公开(公告)号：KR20210027530A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020217006309A

申请日：2019-01-17

申请人： 누보톤 테크놀로지 재팬 가부시키가이샤

发明人： 지에 후지오카 ,  히로시 요시다 ,  요시히로 마쓰시마 ,  히데키 미즈하라 ,  마사오 하마사키 ,  미쓰아키 사카모토

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7813

摘要： 반도체 장치(1)는, 주면(40a 및 40b)을 갖는 반도체층(40)과, 주면(31a 및 31b)을 갖고, 주면(31a)이 주면(40b)에 접촉하고, 반도체층(40)보다 두껍고 제1 금속 재료로 이루어지는 금속층(31)과, 주면(30a 및 30b)을 갖고, 주면(30a)이 주면(31b)에 접촉하고, 제1 금속 재료보다 영률이 큰 금속 재료로 이루어지는 금속층(30)과, 트랜지스터(10 및 20)를 갖고, 트랜지스터(10)는 반도체층(40)의 주면(40a)측에 소스 전극(11) 및 게이트 전극(19)을 갖고, 트랜지스터(20)는 반도체층(40)의 주면(40a)측에 소스 전극(21) 및 게이트 전극(29)을 갖고, 소스 전극(11)으로부터 금속층(31)을 경유한 소스 전극(21)까지의 쌍방향 경로를 주전류 경로로 한다.

公开(公告)号：JP2018195814A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018089796

申请日：2018-05-08

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

摘要： 【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、酸化物と、酸化物上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、第1の絶縁体の側面、及び導電体の側面に設けられる第2の絶縁体と、を有し、該酸化物は、第1の領域と、第2の領域と、第1の領域および第2の領域の間に位置する第3の領域と、を有し、第1の絶縁体は、第1の領域上に設けられ、第3の領域は、第2の絶縁体と重畳する領域を有し、第2の領域は、第1の領域及び第3の領域よりも酸素濃度が小さく、第3の領域は、第1の領域の酸素濃度と、第2の領域の酸素濃度との間の酸素濃度となる部分を有する半導体装置である。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6433564B2

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：JP2017200360

申请日：2017-10-16

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 小山 潤

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K3/356 ,  H01L29/786

CPC分类号： H03K3/012 ,  G11C5/147 ,  G11C8/04 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H03K3/0372 ,  H03K3/0375 ,  H03K19/0008

公开(公告)号：JPWO2018030008A1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017023436

申请日：2017-06-26

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 菅野 博 ,  山路 将晴 ,  澄田 仁志

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0921 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1083 ,  H02M1/08

摘要： 高耐圧ICにおいて、複雑な工程を必要とせずに、寄生素子の動作を抑制することができ、ノイズ耐量が大きく、信頼性向上を図ることが可能な半導体集積回路を提供する。第1導電型の第1ウエル領域(2)と、第1ウエル領域(2)の上部に設けられた第2導電型の第2ウエル領域(3)と、第1ウエル領域(2)の直下の第2導電型の半導体基板(1)の下部に第1ウエル領域(2)から離間して設けられ、半導体基板(1)よりも高不純物濃度の第2導電型の第1電流抑制層(21)と、第1電流抑制層(21)の下に半導体基板(1)の下面に露出するように設けられた第1導電型の第2電流抑制層(22)とを備える。

公开(公告)号：JP2018164078A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018046283

申请日：2018-03-14

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： バスラー, トーマス ,  バブルスケ, ローマン ,  ラヴェン, ヨハネス ゲオルク ,  ニーダーノストハイデ, フランツ−ヨーゼフ ,  シュルツェ, ハンス−ヨアヒム

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8248 ,  H02M3/28 ,  H02M3/155 ,  H01L29/12

CPC分类号： H03K17/567 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/12 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0036

摘要： 【課題】 トランジスタデバイスを提供する。 【解決手段】 第1のトランジスタ(10)及び第2のトランジスタ(11)を含むトランジスタデバイスが記載されている。第2のトランジスタ(11)は、ワイドバンドギャップ半導体材料をベースとする。第2のトランジスタは、所定の動作範囲にわたって、ブレークスルー電圧が第1のトランジスタより低い。所定の動作範囲は、少なくとも、そのトランジスタデバイスが指定されている動作範囲を含む。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JPWO2017072627A1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JPIB2016056263

申请日：2016-10-19

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

摘要： 導電体の酸化を抑制させたトランジスタを提供する。基板上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の酸化物半導体と、酸化物半導体上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体上の第2の絶縁体と、第2の導電体上の第3の絶縁体と、第2の絶縁体、第3の絶縁体および酸化物半導体上の第4の絶縁体と、第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、第5の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第2の絶縁体は、アルミニウム、ガリウムまたはハフニウムのいずれか一以上を有し、第3の絶縁体は、アルミニウム、ガリウムまたはハフニウムのいずれか一以上を有する半導体装置。

公开(公告)号：JP2018142560A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2015199200

申请日：2015-10-07

申请人： 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構

发明人： 倉知 郁生

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/08 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H03K19/00338

摘要： 【課題】本発明は、高い放射線被曝耐性を有する放射線被曝耐性SOIトランジスタを提供することを目的とするものである。 【解決手段】SOIのデバイス内に放射線検出を行うMOSFETを形成させ、それにより、放射線被曝量に相当するBOXに生じる電荷量をモニタしながら放射線被曝によりBOXに生じる電荷量をキャンセルさせることにより、放射線被曝耐性を向上させる。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018524813A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017567057

申请日：2016-06-22

申请人： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

发明人： サンディープ アール バヘル ,  マイケル ディー シーマン

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/8258 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 記載の例では、ドレインノード(152)、ソースノード(154)、制御ゲート(156)、及びフィールド電極(162,164)を含む高電圧トランジスタ(HVT)構造(140)が低電圧トランジスタ(LVT)(110)を高電圧環境に適応させる。ドレインノード及びソースノードは、終結された電荷が制御ゲートによってレギュレートされる導電チャネルを画定する。制御ゲートから隔離されている間、フィールド電極はフィールド電圧に応答して終結された電荷を拡散するよう構成される。フィールド電極は、ドレインノード、ソースノード、又は制御ゲートのいずれの一つとも電荷を共有することを防ぐように構造化及び配路される。有利なことに、隔離されたフィールド電極は、制御ゲート並びにドレイン及びソースノードの容量を最小化して、HVTが高電圧環境において少ない電力損失及びよりロバストな性能でスイッチングし得るようにする。

公开(公告)号：JP6377228B2

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：JP2017193257

申请日：2017-10-03

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 米田 誠一 ,  王丸 拓郎

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JPWO2017038403A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2016073417

申请日：2016-08-09

申请人： ソニー株式会社

发明人： 横山 孝司 ,  梅林 拓

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L27/146 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L25/074 ,  H01L25/167 ,  H01L25/18 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/228 ,  H01L2223/6677

摘要： 本技術の一実施形態の積層体は、複数のトランジスタと、第1の基板と、第1の基板と積層されると共に、電気的に接続されている第2の基板とを備えたものであり、複数のトランジスタのうちの最も電圧の低い第1の駆動電圧で駆動する第1のトランジスタは、第1の基板および第2の基板のうち、第1の基板のみに設けられて第1の回路を形成している。