公开(公告)号：JP2015530734A

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：JP2015523424

申请日：2012-07-24

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： プラッハ トーマス ,  プラッハ トーマス ,  ヒンゲアル クアト ,  ヒンゲアル クアト ,  ヴィンプリンガー マークス ,  ヴィンプリンガー マークス ,  フレートゲン クリストフ ,  フレートゲン クリストフ

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B37/0046 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32798 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092

Abstract: 本発明は、第1の基板の第1の接触面と、少なくとも1つの反応層を有する第2の基板の第2の接触面とを結合する方法において、次の工程、特に次の手順:前記基板を、第1の電極と第2の電極との間又はコイル内に収容する工程、及び第1の接触面を、電極の容量結合により発生させたプラズマに曝し、その際、第1の電極には、プラズマ発生の間に第2の電極の第2の周波数とは異なる第1の周波数が適用されることにより、又はコイルの誘導結合によって作成されたプラズマに曝し、その際、第1の発生器はプラズマ発生の間に第2の発生器の第2の周波数とは異なる第1の周波数が適用されることにより、第1の接触面のリザーバー形成層内にリザーバーを形成する工程を有する方法に関する。更に、本発明は対応する装置に関する。

Abstract translation: 本发明包括在第一衬底的第一接触表面，其具有至少一个反应性层，下一步该第二基板的第二接触表面连接的方法，尤其是以下过程：在 基板，被收容之间或第一电极和第二电极，并且所述第一接触面，通过所述电极的电容性耦合所产生的等离子体的线圈内曝光过程，其中，第一电极 的，通过从等离子体产生时的第二电极的第二频率不同的第一频率施加，或暴露于由感应耦合线圈产生的等离子体，其中，所述第一 通过从等离子体产生时的第二发生器的第二频率不同的第一频率发生器被施加，在贮存器形成层的第一接触表面上形成的贮存器的步骤 一种方法。 此外，本发明涉及一种相应的装置。