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1.发明专利
公开(公告)号：KR102236221B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020207015899A
申请日：2016-07-13
CPC分类号： H01L51/5016 , C07F15/0033 , C09K11/06 , H01L51/5004 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , C09K2211/1011 , C09K2211/185 , H01L2251/5346
摘要： 본 발명은 발광 효율이 높은 발광 소자이다. 발광 소자는 제 1 유기 화합물, 제 2 유기 화합물, 및 게스트 재료를 포함한다. 제 1 유기 화합물의 LUMO 준위는 제 2 유기 화합물의 LUMO 준위보다 낮다. 제 1 유기 화합물의 HOMO 준위는 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위보다 낮다. 게스트 재료의 HOMO 준위는 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위보다 높다. 게스트 재료의 LUMO 준위와 게스트 재료의 HOMO 준위의 에너지 차이는 제 1 유기 화합물의 LUMO 준위와 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위의 에너지 차이보다 크다. 게스트 재료는 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환시키는 기능을 갖는다. 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물은 엑시플렉스를 형성한다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210034702A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020217008655A
申请日：2013-07-25
IPC分类号： C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/00 , H01L51/50
CPC分类号： C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/006 , C09K11/025 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L2251/5384 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： 장수명의 발광 소자를 제공한다. 고휘도 영역에서 높은 발광 효율을 나타내는 발광 소자를 제공한다. 발광 소자는 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 함유한다. 발광층은 제1 유기 화합물, 제2 유기 화합물, 및 인광성 화합물을 함유한다. 제1 유기 화합물은 화학식 G0으로 표현된다. 제1 유기 화합물의 분자량은 500 이상 2000 이하이다. 제2 유기 화합물은 전자 수송성을 갖는다. 화학식 G0 중, Ar
1 및 Ar
2 는 각각 독립적으로 플루오레닐 기, 스피로플루오레닐 기, 또는 비페닐 기를 나타내고, Ar
3 은 카르바졸 골격을 포함하는 치환기를 나타낸다.-
公开(公告)号：KR102230988B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020190029225A
申请日：2019-03-14
申请人： 주식회사 엘지화학
CPC分类号： C07C15/20 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , C07C2603/24 , C07C2603/26
摘要： 본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자를 제공한다.
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4.发明专利
公开(公告)号：KR102230878B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020140161921A
申请日：2014-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
IPC分类号： C07D403/14 , C07D403/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0052 , C09K11/06 , H01L51/0067 , H01L51/504 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , H01L51/0054 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5044 , H01L51/5072 , H01L51/5278
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 피리미딘 유도체는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, Y
1 , Y
2 및 Y
3 는 각각 독립적으로, C, O, S 및 Si 중에서 어느 하나이고 Y
1 , Y
2 및 Y
3 중 적어도 하나는 N이며, A
1 은 탄소수 6 내지 50개의 방향족 고리화합물, 탄소수 5 내지 50의 이형고리화합물 또는 N, S, O 및 Si 원자 중 어느 하나이다.-
公开(公告)号：KR102229576B1
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020187032486A
申请日：2017-04-07
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 프랑소와 카르디나리 , 도마고즈 파빅시스 , 레기나 루슈티네츠 , 줄리엔 프레이
CPC分类号： H01L51/0062 , H01L51/0052 , C07F9/5325 , H01L51/0053 , H01L51/0077 , H01L51/5012 , H01L51/5076 , H01L51/001 , H01L51/0021 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56
摘要： 본 발명은 애노드 전극, 캐소드 전극, 적어도 하나의 방출층 및 유기 반도체 층을 포함하는 유기 발광 다이오드로서, 유기 반도체 층이 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배열되고, 유기 반도체 층이 알칼리 유기 착물 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는, 유기 발광 다이오드; 이를 제조하기 위한 방법 및 이에 포함되는 화학식 1의 화합물에 관한 것이다.
