公开(公告)号：KR102223834B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020140030237A

申请日：2014-03-14

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 루크 알바레데

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32899 ,  H05H2001/4682

Abstract: 챔버 정합을 수행하기 위한 시스템과 방법들이 설명된다. 챔버 정합을 수행하기 위한 방법 중 하나는 변수를 측정하기 위해 제 1 플라즈마 챔버 내에서 제 1 테스트를 수행하는 단계와 변수를 측정하기 위해 제 2 플라즈마 챔버 내에서 제 2 테스트를 실행하는 단계를 포함한다. 제 1 및 제 2 테스트는 하나의 레시피에 기초하여 실행된다. 방법은 제 1 테스트로 측정된 변수와 제 1 테스트 동안 제공된 전력 사이의 제 1 관계를 결정하는 단계, 제 2 테스트로 측정된 변수와 제 2 테스트 동안 제공된 전력 사이의 제 2 관계를 결정하는 단계 및 제 1 관계와 제 2 관계에 기초하여 이어지는 처리 동작 동안 제 2 플라즈마 챔버에 적용하기 위한 전력 조정을 식별하는 단계를 더 포함한다. 전력 조정은 제 2 플라즈마 챔버로 하여금 제 1 플라즈마 챔버를 사용하여 결정된 처리 조건에서 처리 동작을 수행하게 한다.

公开(公告)号：JP6392760B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2015533084

申请日：2013-08-30

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： イングル, ニティン ケー. ,  ワン, アンチョアン ,  チェン, シンロン

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP6386394B2

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：JP2015029910

申请日：2015-02-18

Applicant: 東芝メモリ株式会社

Inventor： 本川 剛治 ,  萩原 一希 ,  谷口 修一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32899 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/67167

公开(公告)号：JP2018006378A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016126715

申请日：2016-06-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 戸島 宏至 ,  波多野 達夫 ,  古川 真司 ,  渡辺 直樹 ,  鈴木 直行

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879

Abstract: 【課題】基板の凹部を画成する壁面上に形成された下地金属層の消失を抑制し、且つ、下地金属層によって縮小された凹部の開口の幅を広げることを可能とする。 【解決手段】一実施形態の方法は、凹部を画成する基板の表面にバリア層を形成する工程と、バリア層上にシード層を形成する工程と、を含む。この方法は、バリア層をエッチングする工程及びシード層をエッチングする工程のうち少なくとも一方を更に含む。バリア層をエッチングする工程及びシード層をエッチングする工程のうち少なくとも一方において、イオンの照射方向に対して基板が傾斜され且つ回転される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6255009B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2015509442

申请日：2013-05-02

Applicant: レリオン プラズマ ゲーエムベーハー ,  レリオン プラズマ ゲーエムベーハー ,  エプコス アーゲーEpcos Ag ,  エプコス アーゲーEpcos Ag

Inventor： シュテファン ネッテスハイム ,  シュテファン ネッテスハイム ,  ジョージ クーガール ,  ジョージ クーガール ,  マルクス パフ ,  マルクス パフ

IPC: H05H1/44 ,  H05H1/26

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32899 ,  H05H1/36 ,  H05H1/44

公开(公告)号：JP6243290B2

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：JP2014094683

申请日：2014-05-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 熊谷 武司 ,  尾谷 宗之 ,  大久保 和哉

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  H05H1/46 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899

公开(公告)号：JP2017172019A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016061509

申请日：2016-03-25

Applicant: 芝浦メカトロニクス株式会社

Inventor： 加茂 克尚

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  C23C14/58 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3417

Abstract: 【課題】筒形電極とシールドの接触を防止し、膜処理を安定して行う。 【解決手段】プラズマ処理装置は、開口部11が設けられた一端である下端と、閉塞された他端である上端を有し、内部にプロセスガスが導入され、電圧が印加されることによって当該プロセスガスをプラズマ化させる筒形電極10と、開口1aを有する真空容器であるチャンバ1を備え、上端が開口1aに絶縁部材22を介して取り付けられた筒形電極10が、チャンバ1の内部に延在する。プラズマ処理装置は、また、プロセスガスによって処理されるワークWを、筒形電極10の開口部11の下に搬送する搬送部である回転テーブル3と、真空容器の内部に延在する筒形電極10を、隙間dを介して覆うシールド13と、筒形電極10とシールド13の隙間dに設置され、絶縁材料で構成されたスペーサ30と、を備える。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2017117941A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2015252064

申请日：2015-12-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： IKEGAWA HIROAKI ,  WADA HIROYUKI ,  HISHITANI KATSUYUKI

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764

Abstract: 【課題】原料ガスと反応するプラズマ化した反応ガスの供給が行われる真空容器内にて、前記反応ガスの供給とは異なる他の処理を行うことが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】基板Wが載置される回転テーブル2を収容した真空容器11内で基板Wに対して薄膜の成膜を行う成膜装置において、第1のガス供給部は、真空容器11内の他の空間から区画された第1の領域R1にて原料ガスを供給する。第3のガス供給部は、2本のガスインジェクター7により、第2の領域R2へ向けて反応ガスを吐出し、プラズマ形成部6(6A)は第2の領域R2へ向けて吐出された反応ガスをプラズマ化する。これら第1、第2の領域R1、R2とは異なる位置に設けられた他の処理領域r1、r2では、前記原料ガスの供給、及びプラズマ化した反応ガスの供給による処理とは異なる処理が行われる【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017103415A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2015237518

申请日：2015-12-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 鈴木 泰信 ,  平田 俊治

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/042 ,  C23C14/34 ,  C23C14/505 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6831

Abstract: 【課題】被加工物上に形成される膜の中心の位置と当該被加工物の中心の位置とのずれを低減又は排除する。 【解決手段】一実施形態の成膜システムの成膜装置では、マスクが利用され、被加工物の円形のエッジよりも内側の領域上に膜が形成されることにより、成膜済被加工物が生成される。成膜済被加工物の回転ステージによる回転中にカメラによって取得された三以上の複数の画像から、周方向の異なる複数の箇所それぞれにおける成膜済被加工物のエッジと成膜済被加工物の膜のエッジとの間の複数の幅が求められる。また、複数の幅から、成膜済被加工物の中心の位置に対する成膜済被加工物の膜の中心の位置のずれ量が求められる。このずれ量を用いて、成膜装置に被加工物を搬送する搬送モジュールの搬送位置が補正される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017092093A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2015216320

申请日：2015-11-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： SATO JUN ,  MIURA SHIGEHIRO

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 【課題】本発明は、複雑で表面積を大きく増大させるパターンが形成された基板を処理する場合であっても、面内均一性を良好に保つことができる基板処理装置、基板処理方法及び基板保持部材を提供することを目的とする。【解決手段】処理室1と、該処理室内に設けられ、基板を保持可能な窪み状の基板保持領域24aが周方向に沿って表面に複数設けられた回転テーブル2aと、前記基板保持領域の周囲の前記表面に設けられ、凹凸パターンの形成により前記表面の表面積を平坦面よりも増加させた表面積増加領域27と、前記回転テーブルの前記表面に処理ガスを供給可能な処理ガス供給手段90と、を有する基板処理装置。【選択図】図13