光可変フィルタ
    3.
    发明专利
    光可変フィルタ 有权
    光学变量滤波器

    公开(公告)号:JP2015060125A

    公开(公告)日:2015-03-30

    申请号:JP2013194606

    申请日:2013-09-19

    摘要: 【課題】ネットワークトラフィックが急激に増加し、波長分割多重技術、各光デバイスの技術的な進展が見込まれており、近い将来には1本の光ファイバ伝送路の中の波長分割多重光に含まれる波長数は最大で200を越えることが予測さる。要素光スイッチの数を抑え、スイッチ規模をさらに縮小させることのできる光可変フィルタの新しい構成が望まれている。さらに、1つの通信チャネルの帯域幅を狭くして多重化するチャネルの数が増えるシステムにおいて、クロストークの問題の解決が望まれていた。【解決手段】本発明では、周回性AWGの入力ポートによる選択機能を利用し、さらにコンパクト、低コストで高信頼性のデバイスを利用して光可変フィルタを構成する。周回性AWGのFSRを適切に設定し、入力出力ポートの選択を行い、分波する波長数の条件を決定して、光スイッチの規模を低減する。さらに、クロストークとして作用し非所望波となる信号光を、非対称MZIを含む光スイッチのフィルタ特性によって除去する。【選択図】図11

    摘要翻译: 要解决的问题:为了解决网络流量急剧增加的问题,期望开发波分复用技术和各种光学设备技术,并且预期波分复用光中包含的波长数量在一个 在不久的将来,光纤传输路径的核心最大将超过200个; 期望可以抑制元件光开关的数量并进一步减小开关规模的光可变滤波器的新配置; 此外,通过缩小一个通信信道的带宽,希望在具有增加的多路复用信道数目的系统中解决串扰问题。解决方案:本发明通过循环AWG的输入端口使用选择功能,并且配置 光学可变滤波器通过使用紧凑,成本低,可靠性高的设备。 通过适当地设置循环AWG的FSR,选择输入/输出端口以及确定分割波长的数量的条件来减小光开关的规模。 此外,通过包括不对称MZI的光学开关的滤波器特性去除影响作为串扰并且是不期望波的信号光。

    酸化物固体電解質材料の製造方法、電極体の製造方法、酸化物固体電解質材料、および、電極体
    5.
    发明专利
    酸化物固体電解質材料の製造方法、電極体の製造方法、酸化物固体電解質材料、および、電極体 审中-公开
    氧化固体电解质材料的生产方法,电极体的生产方法,氧化物固体电解质材料和电极体

    公开(公告)号:JP2015053234A

    公开(公告)日:2015-03-19

    申请号:JP2013186516

    申请日:2013-09-09

    CPC分类号: Y02P70/54

    摘要: 【課題】本発明は、界面抵抗を低減可能な酸化物固体電解質材料を得ることができる酸化物固体電解質材料の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、Liを含有する酸化物から構成されるイオン伝導体と、上記イオン伝導体上に形成され、金属ニオブ、または、上記炭酸リチウムと反応可能なニオブ酸化物から構成されるニオブ含有層とを有する中間部材を準備する準備工程と、上記中間部材に熱処理を行い、上記イオン伝導体の表面に存在する炭酸リチウム成分と、上記ニオブ含有層とを反応させ、Li−Nb−O化合物を含有する相互拡散部を形成する熱処理工程と、を有することを特徴とする酸化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより上記課題を達成する。【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供能够获得能够降低界面电阻的氧化物固体电解质材料的氧化物固体电解质材料的制造方法。解决方案:一种氧化物固体电解质材料的制造方法,包括:制备中间体的制备步骤, 由包含Li的氧化物和在离子导体上形成的由与金属铌或与碳酸锂反应的铌氧化物构成的含铌层的离子导体; 以及对所述中间构件进行热处理,使存在于所述离子导体的表面上的碳酸锂的成分与所述含铌层反应的热处理工序,由此形成包含Li-Nb-O化合物的相互扩散部。

