-
公开(公告)号：KR20210040337A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020210041999A
申请日：2021-03-31
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 지강 첸 , 알렉세이 마라크타노브 , 존 패트릭 홀란드 , 프라틱 자콥 만키디 , 안티니 델라 레라 , 헤일리 킴 , 형주 신
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 기판 프로세싱 챔버를 위한 상부 전극은 상부 전극이 기판 프로세싱 챔버 내에 배치될 때, 상부 전극의 하부 표면은 플라즈마-대면이다. 상부 전극은 하부 표면의 중심 영역; 하부 표면의 외측 영역, 및 하부 표면의 에지 영역을 포함한다. 외측 영역은 중심 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 에지 영역은 외측 영역이 중심 영역과 외측 영역 사이에 위치되도록 외측 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 하부 표면의 두께는 중심 영역에서의 제 1 두께로부터 외측 영역에서의 제 2 두께로 감소하고, 그리고 외측 영역에서의 제 2 두께로부터 에지 영역에서의 제 3 두께로 증가한다.
-
公开(公告)号：KR102236832B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020190129191A
申请日：2019-10-17
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 지강 첸 , 알렉세이 마라크타노브 , 존 패트릭 홀란드 , 프라틱 자콥 만키디 , 안티니 델라 레라 , 헤일리 킴 , 형주 신
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 기판 프로세싱 챔버를 위한 상부 전극은 상부 전극이 기판 프로세싱 챔버 내에 배치될 때, 상부 전극의 하부 표면은 플라즈마-대면이다. 상부 전극은 하부 표면의 중심 영역; 하부 표면의 외측 영역, 및 하부 표면의 에지 영역을 포함한다. 외측 영역은 중심 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 에지 영역은 외측 영역이 중심 영역과 외측 영역 사이에 위치되도록 외측 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 하부 표면의 두께는 중심 영역에서의 제 1 두께로부터 외측 영역에서의 제 2 두께로 감소하고, 그리고 외측 영역에서의 제 2 두께로부터 에지 영역에서의 제 3 두께로 증가한다.
-
公开(公告)号：KR20210025558A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020210025472A
申请日：2021-02-25
Applicant: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
Inventor： 칼 에프 리서 , 제레미 터커 , 라메시 찬드라세카란
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/5096 , F24H3/002 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 가스 확산 디바이스는 제 1 유입구 및 제 1 유출구를 갖는 가스 공급 도관을 규정하고 제 2 유입구, 제 2 유출구 및 제 2 유입구를 제 2 유출구에 연결하는 통로들을 포함하는 제 1 부분을 포함한다. 통로들은 제 1 부분을 냉각시키기 위해 비-도전성 유체를 수용한다. 제 2 부분은 제 1 부분에 연결되고, 이격된 홀들을 가진 확산기 면을 포함하며, 가스 공급 도관의 제 1 유출구 및 확산기 면과 유체 소통하고 있는 캐비티를 규정한다. 히터는 제 2 부분을 가열하기 위해 제 2 부분과 접촉하고 있따.
-
公开(公告)号：KR102222837B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020200093067A
申请日：2020-07-27
Applicant: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
Inventor： 칼 에프 리서 , 제레미 터커 , 라메시 찬드라세카란
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/5096 , F24H3/002 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 가스 확산 디바이스는 제 1 유입구 및 제 1 유출구를 갖는 가스 공급 도관을 규정하고 제 2 유입구, 제 2 유출구 및 제 2 유입구를 제 2 유출구에 연결하는 통로들을 포함하는 제 1 부분을 포함한다. 통로들은 제 1 부분을 냉각시키기 위해 비-도전성 유체를 수용한다. 제 2 부분은 제 1 부분에 연결되고, 이격된 홀들을 가진 확산기 면을 포함하며, 가스 공급 도관의 제 1 유출구 및 확산기 면과 유체 소통하고 있는 캐비티를 규정한다. 히터는 제 2 부분을 가열하기 위해 제 2 부분과 접촉하고 있따.
-
公开(公告)号：JP2018534777A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2018521241
申请日：2016-10-11
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： ジャン リン , ル シュエソン , レ アンドリュー ヴイ , ユアン ジェン , オ ジャンソク , ファラー ジョセフ ジャミル , ワン ロンピン
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/5096 , H01J37/32899 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 本開示の実施形態は一般に、半導体基板を処理するクラスタツールに関する。一実施形態では、クラスタツールが、移送チャンバに接続された複数のプロセスチャンバを含み、それぞれのプロセスチャンバが、同時に4つ以上の基板を処理することができる。コストを低減させるため、それぞれのプロセスチャンバは、4つ以上の基板を支持する基板支持体と、基板支持体の上方に配された単一のシャワーヘッドと、シャワーヘッドに電気的に結合された単一の高周波電源とを含む。シャワーヘッドは、基板支持体に面した第1の表面と、第1の表面の反対側の第2の表面とを含むことができる。シャワーヘッド内に、第1の表面から第2の表面まで延びる複数のガス通路を形成することができる。シャワーヘッドの中心からシャワーヘッドの端に向かってガス通路の密度を増大させることにより、プロセス均一性が向上する。 【選択図】図1A
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018533158A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2018508187
申请日：2016-08-30
Applicant: トタル ソシエテ アノニム , TOTAL SA , エコール ポリテクニック , サントル・ナシオナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シアンティフィーク
Inventor： ジョンソン エリック , ブリュノー バスティヤン , ロカ イ カバロッカス ペレ , ブュルキン パヴェル , アブカ ナダ
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/509 , C23C16/455 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32091 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/505 , H01J37/32366 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本発明は、パターン形成層を有するデバイスを製造するためのプラズマ発生装置であって、プラズマ反応装置チャンバ内に配置された第1の電極アセンブリ(1)および第2の電極アセンブリ(2)と、第1の電極アセンブリ(1)と第2の電極アセンブリ(2)との間で電圧差を発生させるための電源(6)と、を備えるプラズマ発生装置に関する。本発明によれば、第1の電極アセンブリ(1)は、複数の突部(11)および複数の凹部(12、13、14、15、16、17、18)を備え、突部(11)および凹部(12、13、14、15、16、17、18)はそれぞれ、前記第2の電極アセンブリ(2)と前記複数の凹部(12、13、14、15、16、17、18)との間か、または前記第2の電極アセンブリ(2)と前記複数の突部(11)との間のいずれかに選択的に位置する、空間的に隔離された複数のプラズマ区域(21、22)を生成するような、基板(5)の表面(51)から距離(D1、D2)のところにある寸法および設定になっている。
-
公开(公告)号：JP2018148143A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017044260
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社東芝
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 【課題】流体の吐出位置を変更可能であって流体をより均一に吐出可能なシャワープレートを提供する。 【解決手段】シャワープレート13は、第1の部材31と、第2の部材32と、を備える。第1の部材31は、複数の第1の開口48が設けられた第1の壁を有し、複数の第1の開口48が連通する拡散室47が内部に設けられる。第2の部材32は、第2の開口58が設けられるとともに拡散室に配置された第2の壁51を有し、第1の部材31から離間した位置に配置され、第1の部材31に対する位置が変化することで第2の開口58と向かい合う第1の開口48を他の第1の開口48と入れ替えることを可能でとする。 【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP6379550B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2014055146
申请日：2014-03-18
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/46
-
公开(公告)号：JP2018117136A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2018029800
申请日：2018-02-22
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： リャン, チーウェイ , チェン, シンロン , チュク, キエン , ルボミルスキー, デミトリー , パク, スナム , ヤン, チャン‐ギュ , ヴェンカタラマン, シャンカー , トラン, トゥアン , ヒンクリー, キンバリー , ガルグ, ソラブ
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
Abstract: 【課題】プラズマ環境において前駆体及びプラズマ種の均一性と品質を提供する。 【解決手段】ガス分配アセンブリ300は、環状本体340、上方プレート320及び下方プレートを含む。上方プレートは、第1の複数の開360孔を画定することができ、下方プレートは、第2の複数の開孔及び第3の複数の開孔を画定することができる。上方プレート及び下方プレートは互いに、また環状本体と結合させることができ、これにより、第1の開孔及び第2の開孔はガス分配アセンブリを通るチャネルを形成し、上方プレート及び下方プレートの間に容積が画定される。 【選択図】図3A
-
公开(公告)号：JP2018113346A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017003024
申请日：2017-01-12
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , B08B7/00 , C23C16/26 , C23C16/401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/505 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01L21/67069
Abstract: 【課題】チャンバの内部の部材を保護する保護膜からのパーティクルの発生を抑制する。 【解決手段】プラズマ処理方法は、炭素含有ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対して炭素含有膜を成膜する第1の成膜工程と、シリコン含有ガスにより、炭素含有膜の表面に対して、膜厚が炭素含有膜の膜厚に応じて決定されるシリコン含有膜を成膜する第2の成膜工程と、シリコン含有膜が成膜された後に、チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された被処理体がチャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより、炭素含有膜の表面からシリコン含有膜を除去する第1の除去工程と、酸素含有ガスのプラズマにより、部材の表面から炭素含有膜を除去する第2の除去工程とを含む。 【選択図】図2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
923
records
(took 0.036 seconds)
