公开(公告)号：JP6139890B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2013007296

申请日：2013-01-18

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 木 村 信 介 ,  小 川 義 宏

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6715

公开(公告)号：JPWO2016052253A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2015548091

申请日：2015-09-18

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： 上田　倫久 ,  倫久 上田 ,  真澄 本田 ,  真澄 本田 ,  直之 森本 ,  直之 森本 ,  孝徳 井上 ,  孝徳 井上 ,  貴志 渡邉 ,  貴志 渡邉 ,  大地 濱田 ,  大地 濱田 ,  高橋　良輔 ,  良輔 高橋

IPC: B05C11/10

CPC classification number: B05C5/001 ,  B05C5/0204 ,  B05C11/1039 ,  B05C11/1042 ,  B41J2/175 ,  B41J2/17513 ,  C08G59/4215 ,  C08L63/00 ,  H01L21/6715 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/743 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H05K3/0091 ,  H05K3/285 ,  H05K2203/0759 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635

Abstract: 硬化性組成物を過度に急加熱することなくかつ短時間でヘッドから吐出可能な温度まで昇温することで、高性質な硬化性組成物を安定してかつ効率よく塗工することができる液体吐出装置を提供する。液体吐出装置(1)は、液状の組成物を貯留する第1のタンク(2)と、組成物を吐出するヘッド(3)と、第1のタンク(2)内の組成物を加熱する第1の加熱手段(4)と、第1のタンク(2)からヘッド(3)に組成物を供給する第1の流路(5)と、第1の流路(5)内を通過する組成物を、第1の加熱手段(4)よりも高い加熱温度で加熱する第2の加熱手段(6)と、ヘッド(3)から第1のタンク(2)に組成物を還流させる第2の流路(7)と、第1の流路(5)に設けられる第2のポンプ(8)と、第2の流路(7)に設けられる第1のポンプ(9)とを備え、第2の加熱手段(6)による加熱温度と、第1の加熱手段(4)による加熱温度との温度差が65℃以下である。

公开(公告)号：JPWO2015121947A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：JP2015562623

申请日：2014-02-13

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 正一 久我 ,  正一 久我

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/162 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L2223/54493

Abstract: 本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハの表面に溶媒を含む材料を塗布する塗布工程と、該材料を加熱して該溶媒を揮発させる揮発工程と、該ウエハを回転させつつ、該材料を除去するエッジリンス液を第1ノズルから該ウエハの表面の外周部へ噴射するリンス工程と、を備えたことを特徴とする。

公开(公告)号：JP6093321B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2014053972

申请日：2014-03-17

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 久保田 稔

IPC: B05C11/08 ,  B05D1/40 ,  B05D3/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B05B12/02 ,  B05B13/0242 ,  B05B13/041 ,  B05D1/005 ,  G06F19/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/6715

公开(公告)号：JP2017041513A

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015161329

申请日：2015-08-18

Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

Inventor： 稲垣 幸彦

IPC: B05C11/08 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/027

CPC classification number: B05B9/03 ,  B05D1/005 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/681

Abstract: 【課題】基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】 搬送機構により塗布処理ユニット129に基板Wが搬送され、基板Wの一面の環状領域に処理が行われる。その後、搬送機構により基板Wがエッジ露光部EEWに搬入され、基板Wの外周部の位置および環状領域の内縁部の位置が検出され、スピンチャック25の回転中心に対するスピンチャック25に保持された基板Wの中心の位置ずれ量が算出される。スケジュール管理情報に基づいて、塗布処理ユニット129への搬入時にスピンチャック25により保持された基板Wの向きとエッジ露光部EEWへの搬入時に基板回転ユニット540により保持された基板Wの向きとの関係が特定される。その関係に基づいて、スピンチャック25の回転中心に対するスピンチャック25に保持された基板Wの中心の位置ずれ方向が判定される。 【選択図】図17