    炭化珪素粉粒体及びその製造方法
    6.
    发明专利
    炭化珪素粉粒体及びその製造方法 有权
    碳化硅颗粒及其生产方法

    公开(公告)号:JP2015048294A

    公开(公告)日:2015-03-16

    申请号:JP2013182798

    申请日:2013-09-04

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 【課題】高純度の炭化珪素粉粒体、及び、簡易にかつ高い収率で高純度の炭化珪素粉粒体を製造することができる方法を提供する。【解決手段】B、P、Fe、Ti、V、Cr、Cu、Zn及びNiの含有率の合計が3ppm以下であり、酸素の含有率が250ppm以下であり、窒素の含有率が300ppm以下である炭化珪素粉粒体。該炭化珪素粉粒体は、黒鉛からなる坩堝内1に収容されたSiを含む原料を加熱して、Siを含む原料が融解してなる融液5を得た後、融液5が温度勾配(例えば、高温領域と低温領域との温度の差として、10〜300℃)を有するように加熱しながら、融液5中に炭化珪素粉粒体6を析出させることで製造することができる。【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种高纯度碳化硅颗粒和一种高纯度碳化硅颗粒的生产方法,简单地以高产率。解决方案:碳化硅颗粒的组合含量为B,P,Fe,Ti ,V,Cr,Cu,Zn和Ni pf为3ppm以下,氧含量为250ppm以下,氮含量为300ppm以下。 碳化硅颗粒通过以下方法制造:加入由石墨构成并含有Si的坩埚1中的原料,以获得通过熔化含有Si的原料而形成的熔融液体5; 并在熔融液体5中沉积碳化硅颗粒6,同时加热熔融液体5,使其具有温度梯度,例如温度梯度。 高温区域和低温区域之间的温度差为10-300℃。

    情報処理装置
    7.
    发明专利
    情報処理装置 审中-公开
    信息处理器

    公开(公告)号:JP2015035155A

    公开(公告)日:2015-02-19

    申请号:JP2013166466

    申请日:2013-08-09

    IPC分类号: G06F12/14 G06F21/62

    摘要: 【課題】周辺デバイス単位でのアクセス保護が実現する。【解決手段】一実施の形態による情報処理装置100は、メモリ保護ユニット11とアクセス制御部20とを備える。CPU10のアドレス空間は複数のI/Oエイリアスアドレス範囲を含み、各I/Oエイリアスアドレス範囲ごとに情報処理装置100に設けられた複数の周辺デバイスD1〜Dnがマッピングされている。メモリ保護ユニット11は、CPU10からのアクセスを許可するアクセス許可領域をアドレス空間内に設定する。アクセス制御部20は、上記の複数のI/Oエイリアスアドレス範囲のうちどのI/Oエイリアスアドレス範囲がCPU10によってアクセスされているかに応じて、CPUからのアクセスが有効か無効かを周辺デバイスD1〜Dnごとに切り替える。【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:实现外围设备单元的访问保护。解决方案:信息处理器100包括:存储器保护单元11; 和访问控制部分20.CPU10的地址空间包括多个I / O别名地址范围,并且为每个I / O别名地址范围映射设置在信息处理器100中的多个外围设备D1至Dn。 存储器保护单元11设置用于允许来自地址空间中的CPU 10的访问的访问允许区域。 访问控制部分20根据哪个I / O别名地址范围中的I / O别名地址范围由CPU10访问来切换对于每个外围设备D1至Dn,来自CPU的访问是有效还是无效 。

    表面処理装置及び表面処理方法
    10.
    发明专利
    表面処理装置及び表面処理方法 有权
    表面处理装置和表面处理方法

    公开(公告)号:JP2014227593A

    公开(公告)日:2014-12-08

    申请号:JP2013110660

    申请日:2013-05-27

    摘要: 【課題】被処理物を選ぶことなく、硬質膜を精度良く、効率的に、薄膜で形成することができる表面処理装置及び表面処理方法を提供すること。【解決手段】表面処理装置1は、少なくとも反応性ガスを含む気体が封入される反応室51と、反応室51内において被処理物60を保持する保持部52とを有する反応部5と、反応部5の反応室51内に電子ビームAを出力して反応性ガスをプラズマ化する電子ビーム出力部2と、電子ビーム出力部2から出力される電子ビームAを制御する制御部70とを備えている。反応室51は、物理的蒸着法及び化学的蒸着法の少なくとも一方を用いて、保持部52に保持された被処理物60の表面に硬質膜を形成することができるよう構成されている。制御部70は、反応室51内での硬質膜の形成に最適なプラズマ状態となるように、電子ビーム出力部2から反応室51内に出力される電子ビームAの出力波形を制御するよう構成されている。【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种表面处理装置和表面处理方法,其能够在不选择待处理物质的情况下将硬膜精确而有效地形成为薄膜。解决方案:表面处理装置1包括: 反应部5包括填充有至少含有反应气体的气体的反应室51和保持反应室内待处理物质60的保持部52; 电子束输出部分2,用于将电子束A输出到反应部分5的反应室51中,从而将反应气体改变成等离子体; 以及用于控制从电子束输出部分2输出的电子束A的控制部分70.反应室51可以通过使用至少使用在保持部分52中保持的被处理物质60的表面上形成硬膜 物理气相沉积和化学气相沉积之一。 控制部分70将从电子束输出部分2输出的电子束A的输出波形控制到反应室51中,使得获得在反应室51中形成硬膜的最佳等离子体状态 。