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公开(公告)号：JP2007507865A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：JP2006529619
申请日：2004-09-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フローリアン ハインツ , ゼドルマイアー ペーター , オットリンガー マリオン
IPC: H01L41/083 , C04B35/468 , C04B35/491 , C04B35/638 , H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/293
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/12 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2237/32 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/68 , H01L41/0472 , H01L41/0477 , H01L41/273 , H01L41/293 , Y10T29/42 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本発明は、セラミック層と、外部コンタクトに接続されている、内部電極として用いられる銅含有電極層とを交互に有している積層体を有しているセラミック多層構成素子と、この構成素子を製造する方法に関する。 本発明では、外部コンタクトは金属銅を含有しており、外部コンタクトとセラミック層の間の境界面に接する境界領域において外部コンタクトは酸化されず、セラミック層の材料は還元されず、積層体での外部コンタクトの接着強度は値５０Ｎを超える。 本発明では、結合除去を、最高３００℃である、比較的低い温度で、湿気のある窒素雰囲気内で実施する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5183011B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2004547425
申请日：2003-10-27
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フローリアン ハインツ , オットリンガー マリオン
IPC: H01L41/083 , C04B35/491 , C04B35/493 , H01L41/187 , H02N2/00
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/12 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , H01L41/083 , H01L41/187
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公开(公告)号：JP5118848B2
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：JP2006529620
申请日：2004-09-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フェルツ アダルベルト , フローリアン ハインツ , オットリンガー マリオン , ラゴスニッヒ ジグリット , ゼドルマイアー ペーター
IPC: C04B35/491 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/39 , H01L41/43
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/3224 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43
Abstract: The invention relates to a piezoelectric ceramic material having the general composition ABO 3 with at least a proportion of the PZT ceramic having a composition of the invention with Cu cations. The proportion of Zr and Ti cations is selected based upon the content of Cu cations, such that the ceramic material is tailored to the morphotropic phase boundary. The invention further discloses a method for producing a ceramic material of this type.
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公开(公告)号：JP2007507406A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：JP2006529620
申请日：2004-09-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フェルツ アダルベルト , ラゴスニッヒ ジグリット , フローリアン ハインツ , ゼドルマイアー ペーター , オットリンガー マリオン
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/39 , H01L41/43
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/3224 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43
Abstract: 本発明は、Ｃｕ−カチオンを有する本発明による組成のＰＺＴ−セラミックの少なくとも１つの含分を有する一般組成ＡＢＯ
３ の圧電セラミック材料に関する。 Ｚｒ−及びＴｉ−カチオンの含分は、Ｃｕ−カチオンの含量に応じて、セラミック材料がモルフォトロピック相境界に調節されているように選択される。 さらに本発明は、そのようなセラミック材料の製造方法を記載する。-
公开(公告)号：JP5506731B2
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：JP2011087166
申请日：2011-04-11
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フローリアン ハインツ , オットリンガー マリオン
IPC: H01L41/083 , C04B35/491 , C04B35/493 , H01L41/187 , H01L41/27 , H02N2/00
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/12 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , H01L41/083 , H01L41/187
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公开(公告)号：JP2006504277A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：JP2004547425
申请日：2003-10-27
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フローリアン ハインツ , オットリンガー マリオン
IPC: H01L41/083 , C04B35/49 , C04B35/493 , H01L41/187 , H02N2/00
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/12 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , H01L41/083 , H01L41/187
Abstract: 上下に配置されたセラミックス層およびこれらの層の間に位置する電極層を備えたモノリシック多層構造の圧電素子において、電極層が元素状の銅を含み、セラミックス層がＰｂ
０．９８８ Ｖ
０．０１２ (Ｚｒ
０．５０４＋ｘ Ｔｉ
０．４７２−ｘ Ｎｂ
０．０２４ )Ｏ
３．０００ を含み、ここでＶは空きであり、−０．０５≦ｘ≦０．０５である。
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