイド内に残留するガスが水を含まない。

公开(公告)号：JP6660943B2

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：JP2017511972

申请日：2016-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井 宏史 ,  佐藤 圭 ,  渡邊 守道 ,  七瀧 努

IPC: C01F7/02

公开(公告)号：JPWO2020194763A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2019017940

申请日：2019-04-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/16

Abstract: 結晶欠陥が著しく少なく、高い絶縁破壊電界特性を呈する半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3、 又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の表面と裏面とで不純物濃度及び/又は異相量が異なるものである。

公开(公告)号：JPWO2020217564A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019035514

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16

Abstract: 結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下である。

公开(公告)号：JP2021038136A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：JP2020176243

申请日：2020-10-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/363 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】結晶欠陥が著しく少ない半導体膜を提供する。 【解決手段】α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面の結晶欠陥密度が1.0×10 6 /cm 2 以下である。好ましくは、半導体膜の一方の表面(おもて面)の結晶欠陥密度に対する、半導体膜の表面に対向する表面(裏面)の結晶欠陥密度の比が、1.0を超え、さらに好ましくは、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下であり、さらに好ましくは、半導体膜が、ドーパントとして14族元素を1.0×10 16 〜1.0×10 21 /cm 3 の割合で含む。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6784870B1

公开(公告)日：2020-11-11

申请号：JP2020538732

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/22 ,  C30B29/16

Abstract: 結晶欠陥が著しく少ない半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面の結晶欠陥密度が1.0×10 6 /cm 2 以下である。

公开(公告)号：JPWO2020195355A1

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：JP2020006312

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井 宏史 ,  渡邊 守道 ,  吉川 潤

IPC: C30B29/16

Abstract: 13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備え、当該配向層における結晶欠陥(転位)が顕著に低減された、高品質の下地基板が提供される。この下地基板は、13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備えており、配向層の結晶成長に用いられる側の表面が、サファイアよりも大きいa軸長及び/又はc軸長を有するコランダム型結晶構造を有する材料で構成されており、かつ、配向層中に複数の気孔が存在するものである。

公开(公告)号：JPWO2020217563A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019035513

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/363 ,  C30B29/16

Abstract: 結晶欠陥が著しく少ない半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面の結晶欠陥密度が1.0×10 6 /cm 2 以下である。