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公开(公告)号：JP2016033256A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2015036107
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
CPC classification number: C23C14/32 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32669
Abstract: 【課題】ターゲットの先端面にアークスポットを安定して保持することができ、しかも、装置の小型化が達成可能なアーク蒸発源を提供する。 【解決手段】アーク蒸発源1は、アーク放電によって先端面3aから溶解されて蒸発されるターゲット3と、ターゲット3の側面3bから当該ターゲット3の半径方向に離間した位置に配置された磁石4とを備えている。磁石4は、ターゲット3の側面3bにおいてターゲット3の軸方向のターゲット3の先端面3aから10mmまでの範囲において、以下の条件a)およびb)、すなわち、a)ターゲット3の側面3bに対して磁場による磁力線がなす角度は、45度以下であり、かつ、b)当該磁力線の強度におけるターゲット3の軸方向の成分は、200G以上であるという条件を満たす磁場MF1を形成するように配置されている。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在目标的前端面上稳定地保持电弧点的电弧蒸发源，并且进一步实现装置的小型化。解决方案：电弧蒸发源1包括：熔融的靶3 并通过电弧放电从其尖端表面3a蒸发; 以及配置在与目标3的侧面3b朝向靶3的径向隔开的位置的磁体4.磁铁4配置成形成满足以下条件（a）和（a）的磁场MF1， b）在目标3的从前端面3a到目标3的轴向10mm的区域内的目标3的侧面3b上，即：（a）由磁线 由磁场产生的对目标3的侧面3b产生的力为45度以下; 和（b）目标3的轴向方向上的关于磁力线的强度的分量为200G以上。图示：图4
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公开(公告)号：JP2015196879A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075278
申请日：2014-04-01
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/54
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/50 , C23C16/545 , H05H2001/4697 , H05H2001/485
Abstract: 【課題】成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマCVD成膜装置を提供する。 【解決手段】プラズマCVD成膜装置10は、真空チャンバ1と、帯状の基材が当該成膜ローラ2の全周のうちの一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ2と、成膜ローラ2の内部に配置され、成膜ローラ2における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部3と、成膜ローラ2に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ2に印加する電源4と、絶縁材料からなり、成膜ローラ2の表面のうちの当該成膜ローラ2の軸方向において少なくとも磁場生成部3の配置領域の範囲を覆う絶縁部9とを備えている。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种等离子体CVD膜形成装置，其防止在成膜辊的轴向形成膜的范围内没有卷绕基板的异常放电。解决方案： 等离子体CVD膜形成装置10包括：真空室1; 金属成膜辊2，其具有卷绕在成膜辊2的整个周边的一部分上的带状基材; 布置在成膜辊2中的磁场产生部分3，并且在成膜辊2的一部分外部产生一磁场，该磁场围绕着该基片卷绕; 连接到成膜辊2的电源4，并向膜形成辊2施加用于在磁场区域内产生等离子体的AC电压; 以及绝缘部9，其由绝缘材料制成，并且在成膜辊2的轴向方向上覆盖磁场产生部3的至少一个排列区域的范围， 成型辊2。
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公开(公告)号：JP2021085066A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019214402
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
Abstract: 【課題】金属箔からなる基材に対して、高い処理精度で連続的に熱処理を行うことが可能な箔基材の真空熱処理装置、箔基材の熱処理方法を提供する。 【解決手段】真空熱処理装置1は、真空チャンバと、巻出し軸12と、巻取り軸46と、少なくとも表裏一対のヒーター22と、少なくとも基材の表裏一対の冷却パネル23と、を備える。箔基材Wは、真空チャンバ内で巻出し軸12から巻取り軸46に至る処理経路を搬送される。ヒーター22は、箔基材Wの処理経路において、箔基材Wの表面および裏面にそれぞれ対向して配置され箔基材Wを加熱する。冷却パネル23は、前記処理経路においてヒーター22よりも巻取り軸46側で、箔基材Wの表面および裏面にそれぞれ対向して配置され、箔基材Wを冷却する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2015200011A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015003774
申请日：2015-01-13
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: C23C16/54 , H05H1/46 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/3277 , H05H1/48 , H05H1/50 , H05H2001/485
Abstract: 【課題】成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマCVD成膜装置を提供する。 【解決手段】プラズマCVD成膜装置10は、真空チャンバ1と、帯状の基材が当該成膜ローラ2の全周のうちの一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ2と、成膜ローラ2の内部に配置され、成膜ローラ2における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部3と、成膜ローラ2に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ2に印加する電源4と、成膜ローラ2における基材Aが巻き掛けられる部分2aに対して当該成膜ローラ2の回転軸を挟んで反対側に位置する当該基材Aに接触していない部分2bを覆うカバー9とを備えている。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种等离子体CVD膜形成装置，其在成膜辊的轴向上形成膜的范围内防止在未卷绕基板的部分中发生异常放电 解决方案：等离子体CVD膜形成装置10包括：真空室1; 金属成膜辊2，其具有卷绕在成膜辊2的整个周边的一部分上的带状基材; 布置在成膜辊2中的磁场产生部分3，并且在成膜辊2的一部分外部产生一磁场，该磁场围绕着该基片卷绕; 连接到成膜辊2的电源4，并向膜形成辊2施加用于在磁场区域产生等离子体的AC电压; 并且覆盖成膜辊2的部分2a的盖9不与基板A接触，并且与卷绕有基板A的部分2A相对的一侧，与薄膜形成辊2的旋转轴线相对， 形成辊2。
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公开(公告)号：JP6403269B2
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：JP2015036107
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/32 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32669
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公开(公告)号：JP5969953B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013115045
申请日：2013-05-31
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
CPC classification number: H01J37/3277 , C23C14/562 , H01J37/32513 , H01J37/32733 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01L21/67132 , H01J2237/162 , H01J2237/20278 , H01J2237/332
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