公开(公告)号：JP2009518680A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：JP2008544241

申请日：2006-11-27

Applicant: 韓國電子通信研究院Electronics and Telecommunications Research Institute

Inventor： ジン ホ イ ,  ワン ヨン カン ,  デ ジュン キム ,  ユン ホ ソン ,  ジン ウ チョン

IPC: G09G3/22 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  G09G3/22 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: 本発明は、電流を基盤として駆動することができ、薄膜トランジスタによる漏洩電流を防止することができるアクティブマトリックス電界放出ディスプレーを提供する。 本発明の電界放出ディスプレーは、蛍光体の陰極発光が発生する発光素子部と、前記各発光素子部を駆動するための薄膜トランジスタ部と、を含む多数個の単位ピクセル;前記各単位ピクセルにスキャン信号を印加するための電流ソース;及び前記各単位ピクセルにデータ信号を印加するための電圧ソースを含むことを特徴とする。 ここで、前記電流ソースのオン電流(ｏｎ−ｃｕｒｒｅｎｔ)は与えられた書き取り時間(ｗｒｉｔｉｎｇ ｔｉｍｅ)内にスキャン行の負荷抵抗(ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ)及び容量(ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ)が耐えられるほど充分に大きくて、前記電流ソースのオフ電流(ｏｆｆ−ｃｕｒｒｅｎｔ)は各ピクセルで電子放出が無視きるほど低い値を有する。 また、前記電圧ソース(ｖｏｌｔａｇｅ ｓｏｕｒｃｅ)で印加されるデータ信号のパルス振幅(ａｍｐｌｉｔｕｄｅ)またはパルス幅を変化させてディスプレーの階調を表現する。

公开(公告)号：JP2008543008A

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：JP2008514166

申请日：2006-05-29

Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク

Inventor： ブリジット・モンマユール ,  ロベール・メイヤー

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  D01F9/127 ,  H01J1/3048 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

Abstract: 本発明は、陰極導電体として陰極層を構造化するために陰極層を堆積する段階及びエッチングする段階と、格子導電体として格子層を構造化するために格子層を堆積する段階及びエッチングする段階と、キャビティを与えるように前記抵抗層に達するまで絶縁層と格子導電体を堆積する段階及びエッチングする段階と、陰極導電体と格子導電体との交差点に有孔構造体を有する陰極導電体を与えるために陰極導電体を堆積する段階及びエッチングする段階と、を含む三極管型の陰極構造体の製造方法に関する。

公开(公告)号：JP3992081B2

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：JP51292798

申请日：1997-09-04

Applicant: マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッドMicron Technology, Inc.

Inventor： デイビッド エイ． キャセイ， ,  デイビッド エイ． ジムリック， ,  クレイグ エム． ダンハム， ,  グレン イー． ハッシュ， ,  マニー ケイ． エフ． マ，

IPC: G09G3/22 ,  H01J29/04 ,  G09G3/20 ,  H01J3/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/92

公开(公告)号：JP3961045B2

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：JP12225496

申请日：1996-04-19

Applicant: ヒューレット・パッカード・カンパニーHewlett−Packard Company

Inventor： フエル−ペイ・クオ

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J3/02 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP3904628B2

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：JP10443296

申请日：1996-03-29

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： ロバート・ティー・スミス

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  G09G3/22 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J31/12 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/22 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP3878365B2

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：JP25586999

申请日：1999-09-09

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 雅一 佐川 ,  敏明 楠 ,  睦三 鈴木

IPC: H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  G09F9/30 ,  G09G3/22 ,  H01J1/312 ,  H01J9/50 ,  H01J29/04

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP3616418B2

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：JP5517895

申请日：1995-02-21

Applicant: ピクセル アンタルナシオナル ソシエテ アノニムPixel International S. A.

Inventor： クレルク ジャン−フレデリク

IPC: H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP4418164B2

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：JP2003097388

申请日：2003-03-31

Applicant: レックス メディカル リミテッド パートナーシップ

Inventor： エイチ． ピータース ウォルター ,  エフ． マクガッキン ジュニア ジェイムズ ,  ダブリュー． ジェイ． ヒンクリフ ピーター

IPC: A61B17/22 ,  A61B17/00 ,  A61B17/32 ,  A61F2/958 ,  H01J1/304

CPC classification number: A61B17/320758 ,  A61B17/22 ,  A61B17/22032 ,  A61B2017/00734 ,  A61B2017/22084 ,  A61B2017/320008 ,  A61B2017/320733 ,  A61M25/0032 ,  A61M25/0041 ,  A61M25/10 ,  A61M25/1011 ,  A61M2025/0681 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP2009515311A

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：JP2008539907

申请日：2006-06-28

Applicant: 韓國電子通信研究院Electronics and Telecommunications Research Institute

Inventor： ジン ホ イ ,  クァン ヨン カン ,  デ ジュン キム ,  ユ ホ ソン ,  ジン ウ チョン

IPC: H01J31/12 ,  H01J9/02 ,  H01J29/96 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/22 ,  B82Y10/00 ,  G09G2300/08 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319

Abstract: 本発明は、電界放出素子を平板ディスプレイ装置に応用した電界放出ディスプレイに関する。 本発明の電界放出ディスプレイは、基板上に直列に接続された第１及び第２の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極上に位置する電界エミッタと、電界エミッタの周りを取り囲むゲートホールを有するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置する電界放出ゲート電極とを備えたカソード板と、透明な基板上に形成された赤色，緑色，青色の蛍光体を備え、カソード板とお互いに対向しながら平行に真空パッケージングされるアノ−ド板とを含むことを特徴とする。 本発明によれば、直列に接続された第１及び第２の薄膜トランジスタとピクセル間だけではなくピクセル内部の均一度を大きく改善させることができ、薄膜トランジスタの固有したソース−ドレイン漏洩電流を大きく減少させることができ、これによって電界放出ディスプレイの明暗比を大きく向上させることができる。

公开(公告)号：JP2007194087A

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：JP2006011663

申请日：2006-01-19

Applicant: Matsushita Electric Ind Co Ltd ,  松下電器産業株式会社

Inventor： HIROSE YUTAKA ,  TAKIGAWA SHINICHI

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J29/92 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0494 ,  H01J2329/92

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission device high in electron emission efficiency. SOLUTION: The device 100 includes: a SiC substrate 11 having a region 17 with its surface or inside exposed, and having a (0001) surface as a principal surface; an electron emission layer 12 formed on a C surface of the substrate 11 and formed out of carbon; and an electrode 18 formed in the region 17. The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11. The electron emission layer 12 is formed in a part of the C surface of the substrate 11, and the electrode 18 may be formed in a region of the C surface of the substrate 11 where the electron emission layer 12 is not formed. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供高电子发射效率的电子发射装置。 解决方案：装置100包括：SiC衬底11，其具有其表面或内部暴露的区域17，并且具有（0001）表面作为主表面; 形成在基板11的C表面上并由碳形成的电子发射层12; 以及形成在区域17中的电极18.电极18可以形成在基板11的Si表面上。电子发射层12形成在基板11的C表面的一部分中，电极18可以是 形成在不形成电子发射层12的基板11的C表面的区域中。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT