公开(公告)号：JP5202545B2

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：JP2009549523

申请日：2008-02-13

申请人： エルジー・ケム・リミテッド

发明人： ヒョン・チェ ,  ジェ−ミン・イ ,  ロマン・キセレフ

IPC分类号： H01L51/30 ,  C08L101/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545

公开(公告)号：JP2013070081A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：JP2012257800

申请日：2012-11-26

申请人： Nec Corp ,  日本電気株式会社

发明人： AZUMAGUCHI TATSU ,  ISHIDA MASAHIKO ,  ENDO HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/742

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching element which exhibits good and stable transistor characteristics by enhancing interaction between CNTs and a gate insulating film.SOLUTION: The switching element of the present invention includes the gate insulating film and an active layer formed in contact with the gate insulating film. The active layer contains carbon nanotubes, and the gate insulating film contains a non-conjugated polymer having an aromatic ring in its side chain.

摘要翻译： 要解决的问题：提供通过增强CNT与栅极绝缘膜之间的相互作用来提供良好且稳定的晶体管特性的开关元件。 解决方案：本发明的开关元件包括栅极绝缘膜和与栅极绝缘膜接触形成的有源层。 活性层含有碳纳米管，栅极绝缘膜含有侧链上具有芳香环的非共轭聚合物。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5177695B2

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：JP2009502486

申请日：2008-02-07

申请人： 日本電気株式会社

发明人： 東口　　達 ,  真彦 石田 ,  浩幸 遠藤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/742

公开(公告)号：JP4999461B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2006545173

申请日：2005-11-18

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 健史 原田 ,  潤 寺尾 ,  宣明 神戸 ,  孝之 竹内

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0068 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

公开(公告)号：JPWO2009139339A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：JP2009521260

申请日：2009-05-11

申请人： 東レ株式会社

发明人： 由香里 城 ,  由香里 城 ,  村瀬　清一郎 ,  清一郎 村瀬 ,  北澤　大輔 ,  大輔 北澤 ,  塚本　遵 ,  遵 塚本

IPC分类号： H01L51/30 ,  C01B31/02 ,  C08G61/12 ,  C08K3/04 ,  C08L65/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

摘要： カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に、環中に含窒素二重結合を有する縮合へテロアリールユニットとチオフェンユニットを繰り返し単位中に含む共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体。本発明は、カーボンナノチューブを含有する半導体層を有する電界効果型トランジスタのヒステリシスを低減する。

公开(公告)号：JP4582430B2

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：JP2010510014

申请日：2009-06-29

申请人： Dic株式会社

发明人： 正紀 笠井 ,  祥友 米原 ,  正義 高武 ,  聖史 高野

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

公开(公告)号：JPWO2008108136A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：JP2009502486

申请日：2008-02-07

申请人： 日本電気株式会社

发明人： 東口　達 ,  東口　　達 ,  石田　真彦 ,  真彦 石田 ,  遠藤　浩幸 ,  浩幸 遠藤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/742

摘要： 本発明のスイッチング素子は、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された活性層とを具備する。前記活性層は、カーボンナノチューブを含み、前記ゲート絶縁膜は、側鎖に芳香族環を有する非共役高分子を含んでいる。

公开(公告)号：JPWO2008090969A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：JP2008510938

申请日：2008-01-25

申请人： 東レ株式会社

发明人： 村瀬　清一郎 ,  清一郎 村瀬 ,  由香里 城 ,  由香里 城 ,  塚本　遵 ,  遵 塚本 ,  真多　淳二 ,  淳二 真多

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

摘要： 特定のチオフェン化合物とカーボンナノチューブを含有する有機半導体コンポジットにより、インクジェットなどの塗布プロセスで製膜可能であって、高い電荷移動度を有し、大気中においても高いオンオフ比を維持することができる有機半導体コンポジット、有機トランジスタ材料ならびに有機電界効果型トランジスタを提供する。

公开(公告)号：JPWO2006054709A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：JP2006545173

申请日：2005-11-18

申请人： 松下電器産業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 竹内　孝之 ,  孝之 竹内 ,  原田　健史 ,  健史 原田 ,  宣明 神戸 ,  宣明 神戸 ,  潤 寺尾 ,  潤 寺尾

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0068 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 本発明の電界効果トランジスタは、チャネル領域として機能する部分を含む半導体層14を備える。半導体層14は、半導体層14内に分散された複数の導電性の微粒子52と、微粒子52に化学結合して微粒子52間を連結する有機半導体分子53と、環状分子とを構成要素として含む。有機半導体分子53はπ電子共役鎖を主鎖として含み、そのπ電子共役鎖が環状分子によって包接されている。

公开(公告)号：JP2006303507A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：JP2006116920

申请日：2006-04-20

申请人： Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

发明人： MOON HEE-SUNG ,  KIM JAE MYUNG

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/742

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic TFT having an organic semiconductor layer formed by mixing a CNT which has a low work function and exhibits a high field-emission effect, a high electric charge mobility and a high electrical conductivity with an organic semiconductor material, or by coating the organic semiconductor material on the CNT, thereby attaining a high electrical conductivity and electrical charge mobility and a high switching speed, and also to provide a method of fabricating the above organic TFT. SOLUTION: In an organic TFT and a method of fabricating the organic TFT, the organic TFT has an organic semiconductor layer formed by mixing a CNT with an organic semiconductor material, or by coating an organic semiconductor material on a CNT. The properties of the CNT exhibiting a high electrical conductivity and a high electrical charge mobility cause improving the properties of an organic semiconductor layer exhibiting an existing low electrical conductivity and switching characteristic. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供一种具有通过混合具有低功函数并表现出高的场发射效应的CNT形成的有机半导体层的有机TFT，具有高电荷迁移率和高电导率的有机TFT 有机半导体材料，或者通过在CNT上涂布有机半导体材料，从而获得高导电性和电荷迁移率和高切换速度，并且还提供制造上述有机TFT的方法。 解决方案：在有机TFT和制造有机TFT的方法中，有机TFT具有通过将CNT与有机半导体材料混合而形成的有机半导体层，或者通过在CNT上涂覆有机半导体材料。 表现出高导电性和高电荷迁移率的CNT的性质导致有机半导体层的性能改善，其表现出现有的低电导率和开关特性。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT