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公开(公告)号：JP2018035014A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016167257
申请日：2016-08-29
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/306 , G03F1/62 , C30B29/36
Abstract: 【課題】製造工程の簡素化を図ることのできるペリクルの製造方法の提供。 【解決手段】Si基板21の一方の主面21aに20nm以上10μm以下のSiC膜11を形成する工程と、SiC膜11におけるSi基板21が存在する側の主面とは反対側の主面11aに、貫通孔を含み環状の支持体12を接着する工程と、支持体12を接着する工程の後で、Si基板21を除去するためにウェットエッチングすることが可能な薬液に対して、Si基板21、SiC膜11、および支持体12を相対的に動かす工程を備えた、ペリクルの製造方法。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP6944768B2
公开(公告)日：2021-10-06
申请号：JP2016167257
申请日：2016-08-29
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/306 , G03F1/62 , C30B29/36
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公开(公告)号：JP2017150064A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016113656
申请日：2016-06-07
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/56 , H01L21/308 , C23C16/42
Abstract: 【課題】SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板1の製造方法は、Si基板11の表面11aにSiC膜12を形成する工程と、Si基板11の裏面11bの少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えている。Si基板11の裏面11bの少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してSi基板11およびSiC膜12を相対的に動かす。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6753705B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2016116071
申请日：2016-06-10
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/18 , C23C16/42 , H01L21/306 , H01L21/205 , C30B29/36
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公开(公告)号：JP6753703B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2016113656
申请日：2016-06-07
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/308 , C30B29/36
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2018115094A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017008115
申请日：2017-01-20
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B23/08 , C23C16/42 , H01L21/306 , C30B29/36
Abstract: 【課題】SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板1の製造方法は、Si基板11の表面11aにSiC膜12を形成する工程と、Si基板11の裏面11bの少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えている。Si基板11の裏面11bの少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してSi基板11およびSiC膜12を相対的に動かす。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017218358A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2016116071
申请日：2016-06-10
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/18 , C23C16/42 , H01L21/306 , H01L21/205 , C30B29/36
CPC classification number: C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L21/205 , H01L21/306
Abstract: 【課題】反りの少ない基板の製造方法を提供する。 【解決手段】基板の製造方法は、Si基板11の表面にSiC膜121を形成する工程と、SiC膜121と接触するSi基板11の少なくとも一部である底面RG2を除去する工程と、底面RG2を除去する工程の後で、SiC膜121の表面に別のSiC膜を形成する工程とを備える。 【選択図】図9
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公开(公告)号：JP6825923B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2017008115
申请日：2017-01-20
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B23/08 , C23C16/42 , H01L21/306 , C30B29/36
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公开(公告)号：JP2020134870A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019031707
申请日：2019-02-25
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: G03F1/62
Abstract: 【課題】ペリクル膜の品質を向上することのできるペリクル中間体、ペルクル、ペリクル中間体の製造方法、およびペリクルの製造方法を提供する。 【解決手段】ペリクル中間体2は、Si基板31と、Si基板31の表面31aに形成されたSi酸化膜32と、Si酸化膜32の表面32aに形成されたSi層10とを備える。Si層10は、Si層10の表面10aに近づくに従ってCOP(Crystal Originated Particle)数が減少する部分である低COP部であって、Si層10の表面10aを構成する部分に形成された低COP部11を含む。 【選択図】図13
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