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公开(公告)号:JP2017044872A
公开(公告)日:2017-03-02
申请号:JP2015167268
申请日:2015-08-26
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】混在パターンにおける焦点深度、露光余裕度、レジストパターンの抜け性及び現像欠陥抑制性に共に優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 【解決手段】酸解離性基を有する複数の重合体と、下記式(2)で表される感放射線性酸発生体とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、上記複数の重合体が、重合体ごとに互いに異なる酸解離性基を有し、上記複数の重合体のうち少なくとも2種の重量平均分子量が互いに異なり、上記複数の重合体における重量平均分子量の最大値と最小値との差が2,000以上であり、重量平均分子量が最小である重合体の上記複数の重合体全体に対する含有量が50質量%以上であることを特徴とする。上記重合体ごとに互いに異なる酸解離性基が単環の環構造を含むとよい。上記複数の重合体において、重量平均分子量が最小である重合体の重量平均分子量としては、2,000以上10,000以下が好ましい。 【選択図】なし
Abstract translation: 焦点混合图案的深度,提供在抗蚀剂图案的显影缺陷抑制的曝光宽容度,可除去性和兼具优异的放射线敏感性树脂组合物。 多个具有酸解离性基团的聚合物的,含有由下式表示的辐射敏感酸发生剂的放射线敏感性树脂组合物(2),所述多个聚合物的 但具有不同的酸不稳定基团的每个聚合物,不同重均分子量的至少两个,所述多个聚合物的彼此的,最大值和重均分子量在多个聚合物的最小值 差不小于2,000,相对于所述内容到所述全部多个重均分子量的聚合物的最小等于或小于50重量%。 对于每个体聚合不同的酸解离性基团可包括一个单环结构。 在多种聚合物,所述聚合物的重均分子量的重均分子量是最小的,优选为2,000〜10,000。 系统技术领域
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公开(公告)号:JP6060590B2
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:JP2012211593
申请日:2012-09-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0751 , G03F7/091 , G03F7/325
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公开(公告)号:JP5873622B2
公开(公告)日:2016-03-01
申请号:JP2010053791
申请日:2010-03-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/04 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/30 , G03F7/36 , C08G77/80
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公开(公告)号:JP5691538B2
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:JP2011006127
申请日:2011-01-14
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09J11/00 , C09J163/00 , C09J171/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , H01L21/301 , H01L21/304 , C09J181/06
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公开(公告)号:JPWO2017033639A1
公开(公告)日:2018-06-07
申请号:JP2017536691
申请日:2016-07-22
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: [課題]仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、支持体から基材を分離した後に基材上に残る接合層を、剥離および/または溶剤洗浄により容易に除去することができる、基材の処理方法を提供する。[解決手段]支持体と仮固定材と基材とを有する積層体であって、前記仮固定材が、前記基材における支持体側の面と接し、且つポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾールから選ばれる少なくとも1種の重合体を含有する組成物から形成された仮固定材層(I)と、前記層(I)における支持体側の面上に形成され、且つ光吸収剤を含有する仮固定材層(II)とを有する仮固定材である積層体を形成する工程;前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程;前記層(II)に光を照射する工程;前記支持体から前記基材を分離する工程;ならびに前記層(I)を前記基材から除去する工程をこの順で有する基材の処理方法。
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公开(公告)号:JP6146305B2
公开(公告)日:2017-06-14
申请号:JP2013538506
申请日:2012-10-02
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138
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