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公开(公告)号：JP2020526920A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019572665
申请日：2018-07-03
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： ミャオ, リーイェン , イン, チェンツァウ , ハン, シンハイ , リン, ロン
IPC: H01L21/316 , H01L21/205 , C23C16/50 , C23C16/42 , H01L21/318
Abstract: 本技術の実施形態は、半導体層のスタックを形成する方法を含んでよい。該方法は、基板上に第1の酸化ケイ素層を堆積させることを含んでよい。該方法は、第1の酸化ケイ素層上に第1のシリコン層を堆積させることも含んでよい。該方法は、第1のシリコン層上に第1の窒化ケイ素層を堆積させることを更に含んでよい。第1の窒化ケイ素層又は応力層を堆積させることが、第1のシリコン層、第1の酸化ケイ素層、又は基板のうちの少なくとも1つの内部の応力を低減させることを含んでよい。更に、該方法は、第1の窒化ケイ素層上に第2のシリコン層を堆積させることを含んでよい。工程は、第1の酸化ケイ素層、第1のシリコン層、第1の窒化ケイ素層、及び第2のシリコン層を含む、半導体層のスタックを形成してよい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019529695A
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2019509517
申请日：2017-07-26
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： リウ, チンチン , ファ, チョン チャン , アレン, アドルフ ミラー , ストーウェル, マイケル ダブリュ. , ネマニ, シュリニヴァス ディ. , イン, チェンツァウ , シトラ, バルガフ , ババヤン, ヴィアチェスラフ , ハラビカ, アンドレイ
Abstract: 堆積したアモルファスカーボン膜は、少なくとも95%の炭素を含む。アモルファスカーボン膜中に存在するsp3炭素−炭素結合のパーセンテージは、30%を超え、アモルファスカーボン膜の水素含有量は、5%未満である。ワークピース上にアモルファスカーボンを堆積させる方法は、プロセスチャンバ内にワークピースを配置することと、プロセスチャンバに隣接してマグネトロンアセンブリを配置することとを含む。マグネトロンアセンブリは、プロセスチャンバ内に磁場を伝える。この方法は、磁場が炭素ターゲットを貫通してワークピースに向かって延びるように炭素ターゲットを提供することを、さらに含む。この方法は、プロセスチャンバにソースガスを供給することと、プロセスチャンバ内のソースガスから形成されたプラズマにDC電力のパルスを供給することとを、さらに含む。DC電力のパルスは、40マイクロ秒以下のパルスで供給され、パルスは、少なくとも4kHzの周波数で繰り返される。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6267400B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2017512789
申请日：2015-08-25
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： チェン, ヨンメイ , ンガイ, クリスファー エス. , リウ, チンチン , シュエ, チュン , イン, チェンツァウ , ゴデット, ルドヴィーク
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0332 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/279 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/51 , H01L29/518 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP6951549B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2020507020
申请日：2018-08-08
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： リャン, チーウェイ , チョウ, チエ , カーン, アディブ エム. , ピシャローディー, ガウタム , チェン, コアンナン , イン, チェンツァウ , ネマニ, シュリーニヴァース ディー.
IPC: H01L21/31 , C23C16/511 , H05H1/46 , H01L21/205
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公开(公告)号：JP6719602B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2018568781
申请日：2017-06-16
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： シトラ, バルガフ , イン, チェンツァウ , ネマニ, シュリーニヴァース , ババヤン, ヴィアチェスラフ , ストウェル, マイケル
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020506289A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2019539920
申请日：2017-12-27
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： シトラ, バルガフ , リウ, チンチン , ファ, チョン チャン , イン, チェンツァウ , ネマニ, シュリニヴァス ディ. , イー, エリー ワイ.
Abstract: 本開示の実施形態は概して、高電力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)処理を用いて、基板上に以前形成された層を含め、基板上にアモルファスカーボン層を堆積し、特に、前記堆積処理中に前記基板にバイアスを与え、前記堆積されたアモルファスカーボン層の前記形態及び膜応力を改善するため、不活性ガスに加えて、窒素源ガス及び/又は水素源ガスを前記処理チャンバに流し込むための方法を説明している。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6795686B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2019509517
申请日：2017-07-26
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： リウ, チンチン , ファ, チョン チャン , アレン, アドルフ ミラー , ストーウェル, マイケル ダブリュ. , ネマニ, シュリニヴァス ディ. , イン, チェンツァウ , シトラ, バルガフ , ババヤン, ヴィアチェスラフ , ハラビカ, アンドレイ
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公开(公告)号：JP6705776B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2017124160
申请日：2017-06-26
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： チェン, ヨンメイ , ンガイ, クリスファー エス. , リウ, チンチン , シュエ, チュン , イン, チェンツァウ , ゴデット, ルドヴィーク
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11578
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公开(公告)号：JP2019526169A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018568781
申请日：2017-06-16
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： シトラ, バルガフ , イン, チェンツァウ , ネマニ, シュリーニヴァース , ババヤン, ヴィアチェスラフ , ストウェル, マイケル
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 半導体システム及び方法は、半導体基板上の材料を改質することを含む選択的エッチングを実行する方法を含みうる。基板は、半導体基板の表面上に少なくとも2つの露出された材料を有しうる。方法は、半導体基板を収容する処理チャンバ内で低出力プラズマを形成することを含みうる。低出力プラズマは、高周波(「RF」)プラズマであり、これは、実施形態において、約10Wから約100Wの間で作動するRFバイアス電力によって少なくとも部分的に形成されうる。RFバイアス電力はまた、約5000Hz未満の周波数でパルスされうる。方法はまた、半導体基板の表面上の少なくとも2つの露出された材料のうちの1つを、半導体基板の表面上の少なくとも2つの露出された材料のうちの別の1つよりも高いエッチング速度でエッチングすることを含みうる。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP2019521253A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018567641
申请日：2017-06-01
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： ヤン, ヤン , チェン, ルーシー , チョウ, チエ , ラーマスワーミ, カーティク , コリンズ, ケネス エス. , ネマニ, シュリニヴァス ディ. , イン, チェンツァウ , リウ, チンチン , レイン, スティーヴン , モンロイ, ゴンサロ , カルドゥッチ, ジェームズ ディー.
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , C23C16/507 , C23C16/56 , C23C16/27
Abstract: 所望の膜密度、機械的強度、及び光学膜特性を有するダイヤモンドライクカーボン層を形成するための方法が提供される。一実施形態では、ダイヤモンドライクカーボン層を形成するための方法は、処理チャンバ内に配置された基板の表面の上方に電子ビームプラズマを生成することと、基板の表面上にダイヤモンドライクカーボン層を形成することとを含む。ダイヤモンドライクカーボン層は電子ビームプラズマプロセスによって形成され、ダイヤモンドライクカーボン層は、半導体用途でのエッチングプロセスにおいてハードマスク層として作用する。ダイヤモンドライクカーボン層は、処理チャンバ内に配置された炭素含有電極をボンバードして、炭素を含有するガス混合物中に処理チャンバ内に配置された基板の表面への二次電子ビームを生成することと、ガス混合物の成分から、基板の表面上にダイヤモンドライクカーボン層を形成することとによって形成されうる。 【選択図】図2
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