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公开(公告)号：KR20210031958A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020217004729A
申请日：2019-07-08
申请人： 컴베리, 엘엘씨
IPC分类号： G02F1/1524 , C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/0036 , C23C14/081 , C23C14/083 , G02F1/1524
摘要： 무기 일렉트로크로믹 재료 및 제조 방법은 반응성 PDC 마그네트론을 사용한다. 여기서, 일렉트로크로믹 재료의 공동-스퍼터링 합성이 (1)카바이드 타겟으로부터 직접; (2)Si, Ge, P, B 등과 같은 비금속 원소뿐만 아니라 관련 전이 금속 및 그래파이트 타겟으로부터; (3)복합 타겟(전이 금속, 비금속 원소 및 그래파이트 분말의 미세 분말 혼합물)로부터 직접 수행된다. 스퍼터링은 1 내지 4 개의 타겟으로부터 즉시 수행될 수 있다. 공동-스퍼터링의 경우, Ar/O
2 /N
2 , Ar/H
2 /N
2 /O
2 , Ar/NH
3 /O
2 , Ar/CO/N
2 /O
2 , Ar/CO/H
2 /N
2 /O
2 , Ar/CH
4 /N
2 /O
2 and Ar/NH
3 /CO/N
2 /O
2 의 가스 혼합물의 조합이 사용될 수 있다. 이것은 증가된 전자 및 이온 전도도, 더 높은 착색 및 양호한 사이클링(수명)을 갖는 일렉트로크로믹 재료를 얻을 수 있게 한다. 또한, 눈에 중성인 회색, 검정색 및 갈색뿐만 아니라 청색의 다른 색조를 얻을 수 있다. 스퍼터링된 일렉트로크로믹 필름은 열-스플리팅" 사전-인터칼레이션된 박막에 의해 추가로 개선되었다. 이를 통해 더 고도의 착색 및 표백 속도 및 더 나은 수명을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：JP2018534423A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2018521306
申请日：2016-04-28
发明人： ホワイト, ジョン エム.
CPC分类号： H01J37/3452 , C23C14/042 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01J37/32779 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01L21/203 , H01L21/67
摘要： 本開示は、基板(10)上にスパッタ堆積を行うように構成された装置(100)を提供する。装置(100)は、回転軸(1)の周りで回転可能な円筒形スパッタカソード(100)と、円筒形スパッタカソード(110)の対向する側に第1のプラズマレーストラック(130)と第2のプラズマレーストラック(140)とを提供するように構成され、各々が2つの磁極と一または複数の副磁石とを有し、且つ第1のプラズマレーストラック(130)と第2のプラズマレーストラック(140)の両方を生成するように構成された2、3、又は4つの磁石を含む磁石アセンブリ(120)とを含む。 【選択図】図2A
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公开(公告)号：JP2018532890A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2018521318
申请日：2016-01-29
发明人： ホワイト, ジョン エム.
