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公开(公告)号:JP5474174B2
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:JP2012500682
申请日:2011-02-21
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , H01J2237/2811 , H01J2237/2817 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号:JPWO2011155122A1
公开(公告)日:2013-08-01
申请号:JP2012519216
申请日:2011-05-13
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: H01J37/28 , G01N23/2251 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/20 , H01J2237/221 , H01J2237/2817
Abstract: 回路パターンが形成された試料基板を試料ステージに載置し、試料ステージを所定方向に移動させ、試料ステージの移動と交差する方向にビームを走査させて、試料から発生する二次信号を検査画像として検出することにより回路パターンを検査する回路パターン検査装置において、試料ステージの移動とビームの走査の速度とをパターンが高密度の領域では遅く、パターンが低密度の領域では速くすることにより、検査画像の画像寸法を変えて検査を実行する。これにより、デバイスのパターン密度やパターン特性に応じた適切な感度で高速に検査することができる。
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公开(公告)号:JPWO2011102511A1
公开(公告)日:2013-06-17
申请号:JP2012500682
申请日:2011-02-21
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , H01J2237/2811 , H01J2237/2817 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半導体ウエハの製造工程において欠陥が発生しやすい半導体ウエハのパターン境界などの領域を、領域毎にビームの走査方向を変えながら選択的に検査することにより、効率的な半導体ウエハの検査を可能とする回路パターン検査装置を提供する。従来1次元走査のみしか行われていなかったステージ連続移動方式の回路パターン検査装置での検査動作において、2次元ビーム偏向制御を導入する。すなわち、ステージ移動方向と平行な第1の方向への電子線偏向制御と、ステージ移動方向と交差する第2の方向への電子線偏向制御とを併用することにより、スワス内に設定される任意の被検査領域の画像取得を可能とする。電子線偏向の偏向信号振幅や信号立ち上がり・立下りなどのタイミングは、検査条件に応じて適宜制御される。
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公开(公告)号:JP5124002B2
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:JP2010210564
申请日:2010-09-21
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2200/24 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/2817
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公开(公告)号:JPWO2010106837A1
公开(公告)日:2012-09-20
申请号:JP2011504771
申请日:2010-02-01
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N23/225 , H01L21/66
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 従来手法では、検出した欠陥に対する効率的な解析が考慮されていない。検出画像と予め取得しておいた正常部と欠陥部の部分画像と照合することにより、検出画像の欠陥を判定する。この後、部分画像と検出画像を合成して、検出画像の識別性を向上させたレビュー画像を生成する。これにより、オペレータは、検出された欠陥に対する判断を容易に行うことができる。
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公开(公告)号:JP4914604B2
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:JP2005353351
申请日:2005-12-07
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/026 , H01J37/292 , H01J2237/0048 , H01J2237/2817
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公开(公告)号:JP4606969B2
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:JP2005236305
申请日:2005-08-17
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N23/225 , H01J37/21 , H01J37/29 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/21 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J37/29 , H01J2237/216 , H01J2237/2443 , H01J2237/2446 , H01J2237/262
Abstract: An apparatus and method for electron beam inspection with projection electron microscopy, is constructed so as to allow correction of changes in focus offsets due to changes in the electrically charged state particularly during inspection. The apparatus includes: a focus measure sensor unit; a focus measure calculation unit which calculates focus measure from the multiple image signals converted by the focus measure sensor unit; a focus position calculation unit which calculates the height of a confocal plane conjugate to the plane of convergence of a planar electron beam by an objective lens, on the basis of the calculated focus measure, and then calculates the focus position of the objective lens on the basis of the calculated height of the confocal plane; and a focus position correction unit which corrects the focus position of the objective lens according to the calculated focus position of the objective lens.
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