公开(公告)号：JP2018147871A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017101230

申请日：2017-05-22

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田 洋 ,  大饗 義久 ,  村田 英一

IPC: H01J37/06 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01J1/148

Abstract: 【課題】低仕事関数で高輝度の電子銃陰極を提供する。 【解決手段】ランタンまたはセリウム原子と、炭素原子と硼素原子が所定の隣接距離で結合した陰極材料からなる電子銃。本電子銃陰極の仕事関数はLaB6またはCeB6の仕事関数が、2.7eVであるのに対して、炭素原子を拡散または混入または結合させることにより、1.7eV以下に低減させることができ、1200℃以下の低温動作にて50kVで10 7 A/cm 2 steradianの輝度の達成が可能となる。仕事関数の低減により、高輝度低温動作が可能となる。真空度は10 −7 pascal以上の高真空で酸素濃度が硼素原子と炭素原子を燃焼させないようにして長寿命化を図る。また、炭素原子の供給物を陰極材料ないしヒータに付着せしめて供給源とすることで、さらなる長寿命化が可能となる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6103497B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2013077273

申请日：2013-04-02

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田 洋

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP2016219292A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015104187

申请日：2015-05-22

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田 洋

IPC: H01J37/143 ,  H01J37/141

Abstract: 【課題】電子ビームによる直接描画を高速で行う。 【解決手段】Z軸方向に着磁された永久磁石リング(101)と、永久磁石リング(101)の上部より上方に向けて伸びる第1強磁性体(103)と、永久磁石リング(101)の下面に配置される第2強磁性体(104)と、第1磁性体の上部において外方に伸びる第3強磁性体と、外部磁界から隔離する第4強磁性体とを有する。第1強磁性体と第2強磁性体は第1ギャップ(106)を介し、第2強磁性体(104)と第4強磁性体(102)は第2ギャップ(107)を介し、第3強磁性体(105)と、第4強磁性体(102)は第3ギャップ(108)を介し対向する。 【選択図】図2

Abstract translation: 本发明是进行在由所述电子束高速直接绘图。 而在Z轴方向（101）一种磁化的永久磁铁环，第一铁磁构件从永久磁铁环（101）和（103），永磁体环的上部向上方延伸（101） 布置在所述下表面（104）的第二强磁性体，在该第一磁性体的上部向外延伸的第三强磁性体，并从外部磁场中分离的第四铁磁材料。 第一强磁性体，并经由通过第二间隙（107），第三的第一间隙（106），第二强磁性体（104）和第四铁磁部件（102）的第二强磁性体 强磁性体（105），第四铁磁材料（102）通过第三间隙（108）相对。 .The

公开(公告)号：JPWO2012114521A1

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：JP2013500809

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社Param

Inventor： 安田　洋 ,  洋 安田

IPC: H01J1/13 ,  H01J1/26 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J29/485 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/148 ,  H01J1/26 ,  H01J37/065 ,  H01J37/07 ,  H01J37/075 ,  H01J37/26 ,  H01J37/3174

Abstract: 電子銃陰極(104)は、柱状であり、加熱されることによって電子を放出する。この電子銃陰極の底面および側面を覆い、電子銃陰極を保持する電気伝導性を有するとともに、加熱された状態で前記電子銃陰極と反応し難い材料で構成された保持具(103)を設ける。電子銃陰極(104)は、先端部が露出して保持具(103)から突出しており、先端部に電界を印加することにより前記先端部から電子を前方に向けて放出する。

公开(公告)号：JP2014003279A

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：JP2013077273

申请日：2013-04-02

Applicant: Param Co Ltd ,  株式会社Param

Inventor： YASUDA HIROSHI

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/305

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a blanking electrode for multi-beam formation ensuring a sufficient deflection efficiency with a large aspect ratio, and improving the short insulation resistance life of an insulator by electron beam irradiation of 50 kV.SOLUTION: A tetragonal matrix beam group in a two-dimensional plane at an interval of integral multiplication of the beam size is turned on/off by a bit map signal, and a blanking electrode for forming a desired beam shape is formed of a doping layer reverse to a P type or N type substrate. Furthermore, a plurality of blanking electrode substrates are bonded so as to form an electrode of high aspect ratio. In order to insulate the electrode and the wiring, the insulating film is formed of a doping layer reverse to a P type or N type substrate.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于多光束形成的消隐电极，确保具有大的纵横比的足够的偏转效率，并且通过50kV的电子束照射来提高绝缘体的短绝缘电阻寿命。解决方案：四方矩阵波束 通过位图信号以与光束尺寸的积分乘积的间隔的二维平面中的二维平面组合，并且用于形成期望的光束形状的消隐电极由与P型相反的掺杂层形成， N型基板。 此外，多个消隐电极基板被接合以形成高纵横比的电极。 为了使电极和布线绝缘，绝缘膜由与P型或N型基板相反的掺杂层形成。

公开(公告)号：JP4945698B1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：JP2011280768

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社Param

Inventor： 洋 安田

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/18

Abstract: 【課題】電子ビーム光学鏡筒のオゾン分子ガスによるクリーニングを効果的に行う。
【解決手段】電子銃１０２により発生された電子ビームを電子光学鏡筒内部を通過させ、電子ビームを整形してターゲット１０７に向けて照射する。 オゾン供給手段１１４は、電子鏡筒内部にオゾン分子ガスを供給する。 記電子鏡筒の電子ビーム通過経路の周辺面に付着する有機物付着量を電気的に計測する付着量計測手段を設ける。 付着量計測手段で計測した有機物付着量に応じてオゾン供給手段によるオゾン分子ガスの供給量を制御する。
【選択図】図４