IPC分类号： C23C14/04
CPC分类号： H01J37/3452 , C23C14/042 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01J37/32779 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01L21/203 , H01L21/67
摘要： 基板(10)上での真空堆積のための装置(100)が、提供される。装置(100)は、堆積エリアを有する真空チャンバ(110)、堆積エリア内の1以上の堆積源(120)であって、移送方向(1)に沿って1以上のスパッタ堆積源(120)を通過するように基板(10)が移送される間の基板(10)上での真空堆積のために構成された、1以上の堆積源(120)、並びに、堆積エリア内のマスキング構成(130)であって、基板(10)がマスキング構成(130)及び1以上の堆積源(120)を通過する間に、基板(10)の第1の端部分と第2の端部分のうちの少なくとも一方をマスキングするように構成された、マスキング構成(130)を含む。第1の端部分と第2の端部分は、基板(10)の両側の端部分である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018532888A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2018521212
申请日：2016-04-28
发明人： ホワイト, ジョン エム. , グラウ, オリヴァー
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/54 , C23C16/44 , H01L21/677 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3452 , C23C14/042 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01J37/32779 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01L21/203 , H01L21/67
摘要： 本開示は、基板(10)上の真空堆積のための装置(100)を提供する。装置(100)は、第1の領域(112)及び第1の堆積領域(114)を有する真空チャンバ(110)、第1の堆積領域(114)における1つ又は複数の堆積源(120)であって、少なくとも第1の基板(10)が1つ又は複数の堆積源(120)を通り過ぎるように第1の搬送方向(1)に沿って搬送されている間の、少なくとも第1の基板(10)上の真空堆積のために構成されている、1つ又は複数の堆積源(120)、及び第1の領域(112)内の第1の基板搬送ユニット(140)であって、少なくとも第1の基板(10)を、第1の領域(112)の中で、第1の搬送方向(1)とは異なる第1のトラック切り換え方向(4)に移動させるように構成されている、第1の基板搬送ユニット(140)を含む。 【選択図】図1B
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公开(公告)号：JP2018517849A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2018517475
申请日：2016-06-16
发明人： シュナイダー ギュンター , ヒュッテンヒュイス シュテファン , フーア マルクス
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/352 , G02B1/10 , H01J37/32403 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/347
摘要： レンズのコーティングのための装置、方法および使用が提案され、コーティングされるべきレンズは、これらレンズがそれぞれターゲットの均一被着領域と非均一被着領域の両方と重なり、そしてレンズが回転して特に一様なコーティングが達成されるよう1対ずつ互いに平行な管状ターゲット上に配置される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6307062B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2015502112
申请日：2012-03-30
发明人： グリルマイヤー, ユルゲン , ジルバウアー, トーマス ウェルナー
CPC分类号： G02B1/116 , C23C14/35 , C23C14/352 , G02B1/105 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B5/285 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3429 , H01J2237/332
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公开(公告)号：JP2018003152A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017111988
申请日：2017-06-06
申请人： 芝浦メカトロニクス株式会社
发明人： 伊藤 昭彦
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/205 , C23C14/352 , C23C14/505 , H01J37/32715 , H01J37/3429 , H01L23/552 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要： 【課題】冷却手段を用いなくとも、電子部品の温度上昇を抑制し、ミクロンレベルの成膜ができる成膜装置、成膜製品の製造方法及び電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】スパッタガスGが導入される容器であるチャンバ200と、チャンバ200内に設けられ、ワークWを円周の軌跡で循環搬送する搬送部300と、搬送部300により循環搬送されるワークWに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源4を有するとともに、スパッタ源4によりワークWが成膜される成膜ポジションM1、M2を区切る区切部を有する成膜処理部400A〜400Dとを有する成膜装置100。区切部5は、円周の軌跡のうち、成膜中の成膜ポジションM1、M2を通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジションM1、M2以外の領域を通過する軌跡が長くなるように、各成膜処理部400A〜400Dを区切るべく配置されている成膜装置100。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017226913A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2017115867
申请日：2017-06-13
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , C23C14/086 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/3447 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 【課題】機能分離が可能な新規なスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】半導体膜を成膜可能なスパッタリング装置であって、スパッタリング装置は、第1のターゲットと、第1のターゲットに接続される第1の電源と、第1のターゲットに対向して設けられる第1のシャッタと、第1のシャッタに接続される第1の駆動部と、第2のターゲットと、第2のターゲットに接続される第2の電源と、第2のターゲットに対向して設けられる第2のシャッタと、第2のシャッタに接続される第2の駆動部と、を有し、第1の駆動部と、第2の駆動部とは、互いに連動する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6207499B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2014505524
申请日：2012-03-30
发明人： クラスニッツァー,ジークフリート , リューム,クルト
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01J37/3467 , H01J37/3497
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公开(公告)号：JP6204094B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013147428
申请日：2013-07-16
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
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