Abstract translation: 为了提供旋转中心的几何中心和容易匹配的衬底处理装置和能够向基板的基板的基板处理方法。 的基板W由输送机构输送到涂覆单元129中，进行在基板W的一个表面上的环形区域中的处理。 然后，将基板W通过输送机构，将基板检测和旋转卡盘25相对于旋转卡盘25的旋转中心保持的位置和基板W的外周部的环形区域的内边缘的位置运送到边缘曝光单元EEW W的中心的位置偏移被计算。 基于调度的管理信息，通过将衬底的方向与基片的边缘曝光单元EEW的装载期间旋转单元540保持的基板W的取向之间的关系W上涂覆处理单元129的载荷时保持在旋转卡盘25 有标识。 根据这种关系，在旋转卡盘25相对于保持在旋转卡盘25的旋转的中心的基板W的中心的位置偏差的方向是确定的。 .The 17

公开(公告)号：JP6053257B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：JP2011074748

申请日：2011-03-30

Applicant: レヴィトロニクス ゲーエムベーハー

Inventor： レト ショエブ

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

公开(公告)号：JP2016198854A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2015080861

申请日：2015-04-10

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 鷹野 正宗

IPC: H01L21/301 ,  B24C9/00 ,  B24C1/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B24C1/003 ,  B24C3/22 ,  B24C3/322 ,  H01L21/6715

Abstract: 【課題】金属膜又は樹脂膜を処理する際の形状異常の抑制を可能にする処理装置を提供する。 【解決手段】試料を載置可能なステージ10と、ステージを回転させる回転機構14と、試料に物質を噴射する第1のノズル16と、試料の回転中心Cに液体を供給する第2のノズル26とを備える。表面に溝の形成されたシリコン基板Wの裏面から第1のノズルにより二酸化炭素粒子がステージ表面に対して略垂直に噴射され、移動機構18により直線的に相対移動させることで金属膜を除去する。 【選択図】図1

Abstract translation: 为了提供允许抑制的形状异常处理的金属膜或树脂膜时的处理装置。 和样品可放置台10，用于旋转台的旋转机构14，首先，第一喷嘴16，用于在样品中注入物质将液体供应至所述样品的旋转中心C的第二喷嘴 和26。 通过从硅衬底W的表面具有凹部的后表面的第一喷嘴二氧化碳颗粒是基本上垂直于台表面喷射，与线性通过移动机构18相对移动除去金属膜 。 点域1

公开(公告)号：JP6000822B2

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：JP2012257081

申请日：2012-11-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 都 ,  折居 武彦 ,  菅野 至

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728 ,  B08B3/04

公开(公告)号：JP5994736B2

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：JP2013122058

申请日：2013-06-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 宮田 雄一郎 ,  田中 啓一 ,  上田 健一 ,  塩澤 崇博

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/7684 ,  H01L2224/11916

公开(公告)号：JP2016167568A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2015047569

申请日：2015-03-10

Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

Inventor： 小林 健司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 【課題】プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび/またはプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図りながら、処理液ノズルから所望の高温に温度調節された処理液を吐出できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 【解決手段】 基板処理装置1は、薬液流路42が内部に区画されたノズル配管41と、薬液流路42が開口する吐出口46とを有する薬液ノズル7と、常温よりも高い所定の高温に保ちながら薬液を保持する循環経路22と、循環経路22に保持されている薬液を薬液ノズル7に導くための第1の薬液配管11とを含む。磁誘体材料を含んで構成されているノズル配管41の管壁41bを、誘導加熱により加熱する誘導加熱ユニット9をさらに含む。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基板处理装置和基板处理方法，其能够从预处理液喷嘴排出在预定高温下受温度控制的处理液体，同时实现预分配所需的时间的减少， /或实现用于预分配的处理液的消耗的降低。解决方案：基板处理装置1包括：化学喷嘴7，其具有喷射管41，化学流道42被分配在其内部，排出口46 化学流路42打开; 循环路径22，其保持温度保持在比常温高的预定高温下的化学物质; 以及用于将由循环路线22保持的化学品引导到化学喷嘴7的第一化学管11.基板处理装置还包括感应加热喷嘴管41的管壁41b的感应加热单元9，该感应加热单元9包括 磁感应体材料。选择图：图5