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公开(公告)号:JP4743061B2
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:JP2006254973
申请日:2006-09-20
申请人: セイコーエプソン株式会社
发明人: ニューサム クリストファー , リー シュンプ , ラッセル デイビット , クグラー トーマス
IPC分类号: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0012 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0545 , H01L51/0566
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公开(公告)号:JP2010518640A
公开(公告)日:2010-05-27
申请号:JP2009549522
申请日:2008-02-13
申请人: エルジー・ケム・リミテッド
IPC分类号: H01L29/786 , C08G61/12 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0566 , H01L51/0036 , H01L51/0525
摘要: 本発明は、導電性粒子と有機半導体高分子とが互いに化学結合している物質を含む有機半導体層を含む有機トランジスタおよびその製造方法を提供する。
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23.Semiconductor composite membrane, method of manufacturing same, thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor, and electronic device 有权
标题翻译: 半导体复合膜,其制造方法,薄膜晶体管,制造薄膜晶体管的方法和电子器件公开(公告)号:JP2010028005A
公开(公告)日:2010-02-04
申请号:JP2008190602
申请日:2008-07-24
发明人: KAWASHIMA NORIYUKI , OE TAKAHIRO
IPC分类号: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0566 , H01L51/0004 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor composite membrane that is not only excellent in its printing characteristics but also easy to control the phase state of the film being formed, and also to provide a method of manufacturing the membrane. SOLUTION: An organic semiconductor material (a) and polymeric material (b) different from the organic semiconductor material (a) are dissolved in a solvent (c), and an ink (3) in which fine particle materials (d) are dissipated in the solvent (c) is prepared. A material layer (3a) in which the ink (3) is used is formed on a substrate (1) by a printing method. The organic semiconductor material (a) and polymeric material (b) in the material layer (3a) are not only phase separated in a direction of the film thickness, but also solidified by removing the solvent (c) in the material layer (3a). This forms the semiconductor composite membrane (5) where not only a semiconductor thin film layer (5a) containing the organic semiconductor material (a) and an insulating thin film layer (5b) containing the polymeric material (b) are laminated, but also the fine particle material (d) is dissipated. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种半导体复合膜,其不仅具有优异的印刷特性,而且易于控制所形成的膜的相态,并且还提供了制造膜的方法。 解决方案:将不同于有机半导体材料(a)的有机半导体材料(a)和聚合材料(b)溶解在溶剂(c)中,并且将细颗粒材料(d)的油墨(3) 在溶剂(c)中消散。 其中使用油墨(3)的材料层(3a)通过印刷方法形成在基板(1)上。 材料层(3a)中的有机半导体材料(a)和聚合材料(b)不仅在膜厚方向上相分离,而且通过除去材料层(3a)中的溶剂(c)而固化, 。 这形成了半导体复合膜(5),其中不仅层压含有有机半导体材料(a)的半导体薄膜层(5a)和含有聚合材料(b)的绝缘薄膜层(5b),而且还 细颗粒材料(d)消散。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP4289385B2
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:JP2006297470
申请日:2006-11-01
申请人: ソニー株式会社
IPC分类号: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0077 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/0092 , H01L51/0095 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566
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公开(公告)号:JP2009524226A
公开(公告)日:2009-06-25
申请号:JP2008550646
申请日:2006-12-20
发明人: ヤーノシュ ヴェレシュ、 , サイモン ドミニク オジェ、 , ミュンター ゼイダン、
IPC分类号: H01L51/30 , C08K5/03 , C08L101/00 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号: H01L51/0541 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0566 , H01L51/105
摘要: 【課題】有機半導体配合物を備える電子短チャネル装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ソースからドレインへのチャネル長が短く、半導体バインダーを含む有機半導体配合物を有する有機電界放射型トランジスタ(OFET)などの改良された電子装置に関する。
【選択図】図2-
公开(公告)号:JP2008515654A
公开(公告)日:2008-05-15
申请号:JP2007536710
申请日:2005-09-22
申请人: ナノシス・インク.
