公开(公告)号：JP6668393B2

公开(公告)日：2020-03-18

申请号：JP2018008804

申请日：2018-01-23

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： バジュリ, モハマド カハー ,  カバトバット, エドモンド サレス ,  クルス, ゲイロード エヴァンゲリスタ ,  フッド, アミルル アフィク ,  リー, テック シム ,  サントス, ノーバート ジョーソン ,  タイ, チュー リー ,  ヤン, チン ウェイ

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04

公开(公告)号：JP2018125526A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2018008804

申请日：2018-01-23

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： バジュリ, モハマド カハー ,  カバトバット, エドモンド サレス ,  クルス, ゲイロード エヴァンゲリスタ ,  フッド, アミルル アフィク ,  リー, テック シム ,  サントス, ノーバート ジョーソン ,  タイ, チュー リー ,  ヤン, チン ウェイ

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】 ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージを提供する。 【解決手段】 半導体デバイスパッケージを形成する方法は、周縁構造を有するリードフレームと、上面及び下面を有するヒートスラグとを設ける工程を含み、ヒートスラグは、周縁構造に取り付けられる。半導体ダイがヒートスラグに取り付けられる。この半導体ダイは、ヒートスラグが周縁構造に取り付けられている間に成形コンパウンドで封入される。ヒートスラグには封入前に留め具が完全にない。 【選択図】 図1