金属箔の加熱方法
    11.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020059590A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:JP2018193146

    申请日:2018-10-12

    Abstract: 【課題】金属箔の幅方向の一方側の弛みを抑えつつ、金属箔を加熱しながら搬送することができる金属箔の加熱方法を提供する。 【解決手段】この加熱方法は、第1ロール12と第2ロール13との間で搬送される金属箔Mの金属を焼鈍しつつ、金属箔Mの幅方向の両端の張力の計測と、金属箔の幅方向の位置の調整と、を行うものであり、張力の計測を行った金属箔Mの一端maの張力をT1、他端mbの張力をT2、金属箔Mの幅をLとしたときに、以下の式1に基づいて、両端ma、mbの張力のうち、高い張力T1が計測された側に金属箔Mの幅方向の位置がΔL分移動するように、金属箔Mの幅方向の前記位置の調整を行う。 ΔL=|T1−T2|/(T1+T2)×L…(式1) 【選択図】図3

    成膜装置
    13.
    发明专利
    成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2016191126A

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:JP2015072366

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 【課題】マスクと成膜ローラの外周面との距離を抑えて、形成される薄膜の厚さの分布を改善することが可能な成膜装置を提供する。 【解決手段】チャンバ2に固定され、成膜ローラ3の幅方向の両側において当該成膜ローラ3との間に隙間をあけた位置に配置された一対の隔壁21を備え、隔壁21は、成膜ローラ3の半径方向外側を向く外側面21aと、成膜ローラ3の半径方向内側を向く内側面21bとを有しており、マスク5は、隔壁21の外側面21aに取り付けられ、隔壁21の内側面21bは、成膜ローラ3の外周面3aよりも成膜ローラ3の半径方向内側に位置している成膜装置1。 【選択図】図13

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够在抑制掩模与成膜辊的外周面之间的距离的同时改善成形薄膜的厚度分布的成膜装置。溶液:成膜装置 图1所示的分隔壁21包括固定在室2上的一对分隔壁21,并且在成膜辊3的宽度方向上两侧放置在具有成膜辊3的空间的位置上。每个分隔壁21包括 :在成膜辊3的径向上面向外侧的外表面21a; 以及面对成膜辊3的径向内侧的内表面21b。掩模5安装在分隔壁21的外表面21a上。分隔壁21的内表面21b位于更内侧 在成膜辊3的径向方向上,比成膜辊3的外周面3a。图示:图13

    プラズマCVD成膜装置
    14.
    发明专利
    プラズマCVD成膜装置 审中-公开
    等离子体CVD膜形成装置

    公开(公告)号:JP2015200011A

    公开(公告)日:2015-11-12

    申请号:JP2015003774

    申请日:2015-01-13

    Abstract: 【課題】成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマCVD成膜装置を提供する。 【解決手段】プラズマCVD成膜装置10は、真空チャンバ1と、帯状の基材が当該成膜ローラ2の全周のうちの一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ2と、成膜ローラ2の内部に配置され、成膜ローラ2における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部3と、成膜ローラ2に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ2に印加する電源4と、成膜ローラ2における基材Aが巻き掛けられる部分2aに対して当該成膜ローラ2の回転軸を挟んで反対側に位置する当該基材Aに接触していない部分2bを覆うカバー9とを備えている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种等离子体CVD膜形成装置,其在成膜辊的轴向上形成膜的范围内防止在未卷绕基板的部分中发生异常放电 解决方案:等离子体CVD膜形成装置10包括:真空室1; 金属成膜辊2,其具有卷绕在成膜辊2的整个周边的一部分上的带状基材; 布置在成膜辊2中的磁场产生部分3,并且在成膜辊2的一部分外部产生一磁场,该磁场围绕着该基片卷绕; 连接到成膜辊2的电源4,并向膜形成辊2施加用于在磁场区域产生等离子体的AC电压; 并且覆盖成膜辊2的部分2a的盖9不与基板A接触,并且与卷绕有基板A的部分2A相对的一侧,与薄膜形成辊2的旋转轴线相对, 形成辊2。

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