상기 식에서,
X는 O, S 또는 Se로부터 선택되고;
R
1 및 R
2 는 독립적으로 C
6 내지 C
18 아릴 기 및 C
5 내지 C
18 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 각각의 R
1 및 R
2 는 독립적으로 적어도 하나의 C
1 내지 C
12 알킬 기 또는 C
1 내지 C
12 알콕시 기, 바람직하게는 C
1 내지 C
4 알킬 기 또는 C
1 내지 C
4 알콕시 기로 치환되거나 비치환될 수 있고;
각각의 R
3 , R
4 , R
5 , 및 R
6 은 독립적으로 H, C
1 내지 C
12 알킬 기 또는 C
1 내지 C
12 알콕시 기, 바람직하게는 H, C
1 내지 C
4 알킬 기 또는 C
1 내지 C
4 알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.-
公开(公告)号：KR20210028409A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109452A
申请日：2019-09-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
IPC分类号： C07D401/04 , C07D405/14 , H01L51/00 , H01L51/50
CPC分类号： C07D401/04 , C07D401/14 , C07D405/14 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , H01L51/504 , H01L51/5044 , H01L51/5072 , H01L51/5096
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물과, 상기 유기 화합물을 발광층에 도입한 유기발광다이오드와 유기발광장치에 관한 것이다. 상기 유기 화합물은 p-타입 특성을 가지는 모이어티와 n-타입 특성을 가지는 모이어티를 가지는 바이폴라 유기 화합물이다. 상기 유기 화합물은 높은 에너지 준위와 큰 에너지 밴드갭을 가지며, 열 안정성이 우수하다. 상기 유기 화합물을 유기발광다이오드의 발광층에 도입하면, 정공과 전자가 발광물질층의 전 영역에서 균일하게 결합하면서, 발광 소자의 발광 효율과 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210027604A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190106369A
申请日：2019-08-29
申请人： 한국전자통신연구원
CPC分类号： H01L33/06 , C09K11/06 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/30 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L51/502 , H01L51/56 , C09K2211/1029 , H01L2251/303 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： 본 발명은 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하부 전극; 상기 하부 전극과 마주하여 배치되는 상부 전극; 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 양자점 발광층; 상기 하부 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 전자이동층; 및 상기 상부 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 정공이동층을 포함하고, 상기 양자점 발광층은, 양자점, 및 상기 양자점의 표면 상의 제1 리간드 및 제2 리간드를 포함하며, 상기 제1 리간드는 상기 전자이동층에 인접하고, 상기 제1 리간드는 사슬 구조의 유기 화합물이고, 상기 제2 리간드는 상기 정공이동층에 인접하고, 상기 제2 리간드는 고리 구조의 유기 화합물이며, 상기 제2 리간드의 길이는, 상기 제1 리간드의 길이보다 작은 발광 소자에 관한 것이다.
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8.发明专利
公开(公告)号：KR20210024389A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190103994A
申请日：2019-08-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
CPC分类号： H01L51/0087 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1096 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096
摘要： 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다:
상기 화학식 1 중, 각 치환기에 대한 설명은 본 명세서를 참조한다.-
公开(公告)号：JP2018536626A
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2018515481
申请日：2016-10-07
申请人： エルジー・ケム・リミテッド
IPC分类号： C07D407/12 , H01L51/50 , C07D311/96
CPC分类号： H01L51/0061 , C07D311/96 , C07D405/04 , C07D405/10 , C07D405/12 , C07D407/12 , C07D409/12 , C07D413/04 , C07D417/04 , C09K11/06 , C09K2211/1018 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/5064 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096
摘要： 本明細書は、前記化学式1で表される化合物およびこれを含む有機発光素子を提供する。
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公开(公告)号：JP2018198341A
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2018178185
申请日：2018-09-24
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5016 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/55 , H05B33/14
摘要： 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、寿命の長い発光素子を提供する 。 【解決手段】一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、ホスト材 料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとが重なり、ホスト材料の励起エネル ギーがゲスト材料の励起エネルギーに変換され燐光を発する発光素子を提供する。ホスト 材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを利用して、ホスト材料か らゲスト材料へのエネルギー移動が円滑に行われるため、該発光素子はエネルギー移動効 率が高い。したがって、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。 【選択図】図1
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