公开(公告)号：JP5999215B2

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：JP2015056994

申请日：2015-03-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 庵野 祐亮 ,  森 隆 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲

IPC: C08K5/16 ,  H01L21/027 ,  C08L83/04

公开(公告)号：JP2016011411A

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：JP2015081299

申请日：2015-04-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 瀬古 智昭 ,  出井 慧 ,  鈴木 準也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  C09D183/04

CPC classification number: C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  C08L2203/16

Abstract: 【課題】高い保存安定性を有し、多層レジストプロセス特性に優れるシリコン含有膜形成用組成物の提供。 【解決手段】式(Q1)から(Q4)で表される構造のうち、(Q2)、(Q3)及び(Q4)で表される構造を有し、式(Q1)から(Q4)で表される構造中のそれぞれのケイ素原子が与える 29 Si−NMRのシグナルの積分値をq1からq4とした場合、式(I)で計算されるqの値が0.25以下であり、重量平均分子量が4,000以下であるポリシロキサン化合物、及び溶媒を含有するシリコン含有膜形成用組成物。q=(q1+q2)/(q1+q2+q3+q4)(I) 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成含硅膜的组合物，其具有高的储存稳定性和优异的多层抗蚀剂工艺特性。解决方案：用于形成含硅膜的组合物包含以下聚硅氧烷化合物和溶剂。 在式（Q1）〜（Q4）表示的结构中，聚硅氧烷化合物具有由式（Q2），（Q3）和（Q4）表示的结构。 根据表达式（I）计算的q的值：q =（q1 + q2）/（q1 + q2 + q3 + q4）为0.25以下，其中q1至q4表示由硅原子给出的Si-NMR信号的积分值 分别由式（Q1）〜（Q4）表示的结构。 聚硅氧烷化合物的重均分子量为4000以下。

公开(公告)号：JP6065497B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2012211580

申请日：2012-09-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 出井 慧 ,  森 隆 ,  高梨 和憲

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C08L83/08 ,  C08K5/16 ,  H01L21/027 ,  G03F7/075

CPC classification number: B81C1/00396 ,  B81C1/00388 ,  C08G77/14 ,  C08G77/24 ,  C08G77/388 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H05K3/061 ,  B81C2201/0198 ,  H05K2203/05

公开(公告)号：JP5835425B2

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：JP2014142245

申请日：2014-07-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 出井 慧 ,  生井 準人 ,  保田 慶友 ,  長谷川 公一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  G03F7/40

公开(公告)号：JP6311702B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川 恭志 ,  酒井 達也 ,  栗田 俊輔 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  元成 正之

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0332

公开(公告)号：JP2016027370A

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：JP2015084592

申请日：2015-04-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 瀬古 智昭 ,  笠原 一樹 ,  芹澤 龍一 ,  出井 慧

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  C08G77/04 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

Abstract: 【課題】多層レジストプロセスにおいて、レジスト下層膜における欠陥の発生を抑制できるレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物及びこのレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物を用いるパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、ポリシロキサン及び酸発生剤を含有するレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物であって、上記酸発生剤がオニウムカチオン及び酸アニオンを含み、上記オニウムカチオンが、脂環構造、脂肪族複素環構造、鎖状置換基を有する芳香環構造又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする。上記オニウムカチオンが、脂環構造、脂肪族複素環構造又はこれらの組み合わせを含むとよい。上記酸アニオンを構成する原子の原子量の和としては、350以下が好ましい。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀剂底膜的聚硅氧烷组合物，其可以抑制多层抗蚀剂工艺中的抗蚀剂底衬层中的缺陷的产生，以及使用该聚硅氧烷组合物形成抗蚀剂底衬层的图案形成方法。 解决方案本发明的形成抗蚀底膜的聚硅氧烷组合物包含聚硅氧烷和酸产生剂。 酸产生剂含有鎓阳离子和酸阴离子; 鎓阳离子含有脂环结构，脂肪族杂环结构，具有线性取代基的芳香族环结构，或这些结构的组合。 鎓阳离子优选含有脂环结构，脂族杂环结构或这些结构的组合。 构成酸性阴离子的原子的原子量之和优选为350以下

公开(公告)号：JP6511931B2

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：JP2015084592

申请日：2015-04-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 瀬古 智昭 ,  笠原 一樹 ,  芹澤 龍一 ,  出井 慧

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  C08G77/04 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP6511927B2

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：JP2015081299

申请日：2015-04-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 瀬古 智昭 ,  出井 慧 ,  鈴木 準也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  C08G77/18 ,  C09D183/02

公开(公告)号：JP5780029B2

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：JP2011156046

申请日：2011-07-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 庵野 祐亮 ,  森 隆 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/34 ,  C08K5/04 ,  C08K3/20 ,  C08G77/04 ,  H01L21/027 ,  C08L83/04

公开(公告)号：JP5776301B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2011094448

申请日：2011-04-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  松村 裕史 ,  峯岸 信也 ,  庵野 祐亮 ,  出井 慧 ,  森 隆

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08K5/34 ,  C08K5/42 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04