公开(公告)号：JP2017017071A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2015129137

申请日：2015-06-26

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 大川 峰司

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 【課題】ゲート漏れ電流を抑制することができるとともにターンオフ時の応答速度が速いノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。 【解決手段】第1窒化物半導体層16と、第1窒化物半導体層16(電子走行層)上に配置されているとともに第1窒化物半導体層16よりもバンドギャップが大きい第2窒化物半導体層18(電子供給層)と、第2窒化物半導体層18上に配置されているp型半導体層34(ゲート層)と、p型半導体層34上に配置されているゲート電極36を有している。ゲート電極36とp型半導体層34の間に、p型半導体層34からゲート電極36に向う方向において流れるホールに対して第1の障壁を有する第1界面38a(オーミック界面)と、p型半導体層34からゲート電極36に向かって流れるホールに対して第1の障壁よりも大きい第2の障壁を有する第2界面37a(ショットキー界面)とが、並列に配置されている。 【選択図】図1

Abstract translation: 在关断时的响应速度，能够抑制栅极漏电流，以提供一个快速常关型氮化物半导体器件。 和第一氮化物半导体层16，第二氮化物的带隙比所述第一氮化物半导体层16与设置在所述第一氮化物半导体层16（电子渡越层）大的半导体 包括层18（电子供给层），和第二氮化物半导体层18形成p与设置在半导体层34（栅极层），设置在所述p型半导体层34上的栅电极36上 有。 在栅电极36和p型半导体层34，具有针对从在栅电极36（欧姆接口）的p型半导体层34的方向上流动的孔的第一阻挡的第一接口38A，p型半导体之间 具有第二阻挡比对来自层34与栅电极36和（肖特基界面）流动的空穴在第一阻挡较大的第二接口部37a平行布置。 点域1

公开(公告)号：JP2016207830A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2015087749

申请日：2015-04-22

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 石田 崇 ,  大川 峰司

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368

Abstract: 【課題】短チャネル効果を抑制しながら、実質的なチャネル長を短くする絶縁ゲート型スイッチング素子を提供する。 【解決手段】半導体基板(デバイス層)14と、ゲート絶縁膜72と、ゲート電極74を有している。半導体基板14が、第1導電型の第1半導体領域54(ドリフト領域)と、第1半導体領域54に隣接する位置で表面に露出している第2導電型のメインベース領域42と、メインベース領域42に隣接する位置で表面に露出している第2導電型の表層ベース領域44と、表層ベース領域44に対して裏面側から接している第1導電型の第2半導体領域52を有している。表層ベース領域44の厚みが、メインベース領域42の厚みよりも薄く、20nm以下である。ゲート電極74が、第1半導体領域54、メインベース領域42及び表層ベース領域44の上部に跨って配置されている。 【選択図】図1

Abstract translation: 甲同时抑制短沟道效应，以提供绝缘栅型的开关元件，以减少大量的沟道长度。 与半导体基板（器件层）14，栅极绝缘膜72和栅极电极74。 在半导体衬底14，第一导电类型的第一半导体区域（漂移区）的54，并且被暴露在表面上的位置处邻近所述第一半导体区域54在主基区42中的第二导电类型，所述主基座 表面层基区44的第二导电型，在邻近于区域42中，与表面层的基础区域44的背面侧接触的第一导电类型的第二半导体区52的位置处暴露于表面 有。 表面层基区44的厚度比上述主基区42的厚度薄为20nm或更小。 栅电极74是，第一半导体区54被定位在整个主基区42的顶部和表面基材区44。 点域1

公开(公告)号：JP2015082523A

公开(公告)日：2015-04-27

申请号：JP2013218238

申请日：2013-10-21

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 大川 峰司 ,  江口 博臣 ,  金原 啓道 ,  池田 智史

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/735 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

Abstract: 【課題】耐圧を向上しながら、電流増幅率を向上させることができるバイポーラトランジスタを開示する。 【解決手段】バイポーラトランジスタ10は、p型のエミッタ領域40と、p型のコレクタ領域20と、エミッタ領域40とコレクタ領域20の間に設けられたn型のベース領域30と、ベース領域30の下方に設けられたp型の第1埋込領域50と、ベース領域30よりもn型不純物濃度が低いn型領域18を有している。ベース領域30は、第1埋込領域50の上方に位置する第1高濃度領域32及び低濃度領域34と、低濃度領域34よりもコレクタ領域20側に位置する第2高濃度領域35を有しており、第2高濃度領域35のn型不純物濃度は、低濃度領域34のn型不純物濃度よりも高い。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够提高其电流放大系数同时提高其耐受电压的双极晶体管。解决方案：双极晶体管10包括：p型发射极区域40; p型集电极区域20; 设置在发射极区域40和集电极区域20之间的n型基极区域30; 设置在基部区域30下方的p型第一埋入区域50; 以及具有比基极区域30低的n型杂质浓度的n型区域18.基极区域30具有位于第一掩埋区域50上方和上方的第一高浓度区域32和低浓度区域34， 以及比低浓度区域34更靠近集电极区域20侧的第二高浓度区域35.第二高浓度区域35的n型杂质浓度高于第二高浓度区域35的n型杂质浓度 低浓度区域34。