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公开(公告)号:KR102228429B1
公开(公告)日:2021-03-17
申请号:KR1020200179698A
申请日:2020-12-21
申请人: 주식회사 에스알티
发明人: 손영만
CPC分类号: H01L21/67126 , F16K3/0281 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201
摘要: 본 발명은 개폐블레이드의 수직이동을 위한 압력공급원(실린더 또는 엑츄에이터) 및 수평이동을 위한 압력공급원(실린더 또는 엑츄에이터)을 별도로 구성하고, 개폐블레이드의 수직이동 및 수평이동을 위한 구조를 별도의 동작으로 수행할 수 있도록 구성함으로써, 이동구간 부분의 구성요소에 가해지는 부하률을 줄여 안정적인 밀폐작동을 실행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102223806B1
公开(公告)日:2021-03-08
申请号:KR1020190035834A
申请日:2019-03-28
发明人: 메흐메트 투그룰 사미르 , 동칭 양
CPC分类号: H01L21/67207 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , H01L21/67253 , H01L21/67276 , H05H1/46
摘要: 예시적인 반도체 처리 시스템들은 처리 챔버를 포함할 수 있고, 처리 챔버와 결합된 원격 플라즈마 유닛을 포함할 수 있다. 예시적인 시스템들은 또한, 원격 플라즈마 유닛과 처리 챔버 사이에 결합된 혼합 매니폴드를 포함할 수 있다. 혼합 매니폴드는 제1 단부 및 제1 단부 반대쪽의 제2 단부를 특징으로 할 수 있고, 제2 단부에서 처리 챔버와 결합될 수 있다. 혼합 매니폴드는, 혼합 매니폴드를 통하는 중앙 채널을 한정할 수 있고, 혼합 매니폴드의 외부를 따라 포트를 한정할 수 있다. 포트는 혼합 매니폴드의 제1 단부 내에 한정된 제1 트렌치와 유체적으로 결합될 수 있다. 제1 트렌치는 제1 내측 측벽에서의 내측 반경 및 외측 반경을 특징으로 할 수 있고, 제1 트렌치는 제1 내측 측벽을 통해 중앙 채널로의 유체 접근을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102223829B1
公开(公告)日:2021-03-04
申请号:KR1020157028687A
申请日:2014-03-14
IPC分类号: H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/683 , C23C16/45557 , C23C16/4409 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , H01L21/205 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68785 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32605
摘要: 인젝터 조립체의 처리 측면과 인젝터 조립체의 대기 측면 사이의 상이한 차압의 결과로서 인젝터 조립체의 편향을 감소시키기 위해 인젝터 조립체 위에 용적을 형성하는 리드 조립체들을 포함하는 처리 챔버들이 개시된다.
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公开(公告)号:JP6438320B2
公开(公告)日:2018-12-12
申请号:JP2015030444
申请日:2015-02-19
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/50 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号: H01L21/67069 , H01J37/32449 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/6719
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公开(公告)号:JP2018535542A
公开(公告)日:2018-11-29
申请号:JP2018516779
申请日:2016-12-13
发明人: マークス リーベラー , クリスティアン プファーラー , マークス ハーゲドアン , マイケル ヴァナベマ , アレクサンドル コスチェエフ
CPC分类号: H01L22/20 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/68757
摘要: ミリ秒アニールシステムのための予熱プロセスが提供される。1つの実施例においては、予熱プロセスが、ミリ秒アニールシステムのプロセスチャンバにおけるウェハ支持プレートに基板を収容すること、温度センサを使用することによって、ウェハ支持プレートの1つまたは複数の温度測定値を取得すること、ウェハ支持プレートの温度に少なくとも部分的に基づいて、ウェハ支持プレートを加熱するために予熱レシピを適用すること、を含むことができる。1つの実施例においては、予熱プロセスが、ミリ秒アニールシステムにおけるウェハ支持プレートの視野を有している温度センサから1つまたは複数の温度測定値を取得すること、1つまたは複数の温度測定値に少なくとも部分的に基づいて、ミリ秒アニールシステムにおけるウェハ支持プレートを加熱するためにパルス制御式予熱レシピを適用すること、を含むことができる。
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公开(公告)号:JP2018182102A
公开(公告)日:2018-11-15
申请号:JP2017080697
申请日:2017-04-14
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号: H01L21/68742 , H01L21/3065 , H01L21/6719 , H01L21/67259 , H01L21/67739 , H01L21/68
摘要: 【課題】基板の位置ずれを抑制する。 【解決手段】ピン制御方法は、基板を支持して複数の駆動部によってそれぞれ上下に駆動される複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定し、測定された複数のピンの高さ位置を用いて、複数のピンから、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、選択された基準ピンに関して、複数のピンの高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、推定された基準高さ位置に基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、他のピンを駆動する駆動部を制御して、他のピンの駆動速度を前記調整速度に調整する。 【選択図】図3
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公开(公告)号:JP2018178163A
公开(公告)日:2018-11-15
申请号:JP2017075868
申请日:2017-04-06
申请人: 東京エレクトロン株式会社
发明人: 中川西 学
CPC分类号: H01L21/6831 , C23C14/358 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/32036 , H01L21/0262 , H01L21/67098 , H01L21/6719 , H01L21/67739
摘要: 【課題】回転体の温度を精度よく測定することが可能な可動体構造を提供すること。 【解決手段】一実施形態の可動体構造は、真空環境下での処理を可能に構成された処理容器と、前記処理容器内に配置された固定部と、前記固定部に対して移動可能に設けられた可動部と、前記固定部に設けられ、気密封止構造を有する送受信モジュールと、前記可動部に設けられ、気密封止構造を有するセンサモジュールと、を備え、前記送受信モジュールと前記センサモジュールとは非接触で信号の送受信を行う。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2018174210A
公开(公告)日:2018-11-08
申请号:JP2017070987
申请日:2017-03-31
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: B65G49/07 , H01L21/677
CPC分类号: H01L21/67742 , B65G47/907 , B65G2201/0297 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67754
摘要: 【課題】複数枚の被処理体に対して一括して所定の処理を行うマルチリアクタ式の真空処理室を複数備え、高スループットで被処理体に対して処理を行うことが可能な小型の処理システムの提供。 【解決手段】処理システム1は、マルチリアクタ式の真空処理室10 1 〜10 4 が所定の方向に沿って設けられ、搬送ユニット3が、それぞれ上記所定の方向に沿って設けられ、それぞれ上記所定の方向に沿ってウェハWを搬送する第1及び第2の共通搬送装置30、31を有し、第1の共通搬送装置30は、上記所定の方向と直交する方向の一方から、真空処理室10 1 〜10 4 それぞれに接続され、第2の共通搬送装置31は、上記所定の方向と直交する方向の他方から、真空処理室10 1 〜10 4 それぞれに接続されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6411172B2
公开(公告)日:2018-10-24
申请号:JP2014217707
申请日:2014-10-24
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: H01L21/304
CPC分类号: H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248
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公开(公告)号:JP2018152422A
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:JP2017046467
申请日:2017-03-10
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: H01L21/266
CPC分类号: H01L21/0337 , H01J37/00 , H01L21/02057 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/26513 , H01L21/67034 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67703
摘要: 【課題】マスクを用いて基板にイオン注入を行い、イオン注入後にマスクを除去するにあたり、基板へのダメージを防ぐこと 【解決手段】基板(W)の表面に重合用の原料を供給して、尿素結合を有する重合体からなる第1のマスク用の膜(21)を形成する工程と、第1のマスク用の膜(21)上に積層されるように第2のマスク用の無機膜(22)を形成する工程と、第1のマスク用の膜(21)及び前記第2のマスク用の無機膜(22)にパターンを形成し、基板(W)の表面にイオン注入を行う工程と、イオン注入を行った後に第2のマスク用の無機膜(22)を除去する工程と、イオン注入を行った後に基板(W)を加熱して前記重合体を解重合して第1のマスク用の膜(21)を除去する工程と、を行う。 【選択図】図4
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