公开(公告)号：JP6671472B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2018523737

申请日：2016-05-12

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ワン ロンピン ,  ゼン ジビン ,  ホウ デイヴィッド ムクイン ,  コックス マイケル エス ,  ユアン ジェン ,  ルルー ジェイムズ

IPC: H01L21/304 ,  H05H1/46

公开(公告)号：JP2018524767A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017564696

申请日：2015-06-15

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ワン ロンピン ,  レン ルイヂェ ,  ファー ジョン シー ,  マンガロール チェサン ,  デモンテ ピーター ,  バラクリシュナ パーシバン

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01F27/28 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3344

Abstract: コイルアセンブリは2つ以上のコイルを備え、2つ以上のコイルの各々は第1の端部から半径方向外側に第2の端部までらせん状をなし、2つ以上のコイルの第1の端部は一緒に連結され、2つ以上のコイルの第2の端部は等間隔に位置付けられる。さらに、コイルアセンブリを備えたエッチングリアクタと、エッチングリアクタを使用してトレンチを形成するための方法とが提供される。 【選択図】図3A

公开(公告)号：JP6641359B2

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：JP2017515674

申请日：2015-05-04

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ゼン ジビン ,  ウェスト ブライアン ティー ,  ワン ロンピン ,  ガジェンドラ マノジ エイ

IPC: H05H1/46

公开(公告)号：JP2019504439A

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：JP2018528217

申请日：2016-11-03

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ジャン リン ,  ワン ロンピン ,  チェン ジアン ジェイ ,  コックス マイケル エス ,  ル アンドリュー ヴイ

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  H05H1/00

Abstract: 本明細書に記載された実施形態は、一般にプラズマ処理チャンバおよびアーキング事象のための検出装置に関する。一実施形態において、アーキング検出装置が本明細書で開示される。アーキング検出装置は、プローブ、検出回路、およびデータログシステムを備える。プラズマ処理チャンバの内部容積に部分的に曝されて、配置されたプローブ。検出回路は、プローブからアナログ信号を受け取り、アナログ信号中に存在する事象をスケーリングして出力信号を出力するように構成される。データログシステムは、検出回路から出力信号を受け取るように通信可能に結合される。データログシステムは、内部容積内で発生するアーキング事象を追跡するように構成される。

公开(公告)号：JP2018534777A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2018521241

申请日：2016-10-11

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ジャン リン ,  ル シュエソン ,  レ アンドリュー ヴイ ,  ユアン ジェン ,  オ ジャンソク ,  ファラー ジョセフ ジャミル ,  ワン ロンピン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本開示の実施形態は一般に、半導体基板を処理するクラスタツールに関する。一実施形態では、クラスタツールが、移送チャンバに接続された複数のプロセスチャンバを含み、それぞれのプロセスチャンバが、同時に4つ以上の基板を処理することができる。コストを低減させるため、それぞれのプロセスチャンバは、4つ以上の基板を支持する基板支持体と、基板支持体の上方に配された単一のシャワーヘッドと、シャワーヘッドに電気的に結合された単一の高周波電源とを含む。シャワーヘッドは、基板支持体に面した第1の表面と、第1の表面の反対側の第2の表面とを含むことができる。シャワーヘッド内に、第1の表面から第2の表面まで延びる複数のガス通路を形成することができる。シャワーヘッドの中心からシャワーヘッドの端に向かってガス通路の密度を増大させることにより、プロセス均一性が向上する。 【選択図】図1A

公开(公告)号：JP6814213B2

公开(公告)日：2021-01-13

申请号：JP2018528217

申请日：2016-11-03

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ジャン リン ,  ワン ロンピン ,  チェン ジアン ジェイ ,  コックス マイケル エス ,  ル アンドリュー ヴイ

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  H05H1/00

公开(公告)号：JP2020188010A

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：JP2020123507

申请日：2020-07-20

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： コックス マイケル エス ,  ワン ロンピン ,  ウェスト ブライアン ,  ジョンソン ロジャー エム ,  ディッキンソン コリン ジョン

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】半導体プロセスで生じる化合物を軽減する軽減システムを提供する。 【解決手段】軽減システムは、第1の板と、第1の板に平行な第2の板とを有するプラズマ源を含む。第1の板と第2の板との間に電極が配置され、第1の板と第2の板との間に電極を取り囲んで外壁が配置される。プラズマ源は、第1の板上に配置された第1の複数の磁石と、第2の板上に配置された第2の複数の磁石とを有する。第1および第2の複数の磁石によって作られる磁界は、電極と外壁との間に作られる電界に実質上直交している。この構成では、高密度のプラズマが作られる。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP6738742B2

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：JP2016573648

申请日：2015-02-09

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： コックス マイケル エス ,  ワン ロンピン ,  ウェスト ブライアン ,  ジョンソン ロジャー エム ,  ディッキンソン コリン ジョン

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

公开(公告)号：JP6668384B2

公开(公告)日：2020-03-18

申请号：JP2017564696

申请日：2015-06-15

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ワン ロンピン ,  レン ルイヂェ ,  ファー ジョン シー ,  マンガロール チェサン ,  デモンテ ピーター ,  バラクリシュナ パーシバン

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

公开(公告)号：JP2018530893A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018523737

申请日：2016-05-12

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ワン ロンピン ,  ゼン ジビン ,  ホウ デイヴィッド ムクイン ,  コックス マイケル エス ,  ユアン ジェン ,  ルルー ジェイムズ

IPC: H01L21/304 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/2406 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32348 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/335 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2468 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2245/1225 ,  H05H2245/123

Abstract: 本明細書に開示された実施形態は、半導体プロセスで生成される化合物を軽減するためのプラズマ源、軽減システム、および真空処理システムを含む。一実施形態において、プラズマ源は、誘電体管と、この管を取り囲むコイルアンテナと、を含む。コイルアンテナは、複数の巻線を含み、少なくとも1つの巻線が短絡されている。コイルアンテナの1つまたは複数の巻線を選択的に短絡させることは、コイルアンテナのインダクタンスを低減させるのに役立ち、より多くの処理容積をカバーするコイルアンテナにより高い電力を供給することが可能になる。コイルアンテナへのより高い電力供給およびより大きな処理容積は、DREの改善につながる。 【選択図】図3