公开(公告)号：JP2015120934A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：JP2015056994

申请日：2015-03-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 庵野 祐亮 ,  森 隆 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲

IPC: C08K5/16 ,  H01L21/027 ,  C08L83/04

Abstract: 【課題】レジスト下層膜形成用に適し、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜 を形成することができると共に、耐レジスト現像液性及び耐酸素アッシング性を有し、かつ現像時にレジスト残りが少なく、レジストパターンの形状が良好で倒れが少ないポリシロキサン組成物を提供すること。 【解決手段】本発明は、レジスト下層膜用ポリシロキサン組成物であって、ポリシロキサンと酸拡散制御剤とを含有するポリシロキサン組成物である。上記酸拡散制御剤としては、塩基性化合物が好ましい。上記酸拡散制御剤としては、窒素含有化合物も好ましい。上記窒素含有化合物としては、窒素含有複素環構造と極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種とを有する複素環化合物、又はこの複素環化合物以外のアミノ化合物が好ましい。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供适合于形成抗蚀剂底层膜的聚硅氧烷组合物，能够形成对抗蚀剂膜具有优异的粘合性的含硅膜，具有对抗蚀剂显影剂的耐受性和抗氧化灰化的效果 具有很小的抗蚀剂残留在显影中，并且得到具有良好形状和很小塌陷的抗蚀剂图案。解决方案：提供了一种用于抗蚀剂底层膜的聚硅氧烷组合物，其包含聚硅氧烷和酸扩散控制剂。 酸扩散控制剂优选碱性化合物。 对于酸扩散控制剂，含氮化合物也是优选的。 对于含氮化合物，优选具有含氮杂环结构和至少一个选自极性基团和酯基的基团的杂环化合物，或者优选杂环化合物以外的氨基化合物。

公开(公告)号：JP5696428B2

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：JP2010240174

申请日：2010-10-26

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 出井 慧 ,  保田 慶友 ,  長谷川 公一

IPC: G03F7/40 ,  C08G77/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08K5/06 ,  C08K5/05 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0331