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公开(公告)号:JP2015130744A
公开(公告)日:2015-07-16
申请号:JP2014001069
申请日:2014-01-07
Applicant: 株式会社東芝
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/158 , H02M1/36 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 【課題】 回路規模の増大を抑えつつ、起動時の突入電流を抑えることのできる電源回路を提供する。 【解決手段】 実施形態の電源回路は、出力スイッチであるPMOトランジスタM1と、ロードスイッチであるPMOトランジスタM3と、基準電圧生成部1と、ソフトスタート電圧生成部2と、帰還電圧生成部3と、エラーアンプ4と、エラーアンプ5と、オフセット制御部6と、オフセット制御部7とを備える。エラーアンプ4は、ソフトスタート電圧Vssにオフセット電圧Vos1が加えられたソフトスタート電圧Vs1と基準電圧VREFのうちの低い方の電圧と、帰還電圧VFBとの差を増幅して、PMOトランジスタM1の導通を制御する。エラーアンプ5は、ソフトスタート電圧Vssにオフセット電圧Vos2が加えられたソフトスタート電圧Vs2と帰還電圧VFBとの差を増幅して、PMOトランジスタM3の導通を制御する。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供能够抑制启动期间的浪涌电流的电源电路,同时抑制电路规模的增加。解决方案:电源电路包括作为输出开关的PMO晶体管M1,PMO晶体管M3为 负载开关,参考电压生成单元1,软启动电压生成单元2,反馈电压生成单元3,误差放大器4,误差放大器5,偏移控制单元6和偏移控制单元7。 误差放大器4放大反馈电压VFB与通过将软启动电压Vss和参考电压VREF相加的偏移电压Vos1获得的软启动电压Vs1中的较低值之间的差来放大,以控制PMO的导通 晶体管M1。 误差放大器5放大反馈电压VFB与通过将软启动电压Vss相加的偏移电压Vos2而获得的软启动电压Vs2之间的差,来控制PMO晶体管M3的导通。
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公开(公告)号:JP2015115434A
公开(公告)日:2015-06-22
申请号:JP2013255886
申请日:2013-12-11
Applicant: 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F27/006 , H01F27/2823 , H02M3/1588 , H02M3/33507 , H02M3/33569 , H02M3/33592 , H01F2027/2809 , H02M2001/009 , H02M2003/1586 , Y02B70/1466 , Y02B70/1475
Abstract: 【課題】磁気結合インダクタにおけるジュール損失を低減する。 【解決手段】磁気結合インダクタ28,32は、磁気的に結合された一対の巻線68,70を有する。一対の巻線68,70には、同相の電流および逆相の電流の両方が流れるとともに、各巻線はいずれも巻線の軸方向における一層において複数ターンを有する。一対の巻線68,70の互いに逆相の電流を流す一層の巻線同士が巻線の軸方向に対向配置されている。 【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题:减少磁耦合电感器中的焦耳损耗。解决方案:磁耦合电感器28,32具有磁耦合的一对绕组68,70。 通过一对绕组68,70和每个绕组的同相和反相流动的电流在其轴向方向上具有一层的多个匝。 馈送反相电流的一层的绕组被布置成在其轴向上彼此面对。
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公开(公告)号:JP5728433B2
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:JP2012131757
申请日:2012-06-11
Applicant: 株式会社東芝
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1582 , H02M3/1563 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
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公开(公告)号:JP5726719B2
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:JP2011276725
申请日:2011-12-19
Applicant: 株式会社東芝
Inventor: 宮崎 隆行
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M1/38 , Y02B70/1466
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公开(公告)号:JP2015053300A
公开(公告)日:2015-03-19
申请号:JP2013183695
申请日:2013-09-05
Applicant: 富士電機株式会社 , Fuji Electric Co Ltd
Inventor: IWATA HIDEKI
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08
CPC classification number: H01L27/088 , H01L27/0883 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M3/158 , H02M3/1588
Abstract: 【課題】相互インダクタンス負荷に接続し、半導体装置内に形成される寄生トランジスタの動作を抑制し、ST端子の電圧を常時正規の電圧に確実に維持することができる半導体装置を提供する。【解決手段】相互インダクタンス負荷に接続する半導体装置において、GND端子に分圧ダイオード40を設け、分圧ダイオード40のアノード40bをGND端子に接続し、カソード40aをST−MOS回路8を構成する横型nMOSFET8a,8bのバックゲートに接続する。これにより、横型nMOSFETの寄生トランジスタ38が誤動作することを抑制できて、ST端子は常時正規の電圧を確実に維持することができる。【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题:为了提供连接到互感负载的半导体器件,禁止在半导体器件中形成的寄生晶体管的操作,并且始终将ST端子的电压成功维持在正常模式电压。解决方案: 连接到互感负载的半导体器件包括设置在GND端子上的分压二极管40,其中分压二极管40的阳极40b连接到GND端子,并且分压二极管40的阴极40a被连接 到构成ST-MOS电路8的横向nMOSFET 8a,8b的背栅极。这可以防止横向nMOSFET的寄生晶体管38引起故障,使得ST端子可以始终保持在正常模式电压。
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公开(公告)号:JP5644786B2
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:JP2012012742
申请日:2012-01-25
