公开(公告)号：JP6756229B2

公开(公告)日：2020-09-16

申请号：JP2016200163

申请日：2016-10-11

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 中村 崇志 ,  西村 理恵子 ,  松井 秀樹

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/147 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP2018148147A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017044533

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 松井 秀樹 ,  野村 春之 ,  上久保 貴司

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】調整用のレンズを追加することなく、荷電粒子ビームのショットサイズ変更に起因する位置ずれを補正できる描画方法を提供する。 【解決手段】荷電粒子ビームの成形サイズを変えながら所定の照射面高さ位置における成形サイズに依存したビームの位置ずれ量を測定する工程(S102)と、ショットデータを生成する工程(S106)と、成形サイズに依存した荷電粒子ビームの位置ずれ量の情報を用いてショット図形毎にショットデータに定義されるショットサイズに応じた位置ずれ量を演算する工程(S108)と、演算された位置ずれ量を補正するようにショット位置を補正する工程(S110)と、ショット図形毎に荷電粒子ビームを当該ショットサイズに可変成形した荷電粒子ビームを用いて試料上の補正されたショット位置に当該ショット図形を描画する工程(S120)と、を備える。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2017199856A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016090845

申请日：2016-04-28

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 松井 秀樹

IPC: H01L21/027

Abstract: 【課題】スループットの低下を抑えつつ、成形変動補正を行う。 【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置は、第1アパーチャを通過したアパーチャ像の荷電粒子ビームを成形する第2アパーチャと、第2アパーチャを通過したビームの電流値を計測する検出器と、荷電粒子ビームのショット数と、第2アパーチャ上での前記アパーチャ像の照射位置のずれに対応するオフセットの変動量との関係を規定する成形補正式を記憶する記憶部と、前記オフセットによる荷電粒子ビームの成形変動を補正する制御部と、を備える。制御部は、前記電流値を用いて前記第2アパーチャの開口の基準点の位置を検出し、成形変動を補正する第1補正処理を所定時間間隔で実行すると共に、荷電粒子ビームのショット数をカウントして成形補正式に代入し、算出したオフセット変動量に基づいて成形変動を補正する第2補正処理を、第1補正処理の実行間隔の間に行う。 【選択図】図1