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公开(公告)号：JP6863259B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2017239397
申请日：2017-12-14
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: G03F7/20 , H01J37/305 , H01J37/21 , H01J37/147 , H01L21/027
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公开(公告)号：JP2018063988A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016200163
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/305 , H01J37/147 , H01L21/027
Abstract: 【課題】設定ビーム寸法と実寸法との非線形性を補正しつつ、ハードウェアを複雑化せずに、調整工程や描画時間等のコストの増加を抑える。 【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画方法は、設定ビーム寸法を変化させてビーム電流を測定し、設定ビーム寸法とビーム電流測定結果とが所定の関係性を持つためのビーム寸法に対する補正係数を算出する。ショットデータを受け取った偏向制御回路は、ショットデータ内のサイズに対応する補正係数に基づいて前記サイズを補正し、前記サイズの補正量に基づいて前記ショットデータ内の照射位置を補正し、補正後のサイズに基づく第1偏向信号と、補正後の照射位置に基づく第2偏向信号とを出力する。第1DACユニットが前記第1偏向信号に基づく第1偏向電圧を成形偏向器へ出力し、第2DACユニットが前記第2偏向信号に基づく第2偏向電圧を対物偏向器へ出力する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6756229B2
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2016200163
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/305 , H01J37/147 , H01L21/027
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公开(公告)号：JP2017022359A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2016057163
申请日：2016-03-22
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/305 , H01L21/027
CPC classification number: H01J37/3005 , H01J37/20 , H01J37/3174 , H01J2237/31725
Abstract: 【課題】描画精度を向上させることが可能なオフセット量を求めると共に、このオフセット量を求めるのに要する時間を短縮する。 【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置の調整方法は、荷電粒子ビーム描画装置に設定されるビームサイズのオフセット量を求めるものである。この方法は、所定寸法のビームの分割数を振り、分割したビームを用いて描画を行い、基板上にライン状の評価パターンを形成する工程と、前記評価パターンの線幅の設計寸法からの変化量を分割数毎に求める工程と、分割数毎の前記変化量に、荷電粒子ビームが与えるエネルギーの分布に基づく線幅のモデル関数をフィッティングし、前記オフセット量を算出する工程と、を備える。 【選択図】図1
Abstract translation: A一起与获得能够提高绘图精度的偏移量，以缩短确定偏移量所需的时间。 根据本实施例的调整方法的带电粒子束描绘设备是用于获得要被设置到的带电粒子束描绘设备的光束尺寸的偏移量。 该方法中，摇动的预定大小的光束的分割数，进行使用了分割光束绘制，并且在基板上形成线状的评估图案，从评价图案的线宽度的设计尺寸的变化 和一个步骤，以确定分割的每个号码的数量，在每个分频数的变化量，基于带电粒子得到的能量束的分布，并且计算偏移量的步骤装配的线宽度的模型函数。 点域1
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