发明人: デヴィッド・ピー.・スタンボ , フランシスコ・エー.・レオン , ヤオリング・パン
IPC分类号: B82B1/00 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0048 , H01L51/0049 , H01L51/0541 , H01L51/0566 , H01L51/4253 , H01L51/4266 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764
摘要: 本発明は導電性ポリマー層(1又は複数)中に組み込まれ且つ/又はその近くに配置されたナノワイヤ(又はナノリボン、ナノチューブなどのその他のナノ構造体)を用いた薄膜トランジスタ、及び任意の生産規模でこのようなトランジスタを製造する方法に関する。 特に、ポリアニリン(PANI)又はポリピロール(PPY)などの導電性ポリマー物質と、その中に組み込まれた1種又は複数種のナノワイヤとを含む複合材料を開示する。 いくつかのナノワイヤ−TFT製造方法も提示するが、その代表的な態様では、デバイス基板を設け;第1の導電性ポリマー物質層をデバイス基板上にデポジットし;1又は複数のゲートコンタクト領域を導電性ポリマー層中に形成し;動作電流レベルに達するのに十分なナノワイヤの密度にて複数のナノワイヤを導電性ポリマー層上にデポジットし;第2の導電性ポリマー物質層を前記複数のナノワイヤ上にデポジットし;ソース及びドレインコンタクト領域を第2の導電性ポリマー物質層中に形成して前記複数のナノワイヤと電気接続させ、それによりナノワイヤがソース領域及びドレイン領域上の夫々の領域間の長さを有するチャンネルを形成することを含む。
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27.Organic electronic device, its manufacturing method, and organic semiconductor molecule 有权
标题翻译: 有机电子器件及其制造方法和有机半导体分子公开(公告)号:JP2007335829A
公开(公告)日:2007-12-27
申请号:JP2006297470
申请日:2006-11-01
发明人: SAI MEISEKI , YASUDA RYOICHI
IPC分类号: H01L51/30 , C07D487/22 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0077 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/0092 , H01L51/0095 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electronic device which is physically stable and relatively easy to manufacture. SOLUTION: The organic electronic device has a conductive path comprising (A) particulates, (B) first organic semiconductor molecules of first conductive type provided by bonding particulates and particulates, and (C) second organic semiconductor molecules of second conductive type captured in a molecule recognizing field existing among the particulates and particulates in a noncovalent bonding state. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译: 要解决的问题:提供物理上稳定且相对容易制造的有机电子器件。 有机电子器件具有包含(A)微粒的导电路径,(B)通过结合微粒和微粒而提供的第一导电类型的第一有机半导体分子,(C)捕获的第二导电类型的第二有机半导体分子 在分子中识别存在于非共价键合状态的颗粒和微粒之间的场。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP2007519227A
公开(公告)日:2007-07-12
申请号:JP2006540612
申请日:2004-11-25
发明人: アネミアン,レミ,マヌーク , ウィリアムズ,リチャード,トーマス , ヴェレス,ヤノス , オジール,サイモン,ドミニク , ブラウン,ビヴァリー,アンヌ , リーミン,ステファン,ウィリアム
IPC分类号: H01L51/30 , C07F7/08 , C07F7/12 , C08K5/54 , C08K5/56 , C08L35/06 , C08L39/04 , C08L101/00 , H01B1/12 , H01B1/20 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号: C08L39/04 , C07F7/0809 , C07F7/0818 , C08L35/06 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0059 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0566 , H01L51/42 , H01L51/50 , Y02E10/549 , C08L2666/02 , C08L2666/28
摘要: 有機半導体層処方であって、3.3以下の1,000Hzでの誘電率εを有する有機結合剤および式A:
式中、
R
1 、R
2 、R
3 、R
4 、R
5 、R
6 、R
7 、R
8 、R
9 、R
10 、R
11 、およびR
12 のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、独立して、水素;任意に置換されたC
1 〜C
40 のカルビルまたはヒドロカルビル基;任意に置換されたC
1 〜C
40 のアルコキシ基;任意に置換されたC
6 〜C
40 のアリールオキシ基;任意に置換されたC
7 〜C
40 のアルキルアリールオキシ基;任意に置換されたC
2 〜C
40 のアルコキシカルボニル基;任意に置換されたC
7 〜C
40 のアリールオキシカルボニル基;シアノ基(−CN);カルバモイル基 (−C(=O)NH
2 );ハロホルミル基(−C(=O)−X、式中、Xは、ハロゲン原子を示す。);ホルミル基(−C(=O)−H);イソシアノ基;イソシアネート基;チオシアネート基またはチオイソシアネート基;任意に置換されたアミノ基;ヒドロキシ基;ニトロ基;CF
3 基;ハロ基(Cl、Br、F);任意に置換されたシリル基であり、;および式中、R
2 およびR
3 および/またはR
8 およびR
9 は、C
4 〜C
40 の飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子、式−N(Ra)−(式中、Raは、水素原子または任意に置換された炭化水素基)で示される基が介在していてもよく、または任意に置換されていてもよい、;および式中、ポリアセン骨格の1または2以上の炭素原子は、N、P、As、O、S、SeおよびTeから選択されるヘテロ原子によって任意に置換されていてもよい;および式中、独立して、ポリアセンの隣接する環の位置に存在するいずれの2または3以上の置換基R
1 〜R
12 は、ともに、ポリアセンに融合した、任意にO、Sまたは−N(Ra)(Raは、上記定義のとおりである)が割り込まれたさらにC
4 〜C
40 の飽和または不飽和の環または芳香族環系を構成してもよい、;および式中、nは、0、1、2、3または4である、のポリアセン化合物を含む、前記処方。-
公开(公告)号:JP3872246B2
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:JP2000050047
申请日:2000-02-25
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/088 , H01L35/24 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号: H01L51/0541 , H01L51/0077 , H01L51/0545 , H01L51/0566
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公开(公告)号:JP6427101B2
公开(公告)日:2018-11-21
申请号:JP2015537625
申请日:2014-08-29
申请人: 宇部興産株式会社 , 国立大学法人山形大学
发明人: 時任 静士 , 熊木 大介 , 儘田 正史 , 福田 憲二郎 , 田中 康裕 , 島 秀好 , 米田 康洋 , 藤田 陽師 , 垣田 一成 , 小俣 洋治 , 山田 奈津子 , 本間 貴志 , 町田 利一
IPC分类号: H01L51/30 , H01L51/05 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/46 , C09D11/00 , H01L51/50 , C07D513/04
CPC分类号: H01L51/0071 , C07D513/02 , C07D513/04 , C09D11/52 , H01L27/3274 , H01L51/0068 , H01L51/0097 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , H01L51/4253 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , Y02E10/549
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