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公开(公告)号：JP6624123B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2017042913
申请日：2017-03-07
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: H01M8/00 , H01M8/04701 , H01M8/04225
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公开(公告)号：JP2017111003A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015245383
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: B81B3/00 , H01L29/84 , G01C19/5755
Abstract: 【課題】対向電極対とスライド電極によって可動部を励振可能なMEMS装置において、可動部が他軸に励振されることを抑制することが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示するMEMS装置は、基板と、基板に対して弾性的に支持されている第1可動部と、第1対向電極対と第1スライド電極を備える第1電極構造と、第2対向電極対と第2スライド電極を備える第2電極構造を備えている。第1対向電極対および第1スライド電極の一方は、第1可動部に対してスライド方向に移動不能である。第2対向電極対および第2スライド電極の一方は、第1可動部に対してスライド方向に移動不能である。スライド方向に関して、第1スライド電極は第1対向電極対に対してオフセットして配置されており、第2スライド電極は第2対向電極対に対してオフセットせずに配置されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6551436B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2017033389
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: H01M8/02 , H01M8/1213
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公开(公告)号：JP2018181448A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017074561
申请日：2017-04-04
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
Abstract: 【課題】基板に積層された絶縁膜によって電解質膜が支持された固体酸化物型の燃料電池において、燃料電池がオン/オフを繰り返した時の電解質膜の破損を抑制することが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書は、固体酸化物型の燃料電池を開示する。その燃料電池は、上面に向けて開口するキャビティを備える基板と、基板の上面に積層された絶縁膜と、絶縁膜に支持された電解質膜を備えている。その燃料電池では、燃料電池を上方から平面視したときに、キャビティの輪郭が電解質膜の輪郭の周囲を囲んでいる。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2018163753A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2017059320
申请日：2017-03-24
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
CPC classification number: H01M8/1273 , C01B33/12 , H01M8/1213 , H01M8/1246 , H01M8/1286 , H01M2008/1293 , H01M2250/30
Abstract: 【課題】低温において作動させることが可能であり、しかも信頼性の高い固体酸化物形燃料電池を提供すること。 【解決手段】固体酸化物形燃料電池10aは、貫通孔を備えたSi支持基板20と、Si支持基板20の表面に形成された、酸素イオン伝導性の固体酸化物を含む電解質膜30と、電解質膜30の表面(Si支持基板20とは反対側の面)に形成された第1電極42と、電解質膜30の裏面であって、少なくとも貫通孔から露出してる面に形成された第2電極44とを備えている。電解質膜30は、固体酸化物からなり、かつ、内部に空隙を含む多孔質層32と、多孔質層32の表面(Si支持基板20とは反対側の面)に形成された第1緻密層34と、多孔質層32の裏面であって、Si支持基板20との界面に形成された第2緻密層36とを備えている。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018139186A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2017033389
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: H01M8/02
CPC classification number: H01M8/0289 , H01M8/0267 , H01M8/1004 , H01M8/1007 , H01M8/1016 , H01M8/1097 , H01M8/1246 , H01M8/2425 , H01M2008/1293
Abstract: 【課題】少ないエネルギで電解質膜を昇温することのできる燃料電池を提供する。 【解決手段】燃料電池10は、基板8と、電解質膜6と、第1及び第2電極膜5、7と、絶縁膜3とヒータ4を備えている。基板8には、燃料ガスが通る窪み9が設けられている。電解質膜6は窪み9の開口を覆っている。絶縁膜3は、電解質膜6の一方の面を覆っているとともに、電解質膜6に達する貫通孔3aを備えている。第1電極5は、貫通孔内で電解質膜6の一方の面に接しており、第2電極膜7は電解質膜6の他方の面に接している。ヒータ4は、貫通孔3aに隣接する位置で絶縁膜3に配置されている。電解質膜6の近傍でヒータ4が電解質膜6を昇温する。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP6191660B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2015145787
申请日：2015-07-23
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
Inventor： 船橋 博文 , 尾崎 貴志 , 青柳 勲 , 明石 照久 , 大村 義輝 , 島岡 敬一 , 野々村 裕 , 藤塚 徳夫 , 藤吉 基弘 , 畑 良幸 , 村田 香苗 , 成田 哲生 , 冨田 一義
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L21/337 , H01L23/427
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/4882 , H01L23/427 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L2924/0002
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公开(公告)号：JP6175868B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2013077393
申请日：2013-04-03
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: H01L29/84 , B81B3/00 , G01C19/5762
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公开(公告)号：JP2016039370A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015145787
申请日：2015-07-23
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
Inventor： 船橋 博文 , 尾崎 貴志 , 青柳 勲 , 明石 照久 , 大村 義輝 , 島岡 敬一 , 野々村 裕 , 藤塚 徳夫 , 藤吉 基弘 , 畑 良幸 , 村田 香苗 , 成田 哲生 , 冨田 一義
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/808 , H01L23/473
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/4882 , H01L23/427 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L2924/0002
Abstract: 【課題】伝熱性能が向上した支持層を有する半導体装置を提供すること。 【解決手段】半導体装置3は、支持層10及び半導体層20を備える。半導体層20は、支持層10上に設けられている。半導体層20には、横型のHFETを構成するチャネル層22及びバリア層24が形成されている。支持層10は、作動液14が封入される複数の直線流路12を含む。複数の直線流路12は、支持層10の厚み方向に沿って伸びる。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有提高的传热性能的支撑层的半导体器件。解决方案：半导体器件3包括支撑层10和半导体层20.半导体层20设置在支撑层10上。 形成构成水平型HFET的半导体层20，沟道层22和势垒层24。 支撑层10包括多个直流通道12，其中工作流体14被密封。 多个直流通道12沿着支撑层10的厚度方向延伸。选择的图示：图2
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公开(公告)号：JP5696686B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2012122267
申请日：2012-05-29
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
IPC: G01P15/18 , G01P15/08 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00825 , G01C19/5762 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , B81B2201/0235 , B81B2203/033 , B81B2203/0392 , G01P2015/0814 , G01P2015/084
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