Applicant: トヨタ自動車株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/158 , B60L7/14 , B60L11/005 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L15/007 , B60L15/2009 , B60L2210/10 , B60L2210/40 , B60L2220/14 , B60L2240/421 , B60L2240/423 , B60L2240/529 , B60L2240/80 , B60L2260/44 , H02M3/1588 , Y02T10/6217 , Y02T10/642 , Y02T10/645 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7216 , Y02T10/7241 , Y02T10/7275
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公开(公告)号:JP2014225259A
公开(公告)日:2014-12-04
申请号:JP2014096822
申请日:2014-05-08
Applicant: フリボ ゲラーテバウ ゲーエムベーハー , Friwo Geraetebau Gmbh , フリボ ゲラーテバウ ゲーエムベーハー
Inventor: ANDREAS HAGEMEYER , INGOLF BONKHOFF
IPC: G06F1/26 , H03K19/0175
CPC classification number: H02M3/1563 , H02M3/156 , H02M3/1588 , H04B3/548 , H04B3/56 , H04B2203/547 , H04B2203/5491
Abstract: 【課題】コモンモードのチョーク回路に代えて、改善されたチョーク回路およびKNXTPバス用の能動チョーク回路を組み込んだバス電源を提供する。【解決手段】チョーク回路220は、第1の入力端子と第1の出力端子との間に接続されたインダクタL11と、第2の出力端子から出力される電圧レベルを増加させるために第2の入力端子と第2の出力端子との間に接続されたブースト回路222と、ブースト回路を迂回するためにブースト回路に並列に接続されたスイッチング素子T12と、インダクタの両端間の電位差を検出するために第1の入力端子と第1の出力端子との間に接続された比較器CMPとを備え、比較器が閾値より高い電位差を検出するとスイッチング素子をOFF状態になるように制御し、比較器が閾値より低いまたは閾値に等しい電位差を検出するとスイッチング素子をON状態になるように制御する。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种改进的扼流圈电路来代替共模扼流圈,并提供总线电源,其具有用于所包含的KNXTP总线的有源扼流圈。解决方案:扼流电路220包括:电感器 L11,其连接在第一输入端子和第一输出端子之间; 升压电路222,其连接在第二输入端子和第二输出端子之间,用于增加要从第二端子输出的电压电平; 开关元件T12并联连接到用于使升压电路迂回的升压电路; 以及比较器CMP,其连接在第一输入端子和第一输出端子之间,用于检测电感器两端之间的电位。 当比较器检测到高于阈值的电位时,开关元件被控制为处于截止状态,并且当比较器检测到低于阈值或等于阈值的电位时,开关元件被控制为 以处于ON状态。
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公开(公告)号:JP2014165937A
公开(公告)日:2014-09-08
申请号:JP2013032110
申请日:2013-02-21
Applicant: Toshiba Corp , 株式会社東芝
Inventor: TEH CHEN KONG
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/158 , H02M3/1588 , H02M2001/0003 , Y02B70/1466
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of speedily supplying an appropriate power supply voltage according to the operation state of functional block integrated in a semiconductor chip.SOLUTION: A semiconductor device has a first semiconductor chip 1 which has a first power supply terminal and in which a circuit block operating by a power supply voltage supplied to the first power supply terminal is integrated. It also has a power supply circuit which includes switching transistors 8 and 9 and supplies the power supply voltage to the first power supply terminal. In addition, it includes a DCDC control unit 6 which is formed within the first semiconductor chip and which generates a control signal for controlling the on/off of the switching transistors in response to voltage information signal according to an information signal from the circuit block and an output voltage of the power supply circuit.
Abstract translation: 要解决的问题:提供能够根据集成在半导体芯片中的功能块的操作状态快速地提供适当的电源电压的半导体器件。解决方案:半导体器件具有第一半导体芯片1,其具有第一电源 并且其中通过提供给第一电源端子的电源电压进行操作的电路块被集成。 它还具有包括开关晶体管8和9的电源电路,并将电源电压提供给第一电源端子。 另外,它包括形成在第一半导体芯片内的DCDC控制单元6,并根据来自电路块的信息信号响应于电压信息信号产生用于控制开关晶体管的导通/截止的控制信号;以及 电源电路的输出电压。
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公开(公告)号:JP5566859B2
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:JP2010256798
申请日:2010-11-17
Applicant: 株式会社東芝
Inventor: チェンコン テー
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M2001/0012 , Y02B70/1466
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公开(公告)号:JP5552691B2
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:JP2010242457
申请日:2010-10-28
Applicant: トランスフォーム・ジャパン株式会社
Inventor: 健 庄野
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M1/08 , Y02B70/1466
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