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    無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法
    21.
    发明专利
    無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法 审中-公开
    无机材料膜，光掩模坯料，以及光掩模制造方法

    公开(公告)号：JP2017015939A

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：JP2015132786

    申请日：2015-07-01

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 深谷 創一 ,  笹本 紘平 ,  中川 秀夫

    IPC分类号： G03F1/54

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

    摘要： 【課題】従来のクロム系材料膜と同等の特性を確保しつつドライエッチング速度を向上させることを可能とすること。 【解決手段】0.1原子%以上で11.5原子%以下の濃度範囲でスズを含んだ無機材料膜であれば、スズが局在化して粒子を形成し、これが光学膜中の欠陥となる問題が回避される。本発明に係る無機材料膜は、スパッタリングにより成膜されたクロム系材料からなるフォトマスクブランク用の無機材料膜であって、該無機材料膜は導電性を有する遮光層を含み、該遮光層は、0.1原子%以上で11.5原子%以下のスズと15原子%以下の酸素を含有する。なお、酸素濃度の下限は例えば3原子%である。また、無機材料膜は導電性を有するが、抵抗値で評価した場合に5000Ω/cm 2 以下であることが好ましい。 【選択図】図1

    摘要翻译： [问题]为了使以提高干蚀刻速度，同时保持常规的铬基材料膜的特性等效。 如果包含在0.1原子％以上11.5原子％的浓度范围锡无机材料膜，锡形式的颗粒的局部，从而避免这是在光学薄膜的问题中的缺陷 是的。 根据本发明的无机材料膜为光掩模坯料，其包括通过溅射沉积含铬材料的无机材料膜，无机材料膜包括具有导电性，光屏蔽层的光屏蔽层 ，含锡和15原子百分比的氧少11.5％（原子）为0.1原子％以上。 中的氧浓度的下限为，例如，3原子％。 另外，无机材料膜具有导电性，当由电阻评估优选为5000欧姆/厘米2或更小。 点域1

    フォトマスクブランク
    22.
    发明专利
    フォトマスクブランク 审中-公开
    PHOTOMASK BLANK

    公开(公告)号：JP2016057577A

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：JP2014186290

    申请日：2014-09-12

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 深谷 創一 ,  笹本 紘平

    IPC分类号： G03F1/54 ,  H01L21/027 ,  G03F1/48 ,  G03F1/38

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/54

    摘要： 【解決手段】石英基板と、石英基板上に形成された、窒素、酸素、炭素及び水素から選ばれる少なくとも一つを含有するクロム系材料膜とを有し、クロム系材料膜がハードマスク膜であり、クロム系材料膜の塩素系のドライエッチングによる単位膜厚当りのエッチングレートAと、クロムのみからなる膜の塩素系のドライエッチングによる単位膜厚当りのエッチングレートBとの比率(A/B)が0.7以上0.9以下であり、かつクロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上で10分間以上熱処理したときのクロム系材料膜の反り量が70nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有するフォトマスクブランク。 【効果】エッチング耐性を向上させ、かつ膜応力を低減させたクロム系材料の薄膜を有するフォトマスクブランクを提供することができ、これにより、高精度なクロム系材料膜のパターン作製が可能となる。 【選択図】なし

    摘要翻译： 解决方案：提供一种具有包含石英基板的拉伸应力或压缩应力的光掩模坯料和在石英基板上形成的含有选自氮，氧，碳和氢的至少一种元素的铬基材料膜， 在铬基材料膜为硬掩模的情况下，通过氯基干法蚀刻将铬基材料膜蚀刻到每单位膜的蚀刻速率B时，每单位膜厚的蚀刻速率A的比（A / B） 当通过氯基干蚀刻法蚀刻由铬构成的膜时的厚度不小于0.7且不大于0.9，当铬基材料膜是铬基材料膜时，铬基材料膜的翘曲不大于70nm 形成在方形152mm，厚度6.35的石英基板上，并且在不低于150℃下不低于10分钟进行热处理。可以提供一种具有铬的薄膜的光掩模坯料 - 耐腐蚀性提高，薄膜应力降低，可以实现铬基薄膜的高精度图案生产。选择图：无

    フォトマスクブランクの製造方法
    25.
    发明专利
    フォトマスクブランクの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018101155A

    公开(公告)日：2018-06-28

    申请号：JP2018046298

    申请日：2018-03-14

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 深谷 創一 ,  稲月 判臣

    IPC分类号： C23C14/06 ,  G03F1/54

    摘要： 【解決手段】20nmノード以下のリソグラフィーに使用するフォトマスク用であり、石英基板と、該石英基板上に形成された遮光膜であるクロム系材料膜を有するフォトマスクブランクであり、該クロム系材料膜が、反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有するフォトマスクブランクの製造において、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に、ターゲットとしてクロムターゲットを用い、スパッタガスとして不活性ガスと反応性ガスとを不活性ガスに対する反応性ガスの流量比を1以上2以下として、単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であるクロム系材料膜を成膜する。 【効果】クロム系材料膜の単位膜厚当たりの光学濃度を高く保ちつつ、膜応力を低減させたクロム系材料の薄膜を有するフォトマスクブランクを提供することができ、これにより、高精度なクロム系材料膜のパターン作製が可能となる。 【選択図】なし

    スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク
    29.
    发明专利
    スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク 审中-公开
    溅射膜沉积方法，溅射装置和制造光电隔离膜和光电隔离层的方法

    公开(公告)号：JP2015110814A

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：JP2013253099

    申请日：2013-12-06

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 笹本 紘平 ,  深谷 創一 ,  中川 秀夫 ,  稲月 判臣

    IPC分类号： G03F1/54 ,  C23C14/34

    CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/352 ,  G03F1/68 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447

    摘要： 【解決手段】同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面を互いに平行に又は傾斜させて配設し、第1及び第2のターゲットの双方に電力を同時に印加し、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することによりスパッタ面上にスパッタ粒子が付着する速度を、他方のターゲットのスパッタによりスパッタ粒子が除去される速度以下として、被スパッタ物上に膜をスパッタ成膜する。 【効果】膜の組成の変更が容易な2種以上のターゲットを用いたコスパッタによる成膜において、ターゲットのスパッタ面の相互の汚染又は改質を抑制して、スパッタにおける放電を安定させて成膜することができ、欠陥を低減した機能性膜を形成した高品質のフォトマスクブランクを安定して製造することができる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：为了稳定地制造高质量的光掩模坯料，其具有通过使用使用两种或更多种目标的共溅射形成的膜沉积形成的缺陷减少的功能膜，使得膜的组成容易改变，并且膜的组成容易改变， 通过抑制靶的溅射表面的相互污染和改性来稳定溅射中的放电。解决方案：第一靶和第二靶被布置在一个真空槽中，使得其溅射表面面对溅射物体并且与每个 其他或倾斜地，并且电力同时施加到第一和第二目标。 通过溅射将膜沉积在溅射物体上，而从第一和第二靶中的一个辐射的溅射颗粒通过到达溅射表面的方式粘附在另一个靶的溅射表面上的速度被制成快于或低于速度 溅射颗粒通过溅射另一个靶而被除去。