アスパラガスの水耕栽培方法
    35.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017192348A

    公开(公告)日:2017-10-26

    申请号:JP2016085100

    申请日:2016-04-21

    Abstract: 【課題】本発明の目的は、若芽の発芽率を向上させることができる、アスパラガスの水耕栽培方法を提供することである。 【解決手段】本発明によれば、養液の液面の位置を、根の浸漬率が20%より大きく100%未満になるように設定することを特徴とする、アスパラガスの水耕栽培方法が提供される。 【選択図】図2

    窒素ガスの製造方法および装置

    公开(公告)号:JP2017160079A

    公开(公告)日:2017-09-14

    申请号:JP2016045182

    申请日:2016-03-09

    Abstract: 【課題】均圧工程の後に吸着容器内に残るガスを回収して利用し、高性能化を図る方法の提供。 【解決手段】2つの吸着容器において吸着工程、均圧工程、再生工程を順次交替で繰り返し、原料ガスから窒素ガスを製造する方法。第1吸着容器1は第1の入口側1Aと第1の出口側1Bを有し、第2吸着容器2は第2の入口側2Aと第2の出口側2Bを有し、第1の出口側1Bと第2の出口側の双方に連通する貯留槽3を備え、第1吸着容器における吸着工程と均圧工程の後に、第1の出口側から第1吸着容器内のガスを貯留槽に回収して貯留する貯留工程を行い、貯留工程で貯留したガスを、第1吸着容器の再生工程のときに第1の出口側1Bから第1吸着容器に再生ガスとして送り込む。前記均圧工程は、第1の出口側と第2の出口側同士を連通させ、かつ、第1の入口側と第2の入口側同士を連通させて、第1吸着容器と第2吸着容器2を均圧にする窒素ガス製造方法。 【選択図】図1

    化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法

    公开(公告)号:JP2017150064A

    公开(公告)日:2017-08-31

    申请号:JP2016113656

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 【課題】SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板1の製造方法は、Si基板11の表面11aにSiC膜12を形成する工程と、Si基板11の裏面11bの少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えている。Si基板11の裏面11bの少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してSi基板11およびSiC膜12を相対的に動かす。 【選択図】図1

    多価アルキン化合物、その製法および用途

    公开(公告)号:JP2017115013A

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:JP2015251393

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 【課題】耐熱性に優れた多価アルキン化合物、熱硬化性樹脂組成物、熱硬化物および絶縁材料の提供。【解決手段】式(1)で表される多価アルキン化合物、及び前記多価アルキン化合物を含有する熱硬化性樹脂組成物。(Ar1はC1〜6の炭化水素置換基を1〜3個有してよい、C6〜30の芳香族性炭化水素基;X1はC6〜18の芳香族性炭化水素原子を必ず含む炭素数6〜30の炭化水素基;nは1〜10の整数;Aは、アルキン基を有する炭化水素基又は水素;Aの50%未満が水素で示される構造)【選択図】なし

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