公开(公告)号：JP2021526585A

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：JP2020567106

申请日：2019-04-29

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： マリク, サルタン ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー. ,  リャン, チーウェイ ,  カーン, アディーブ ,  クレモンズ, マクシミリアン

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/42

Abstract: 本明細書のシステム及び方法の実施形態は、ALD又はCVDを介して、プロセスチャンバの複数の内部構成要素上にインシトゥで保護膜を形成することを対象とする。保護膜でコーティングされた内部構成要素には、チャンバ側壁、チャンバ底部、基板支持ペデスタル、シャワーヘッド、及びチャンバ上部が含まれる。保護膜は、アモルファスSi、カルボシラン、ポリシリコン、SiC、SiN、SiO 2 、Al 2 O 3 、AlON、HfO 2 、又はNi 3 Alを含む様々な組成のものであり得、約80nmから約250nmまでの様々な厚さであり得る。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6463755B2

公开(公告)日：2019-02-06

申请号：JP2016534611

申请日：2014-08-06

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ルボミルスキー, ドミトリー ,  リャン, チーウェイ

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C14/56 ,  F16J15/10

公开(公告)号：JP2018511700A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2017548969

申请日：2016-03-17

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： シュエ, チュン ,  ゴデット, ルドヴィーク ,  ネマニ, シュリーニヴァース ,  ストーウェル, マイケル ダブリュ. ,  リャン, チーウェイ ,  ブッフバーガー, ダグラス エー., ジュニア

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/42 ,  C23C16/517 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本書では基板を処理する方法が提供される。幾つかの実施形態では、処理チャンバ内に配置された基板の処理方法は、(a)遠隔プラズマ源から生成される第1の反応性核種と第1の前駆体に基板を曝すことによって、基板上に材料層を堆積することであって、第1の反応性核種が第1の前駆体と反応する、堆積すること、並びに、(b)第2のプラズマ源から処理チャンバ内に生成されるプラズマに基板を曝すことによって、堆積した材料層のすべて、又は実質的にすべてを処理することであって、遠隔プラズマ源又は第2のプラズマ源のうちの少なくとも1つは、堆積時間と処理時間を制御するためにパルス化される、処理すること、を含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6298060B2

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：JP2015533095

申请日：2013-09-09

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リャン, チーウェイ ,  チェン, シンロン ,  チュク, キエン ,  ルボミルスキー, デミトリー ,  パク, スナム ,  ヤン, チャン‐ギュ ,  ヴェンカタラマン, シャンカー ,  トラン, トゥアン ,  ヒンクリー, キンバリー ,  ガルグ, ソラブ

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  B05B1/005 ,  B05B1/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/002 ,  H01L21/67069

公开(公告)号：JP2017152679A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2016226501

申请日：2016-11-22

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ババヤン, ヴィアチェスラフ ,  ブーフベルガー, ダグラス エー., ジュニア. ,  リャン, チーウェイ ,  ゴデット, ルドヴィーク ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー. ,  ウッドラフ, ダニエル ジェー. ,  ハリス, ランディー ,  ムーア, ロバート ビー.

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2035 ,  H01L21/68764

Abstract: 【課題】フォトリソグラフィプロセスを改良する基板処理装置を提供する。 【解決手段】浸漬フィールドガイド式の露光後ベークプロセスを実施する、方法と装置に関する。装置は、処理容積を画定するチャンバ本体を含む。ペデスタルが処理容積内に配置されていてよく、第1の電極がペデスタルに連結されていてよい。ペデスタルの反対側にチャンバ本体を通って可動ステムが遠心していてよく、第2の電極がこの可動ステムに連結されていてよい。また、誘電性閉じ込めリングがペデスタルに連結されていてよく、誘電性閉じ込めリングは第2の電極に連結されていてよい。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP6983900B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2019548976

申请日：2018-03-09

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リャン, チーウェイ ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー. ,  カーン, アディーブ ,  カシボートラ, ベンカタ ラビシャンカル ,  マリク, サルタン ,  カン, ショーン エス. ,  ウォン, キース タットスン

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

公开(公告)号：JP6928043B2

公开(公告)日：2021-09-01

申请号：JP2019169941

申请日：2019-09-19

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： カーン, アディーブ ,  ヴェンカタラマン, シャンカー ,  ピンソン, ジェイ ディー., サード ,  ヤン, チャン‐ギュ ,  イングル, ニティン クリシュナラーオ ,  リャン, チーウェイ

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/683 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31

公开(公告)号：JP2021007156A

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：JP2020153837

申请日：2020-09-14

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リャン, チーウェイ ,  カーン, アディーブ ,  コーフマン−オズボーン, トービン ,  ネマニ, シュリニヴァス ディ. ,  ゴデット, ルドヴィーク

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

Abstract: 【課題】基板処理における自己組織化単分子層処理のための化学物質供給チャンバを提供する。 【解決手段】自己組織化単分子層(SAM)堆積のための基板処理装置は、様々な気相の供給装置が流体連結された処理チャンバ100を含む。SAM前駆体は、気相内の前駆体を維持するように加熱される様々な装置を介して、処理チャンバ100の処理空間110に供給される。SAM前駆体を供給する第1のアンプル130又は気化器は、処理チャンバ100の処理空間110に流体連結される。SAM前駆体と異なる材料を供給する第2のアンプル136又は気化器も処理チャンバ100の処理空間110に流体連結される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020530660A

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：JP2020507020

申请日：2018-08-08

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リャン, チーウェイ ,  チョウ, チエ ,  カーン, アディブ エム. ,  ピシャローディー, ガウタム ,  チェン, コアンナン ,  イン, チェンツァウ ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー.

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  H01L21/205

Abstract: ワークピースを処理するためのプラズマリアクタは、誘電体ウィンドウを有するチャンバと、チャンバ内でワークピースを保持するワークピース支持体と、マイクロ波源と回転軸を有する回転式ステージに連結されるように構成された据置型ステージを備える回転連結部と、チャンバの誘電体ウィンドウを覆うマイクロ波アンテナと、マイクロ波アンテナを回転する回転式アクチュエータと、ワークピース支持体を取り囲むガス分配リングを含む処理ガス分配装置とを含む。マイクロ波アンテナ回転式ステージに連結された少なくとも1つの導管を含む。ガス分配リングは、円形導管をチャンバから分離する円筒形のチャンバライナと、導管をチャンバに接続するため、ライナを通って放射状に延在する複数の開孔を含む。 【選択図】図6B

公开(公告)号：JP2020510315A

公开(公告)日：2020-04-02

申请号：JP2019548976

申请日：2018-03-09

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リャン, チーウェイ ,  ネマニ, シュリーニヴァース ディー. ,  カーン, アディーブ ,  カシボートラ, ベンカタ ラビシャンカル ,  マリク, サルタン ,  カン, ショーン エス. ,  ウォン, キース タットスン

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 基板を処理するための高圧処理システムは、第1のチャンバと、基板を支持するように第1のチャンバ内部に位置づけされたペデスタルと、第1のチャンバに隣接した第2のチャンバと、第2のチャンバ内部の圧力を真空近くまで低下させるように構成された真空処理システムと、第1のチャンバ内部の圧力を第2のチャンバ内部の圧力から分離させるための、第1のチャンバと第2のチャンバとの間のバルブアセンブリと、第1のチャンバの中へ処理ガスを導入して、処理ガスが第1のチャンバ内にある間、かつ第1のチャンバが第2のチャンバから分離されている間、第1のチャンバ内部の圧力を少なくとも10気圧まで上昇させるように構成されたガス供給システムとを含む。 【選択図】図2