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公开(公告)号:JP5069112B2
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:JP2007524175
申请日:2005-08-05
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , リーマー シュテフェン , フローリアン ハインツ , ゼドルマイアー ペーター
IPC: H01L41/083 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/297
CPC classification number: H01L41/273 , H01L41/0471 , H01L41/297 , Y10T29/42
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公开(公告)号:JP2005515641A
公开(公告)日:2005-05-26
申请号:JP2003561009
申请日:2002-11-18
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , フローリアン ハインツ
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H02N2/00 , H01L41/22
CPC classification number: H01L41/273 , H01L41/0838 , H01L41/1876
Abstract: 本発明は、相互に重なっているピエゾ電気層(2)と、ピエゾ電気層の間に位置する電極層(3a,3b)から成る積層体(1)を有しているピエゾ電気構成素子に関する。 電極層(3a,3b)は積層体(1)内部において中間区間(4)と、積層体(1)の垂直な縁部ゾーン(5)の内側によって制限されている終端区間(6)を有しており、電極層(3a,3b)の終端区間(6)は第1のピエゾ電気材料(7)によって取り囲まれており、第1のピエゾ電気材料の相対的な伸張度は第2のピエゾ電気材料(9)の相対的な伸張度より低く、第2のピエゾ電気材料は、隣り合う2つの電極層(3a,3b)間の中間領域(8)内に配置されている。 さらに本発明は、前記ピエゾ電気構成素子の製造方法に関する。 本発明による構成素子は、内部電極の終端近傍で機械的負荷が低減させ、これによって構成素子の寿命を長くするという利点を有する。
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公开(公告)号:JP5118848B2
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:JP2006529620
申请日:2004-09-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: フェルツ アダルベルト , フローリアン ハインツ , オットリンガー マリオン , ラゴスニッヒ ジグリット , ゼドルマイアー ペーター
IPC: C04B35/491 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/39 , H01L41/43
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/3224 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43
Abstract: The invention relates to a piezoelectric ceramic material having the general composition ABO 3 with at least a proportion of the PZT ceramic having a composition of the invention with Cu cations. The proportion of Zr and Ti cations is selected based upon the content of Cu cations, such that the ceramic material is tailored to the morphotropic phase boundary. The invention further discloses a method for producing a ceramic material of this type.
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公开(公告)号:JP2005515641A6
公开(公告)日:2005-05-26
申请号:JP2003561009T
申请日:2002-11-18
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , フローリアン ハインツ
Abstract: 本発明は、相互に重なっているピエゾ電気層(2)と、ピエゾ電気層の間に位置する電極層(3a, 3b)から成る積層体(1)を有しているピエゾ電気構成素子に関する。 電極層(3a, 3b)は積層体(1)内部において中間区間(4)と、積層体(1)の垂直な縁部ゾーン(5)の内側によって制限されている終端区間(6)を有しており、電極層(3a, 3b)の終端区間(6)は第1のピエゾ電気材料(7)によって取り囲まれており、第1のピエゾ電気材料の相対的な伸張度は第2のピエゾ電気材料(9)の相対的な伸張度より低く、第2のピエゾ電気材料は、隣り合う2つの電極層(3a, 3b)間の中間領域(8)内に配置されている。 さらに本発明は、前記ピエゾ電気構成素子の製造方法に関する。 本発明による構成素子は、内部電極の終端近傍で機械的負荷が低減させ、これによって構成素子の寿命を長くするという利点を有する。
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公开(公告)号:JP5322384B2
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:JP2006501507
申请日:2004-02-19
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ハインツ , ラゴスニッヒ ジグリット
IPC: H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/0838
Abstract: A multilayer electrical component includes a plurality of ceramic layers disposed along an axis, a plurality of electrode layers disposed between the plurality of ceramic layers and in electrical contact with the ceramic layers, and a ceramic breach layer disposed between a first and a second ceramic layer of the plurality of ceramic layers along the axis. The ceramic breach layer has a lower breach stability than the plurality of ceramic layers with regard to tensile stresses in the direction of the axis.
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公开(公告)号:JP4369238B2
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:JP2003561009
申请日:2002-11-18
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , フローリアン ハインツ
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/273 , H01L41/0838 , H01L41/1876
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公开(公告)号:JP2008508737A
公开(公告)日:2008-03-21
申请号:JP2007524175
申请日:2005-08-05
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , リーマー シュテフェン , フローリアン ハインツ , ゼドルマイアー ペーター
IPC: H01L41/083 , H01G4/12 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/297
CPC classification number: H01L41/273 , H01L41/0471 , H01L41/297 , Y10T29/42
Abstract: セラミック基体(P)と、このセラミック基体内に配置されている少なくとも1つの内部電極(2)とを有し、内部電極が複数の孔(3)を有する多層構成素子が提案される。
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公开(公告)号:JP2007507406A
公开(公告)日:2007-03-29
申请号:JP2006529620
申请日:2004-09-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: フェルツ アダルベルト , ラゴスニッヒ ジグリット , フローリアン ハインツ , ゼドルマイアー ペーター , オットリンガー マリオン
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/39 , H01L41/43
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/3224 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43
Abstract: 本発明は、Cu−カチオンを有する本発明による組成のPZT−セラミックの少なくとも1つの含分を有する一般組成ABO
3 の圧電セラミック材料に関する。 Zr−及びTi−カチオンの含分は、Cu−カチオンの含量に応じて、セラミック材料がモルフォトロピック相境界に調節されているように選択される。 さらに本発明は、そのようなセラミック材料の製造方法を記載する。-
公开(公告)号:JP2006518934A
公开(公告)日:2006-08-17
申请号:JP2006501507
申请日:2004-02-19
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: ラゴスニッヒ ジグリット , ラゴスニッヒ ハインツ
IPC: H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/0838
Abstract: 本発明は、電気的な多層構成部材に関し、該構成部材が1つの縦軸線に沿って配置して互いに重ねられた複数のセラミック性の層及び、該層間に位置する電極層を備えており、この場合に、前記縦軸線の少なくとも1つの箇所で2つのセラミック層間に1つのセラミック性の目標破断層を設けてあり、該目標破断層は縦軸線方向の引っ張り応力に対して、前記セラミック層に比べて低い安定性を有している。 さらに本発明は、多層構成部材の製造に適した層スタックに関する。 目標破断層の低くされた安定性によって、構成部材内の亀裂の不都合な発生が避けられる。
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